碳化硅IGBT电力电子器件封装和绝缘研究综述

论文摘要

基于传统Si(碳)材料的制约和宽禁带材料SiC(碳化硅)的大力发展,对电力电子的发展、电力电子器件的结构和封装工艺、电力电子器件的检测技术以及电力电子绝缘材料的研究进行了梳理。主要的检测技术是局部放电和电树枝测量技术,而对于材料介电性能的研究方法包括击穿强度、介电常数、电导率、时域介电弛豫等。对于材料理化性能主要是采用扫描电镜、超声波扫描显微镜、傅里叶红外光谱、热失重、差式扫描热分析等研究手段。

论文目录

• 0 引言
• 1 SiC IGBT的结构和封装方法
• 2 封装材料系统
•   2.1 衬底材料
•   2.2 芯片连接材料
•   2.3 键合方式
•   2.4 封装绝缘材料
• 3 封装绝缘研究现状
•   3.1 局部放电和调控
•   3.2 电树测量
•   3.3 加速老化研究
• 4 结论与展望

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 戴超,陈向荣

关键词: 宽禁带,电力电子器件,封装,绝缘,老化

来源: 浙江电力 2019年10期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技

专业: 电力工业,无线电电子学

单位: 浙江省电机系统智能控制与变流技术重点实验室(浙江大学)

基金: 国家重点研发计划资助(2018YFB0904400),直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院有限责任公司)项目(SKLHVDC-2019-KF-18),浙江省自然科学基金项目(LY18E070003),中央高校基本科研业务费项目(2018QNA4017),宁波市“科技创新2025”重大专项,浙江大学“百人计划”(自然科学A类)

分类号: TM21;TN322.8

DOI: 10.19585/j.zjdl.201910005

页码: 26-33

总页数: 8

文件大小: 1546K

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