碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展

论文摘要

SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究。本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望。

论文目录

• 0 引言
• 1 SiC单晶材料中残余应力的来源
•   1.1 内部因素
•   1.2 外部因素
• 2 单晶材料残余应力检测技术
•   2.1 光弹性法
•   2.2 X射线衍射法
•     2.2.1 Imura方法
•     2.2.2 Ortner方法
•     2.2.3 多重线性回归方法
•   2.3 中子衍射法
•   2.4 微拉曼光谱法
•   2.5 其他残余应力检测技术
• 3 结语与展望

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 邓亚,张宇民,周玉锋,王伟

关键词: 碳化硅单晶材料,残余应力,光弹性法,射线衍射法,微拉曼光谱法

来源: 材料导报 2019年S2期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所

分类号: TB302

页码: 206-209

总页数: 4

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