压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能

论文摘要

采用变分法从理论上对流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能进行了研究,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、Al组分以及压强的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分析.结果表明:该结构中的核尺寸对杂质态的结合能影响要远大于壳尺寸对结合能的影响;受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸、Al组分以及压强的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能要大.

论文目录

• 1 理论模型
• 2 压力对物理参数的影响
•   2.1 压力对量子点尺寸的影响
•   2.2 压力对禁带宽度的影响
•   2.3 压力对相对有效质量的影响
•   2.4 压力对介电常数的影响
• 3 数值结果与讨论
• 4 总结

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 雷莉萍,石磊,闫祖威

关键词: 量子点量子阱,施主杂质,受主杂质,结合能,流体静压力

来源: 内蒙古大学学报(自然科学版) 2019年02期

年度: 2019

分类: 基础科学,信息科技

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 内蒙古农业大学理学院

基金: 国家自然科学基金资助项目(11364028),内蒙古自然科学基金重大项目资助(2013ZD02),内蒙古",草原英才",工程资助项目

分类号: O471.1

DOI: 10.13484/j.nmgdxxbzk.20190205

页码: 140-146

总页数: 7

文件大小: 234K

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