铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。
类型: 期刊论文
作者: 王泽辉,沈鸿烈,魏青竹,倪志春,李树兵,李跃,张树德
关键词: 电池,效应,铸造单晶硅,电注入退火,电学性能
来源: 半导体光电 2019年06期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换与技术重点实验室
基金: 国家自然科学基金项目(61774084),江苏省前瞻性联合研究项目(BY2016003-09),江苏省科技成果转化专项资金项目(BA2017032)
分类号: TM914.4
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.06.004
页码: 771-775+780
总页数: 6
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本文来源: https://www.lunwen90.cn/article/849174ae925c2bd894e0e135.html