n型双面TOPCon太阳电池钝化技术

论文摘要

隧穿氧化物钝化接触（TOPCon）技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散（PERT）结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
• 2 结果与讨论
•   2.1 电池J-V特性对比
•   2.2 SiO2/多晶硅中硼掺杂性能研究
•   2.3 SiO2/多晶硅钝化效果分析
•   2.4 电池的光谱响应测试分析
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 于波,史金超,李锋,庞龙,刘克铭,于威

关键词: 选择性钝化接触,隧穿氧化层,多晶硅,双面太阳电池

来源: 半导体技术 2019年05期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 河北大学物理科学与技术学院,英利能源(中国)有限公司光伏材料与技术国家重点实验室

分类号: TM914.4

DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.008

页码: 368-373

总页数: 6

文件大小: 1288K

下载量: 371