碳化硅过渡热沉对C-mount封装激光器散热的影响

论文摘要

为了改善半导体激光器的散热性能,在C-mount封装的基础上添加了高热导率碳化硅（silicon carbide,SiC）材料作为过渡热沉。通过有限元分析的方式获得最优SiC结构参数:厚度为0.4 mm,高度为1.9 mm,宽度为6.35 mm。选取波长为808 nm、功率为10 W、腔长为1.5 mm的芯片并对其进行封装,对设计结果进行理论热模拟及实验测试。通过实验测试验证了仿真模拟结果,实验结果为:激光器热阻、输出功率、电光转换效率分别为4.08℃/W、17.8 W、61.5%。验证了SiC结构参数设计的可行性,相比传统激光器热而言,本文设计方案使半导体激光器的热阻降低了0.49℃/W、功率与电光转化效率提高了10%。

论文目录

• 1 热沉模型建立
•   1.1 半导体激光器产热机制
•   1.2 SiC过渡热沉建立
• 2 模拟结果分析
• 3 实验测试
•   3.1 实验条件
•   3.2 光谱特性
•   3.3 电光特性
• 4 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 吴胤禛,柳祎,高全宝,冯源,晏长岭,李洋,刘国军

关键词: 激光器,碳化硅,热阻,结温,热沉

来源: 中国科技论文 2019年12期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学,信息科技

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

基金: 装备预研基金重点项目(61404140103),吉林省科技厅资助项目(20160101254JC)

分类号: TN248.4

页码: 1362-1368

总页数: 7

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