AlN的MOCVD生长中表面吸附的量子化学研究

论文摘要

利用量子化学的密度泛函理论（DFT）,对AlN的MOCVD生长中表面反应前体MMAl、DMAlNH2分别在理想、NH2覆盖AlN（0001）-Al面的吸附进行研究。通过分析表面吸附位、吸附能、分波态密度图等,确定可能的稳定吸附结构和吸附倾向。研究发现:在理想和NH2覆盖的AlN（0001）-Al面,MMAl吸附在T4位和H3位,吸附概率相近,MMAl与表面形成3个Al-Als键（理想AlN表面）或3个Al-Ns键（NH2覆盖的AlN表面）。在理想AlN表面,DMAlNH2吸附在Top-Top位,与表面形成N-Als键和Al-Als键;在NH2覆盖的AlN表面,DMAlNH2吸附在Top位,与表面形成Al-Ns键。对比两种粒子在理想和NH2覆盖表面的吸附能,发现在理想表面DMAlNH2的吸附能大于MMAl,即DMAlNH2优先吸附;在NH2覆盖表面,MMAl的吸附能明显大于DMAlNH2,即MMAl优先吸附。

论文目录

• 1 引言
• 2 计算模型
• 3 结果与讨论
•   3.1 理想Al N （0001） -Al面吸附
•   3.2 NH2覆盖Al N （0001） -Al面吸附
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 牛楠楠,左然

关键词: 密度泛函理论,表面反应

来源: 人工晶体学报 2019年07期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 化学,无线电电子学

单位: 江苏大学能源与动力工程学院

基金: 国家自然科学基金(61474058)

分类号: O647.3;TN304

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.07.014

页码: 1268-1274

总页数: 7

文件大小: 385K

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