976 nm宽条形高功率半导体激光器的光束质量M~2评价

论文摘要

为了提高976 nm宽条形高功率半导体激光器的光束质量,基于严格的二阶矩理论搭建了一套适用于高功率半导体激光器的光束质量检测装置。利用该装置测量了实验室研制的976 nm宽条形高功率半导体激光器在1～10 A工作电流下的束腰位置、束腰尺寸和远场发散角。实验结果表明,随着电流从1 A增加到10A,快轴方向束宽及远场发散角由于反导引效应有微小增加,但由于垂直方向较强的折射率导引机制使得光束参数变化很小,光束质量因子M~2仅从1. 32增加到1. 48,光束质量基本不变。慢轴方向由于反导引效应及热透镜效应而导致高阶模式激射,使得束宽及远场发散角随工作电流增加逐渐增大,光束质量因子M~2从5. 44增加到11. 76,光束质量逐渐变差。傍轴光束定义及非傍轴光束定义下的光束质量因子测试结果表明,在快轴方向,两者差别较大,不能使用傍轴光束定义近似计算;在慢轴方向,两者近似相等,可以使用傍轴光束定义近似计算。

论文目录

• 1 引言
• 2 半导体激光器M2因子测量基础
•   2.1 激光束M2因子的定义
•   2.2 半导体激光器M2因子测量原理
•     2.2.1 激光光斑的质心坐标
•     2.2.2 激光光斑尺寸
•     2.2.3 光束传输拟合
•   2.3 半导体激光器M2因子测量方案与误差
•     2.3.1 测量方案
•     2.3.2 误差分析
• 3 激光器M2因子测量与分析
•   3.1 快轴方向M2因子测量结果与分析
•   3.2 慢轴方向M2因子测量结果与分析
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 闫宏宇,高欣,宋健,张晓磊,张哲铭,徐雨萌,顾华欣,刘力宁,薄报学

关键词: 半导体激光器,一般激光理论,激光器

来源: 发光学报 2019年02期

年度: 2019

分类: 基础科学,信息科技

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

基金: 国家重点研发计划(2017YFB0405100),吉林省科技发展计划(20150203007GX,20160203017GX,20170101047JC,20170203014GX)资助项目~~

分类号: TN248.4

页码: 196-203

总页数: 8

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