本实用新型公开了一种薄膜晶体管，包括：栅极、有源层、第一极和第二极；所述第一极包括：第一连接部和至少两个第一导电部，所述第一导电部沿第一方向延伸，全部所述第一导电部沿第二方向排布，所述第一导电部的第一端与所述连接部电连接，相邻的两个所述第一导电部和所述第一连接部围成一个第一U型开口；所述第二极包括：至少一个第二导电部，所述第二导电部沿第一方向延伸，所述第二导电部的第一端伸入至所述第一U型开口内，所述第二导电部的第一端与所述第一U型开口的底部之间的区域为第一区；所述有源层上位于所述第一区的部分，其内设置有贯穿所述有源层的第一开孔。本公开还提供了一种像素结构、显示基板、显示面板和显示装置。
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、有源层、第一极和第二极；所述第一极包括：第一连接部和至少两个第一导电部，所述第一导电部沿第一方向延伸，全部所述第一导电部沿第二方向排布，所述第一导电部的第一端与所述连接部电连接，相邻的两个所述第一导电部和所述第一连接部围成一个第一U型开口；所述第二极包括：至少一个第二导电部，所述第二导电部沿第一方向延伸，所述第二导电部的第一端伸入至所述第一U型开口内，所述第二导电部的第一端与所述第一U型开口的底部之间的区域为第一区；所述有源层上位于所述第一区的部分，其内设置有贯穿所述有源层的第一开孔。
申请码:申请号:CN201920001967.X
申请日:2019-01-02
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:11(北京)
授权编号:CN209045572U
授权时间:20190628
主分类号:H01L29/786
专利分类号:H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368
范畴分类:38F;
申请人:北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
第一申请人:北京京东方技术开发有限公司
申请人地址:100176 北京市北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室
发明人:程鸿飞
第一发明人:程鸿飞
当前权利人:北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
代理人:罗瑞芝;陈源
代理机构:11112
代理机构编号:北京天昊联合知识产权代理有限公司
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
本文来源: https://www.lunwen90.cn/article/8d08f689f0dc546653ecc171.html