基于低能电子束的绝缘物-半导体样品放电特性研究

论文摘要

消除起因于高能电子束辐照产生的负带电效应对微电子器件的加工、检测和成像具有重要意义。结合数值模拟和实验测量,研究基于低能电子束的绝缘物-半导体结构样品放电特性及中和机理。建立基于电子散射、输运和俘获的数值模型,阐明了空间电荷、空间电位分布及其放电特性,揭示了低能电子束辐照下空间电荷的驰豫特性以及电子束能量、束流对中和特性的影响。研究结果表明,长时间放置下绝缘物-半导体样品内部负带电强度逐渐减弱,但由于陷阱的俘获作用带电不会彻底消除;在低于第2临界能量的低能电子束辐照下,随着正电荷注入样品的负带电较快得到中和,表面电位将趋于0电位;当电子束实际着陆能量接近于使电子总产额最大的能量时中和过程暂态时间最短,束流越大、暂态过程越快达到平衡。

论文目录

• 0 引言
• 1 数值模型
•   1.1 电子散射过程
•   1.2 俘获与复合过程
•   1.3 电荷漂移过程
•   1.4 电位计算
• 2 实验
• 3 结果及分析
•   3.1 电子产额及空间电荷分布
•   3.2 放电特性
•   3.3 带电中和特性
•   3.4 参数对中和特性的影响
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 霍志胜,蒲红斌,余宁梅,李维勤

关键词: 绝缘物半导体,低能电子束,中和特性,表面电位,放电特性

来源: 兵工学报 2019年12期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 西安理工大学自动化与信息工程学院

基金: 陕西省自然科学基金项目(2019JM-340),西安理工大学科研计划项目(2015CX030)

分类号: TN305

页码: 2497-2503

总页数: 7

文件大小: 259K

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