抑制GaN变换器振铃的高频驱动电路设计

针对氮化镓(GaN)功率器件在高频应用中因寄生参数带来的输出电压振铃问题,这里研究了驱动电路寄生参数和栅极驱动阻抗匹配影响GaN变换器振荡的机理。从驱动电路优化设计出发,提出了抑制开关器件电压振铃的解决办法。仿真和实验结果验证了所提方法的有效性。

类型: 期刊论文

作者: 陈哲,崔龙然,刘春强,骆光照

关键词: 氮化镓功率器件,高频驱动,电压振铃

来源: 电力电子技术 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 西北工业大学

基金: 陕西省基础研究计划(2018JQ5187),陕西省重点研发计划国际科技合作计划(2017KW-ZD-05)~~

分类号: TM46

页码: 125-127+133

总页数: 4

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