表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究

论文摘要

采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了再分布,F修饰对键长表现出了拉力效应,但并没有引起键长的再分布.同时,通过计算电子性质,以H修饰纳米线为参考,因不同官能团修饰对键长不均匀性的影响不同,使能带Z点位置下移幅度不同,CH3修饰纳米线下移幅度最大,F次之,H修饰的下移幅度最小,这为利用不均匀性调控电子结构提供了理论依据.

论文目录

• 1 引 言
• 2 方 法
• 3 结果与讨论
•   3.1 弛豫后的结构
•   3.2 能带结构
• 4 总 结

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 徐祥福,雷露军,李天乐,朱伟玲,陈星源

关键词: 第一性原理,硅锗合金纳米线,表面修饰官能团,键长再分布

来源: 原子与分子物理学报 2019年06期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 广东石油化工学院应用物理系

基金: 国家自然科学基金(61475195,11547201),广东省自然科学基金(2015A030313873,2017A030307008)

分类号: TB383.1

页码: 946-952

总页数: 7

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