SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能

论文摘要

SiC一维纳米材料,具有良好的电子迁移率、稳定性和可制备性,是下一代重要的场发射阴极材料。通过对近年来SiC一维材料制备的研究,发现SiC的主要结构是纳米线/纳米棒、纳米管和纳米阵列,同时提高SiC场发射性能主要通过三种方式:降低微结构顶端的直径、增加发射点的密度、加入元素进行掺杂。

论文目录

• 1 纳米线/棒
• 2 纳米管
• 3 一维SiC纳米阵列
• 4 总结

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 谷雨,张玉旗,庞世发,陈明良

关键词: 场发射,纳米,一维材料

来源: 化工设计通讯 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工,材料科学

单位: 青岛科技大学机电工程学院

分类号: TB383.1;TQ163.4

页码: 44+60

总页数: 2

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