籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究

论文摘要

采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。

论文目录

• 1 实验
• 2 结果与讨论
•   2.1 不同籽晶对晶体缺陷的影响
•   2.2 不同籽晶对晶片结晶质量的影响
•   2.3 不同籽晶对晶片电学性能的影响
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 侯晓蕊,王英民,魏汝省,李斌,王利忠,田牧,刘燕燕,淮珍,王程,王光耀

关键词: 高纯,籽晶,晶片缺陷,结晶质量,电学性能

来源: 电子工业专用设备 2019年03期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 中国电子科技集团公司第二研究所

基金: 国际科技合作项目(2013DFR10020),山西省自然科学基金(2012011020-2),中国电子科技集团公司技术创新基金(5511234),山西省科技重大专项(20181101007)

分类号: TQ163.4

页码: 1-3+16

总页数: 4

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