热型ALD技术制备镍薄膜及其金属硅化物

论文摘要

金属硅化物材料具有较低的接触电阻,并且与硅材料有较好的兼容性,所以在互补金属氧化物半导体（CMOS）器件中被看作是重要的电极材料。形成镍金属硅化物的关键是镍金属单质的淀积工艺。如何在大深宽比纳米尺度的三维结构中沉积保形性好、纯度高、导电性好的镍金属单质薄膜是亟需解决的问题。利用热法原子层沉积（ALD）技术,以一种新型脒基镍前驱体[Ni（iPr-MeAMD）]2,在深宽比为10:1的硅基底沟槽中沉积得到纯度高、保形性好、连续平滑的镍薄膜。对薄膜进行了X射线衍射（XRD）测试,为单一的α六方晶体结构。考察了不同退火温度下镍金属硅化物的形成,利用扫描电子显微镜（SEM）、能量色散谱（EDS）和XRD进行了物相相变的分析。退火温度400℃下得到NiSi相,其薄膜电阻率最低,约为34μΩ·cm。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
•   1.1 样品制备
•   1.2 样品表征
• 2 结果和讨论
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 乌李瑛,瞿敏妮,沈贇靓,王英,程秀兰

关键词: 镍薄膜,原子层沉积,沉积速率,金属硅化物,互补金属氧化物半导体

来源: 微纳电子技术 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台

基金: 国家科技部“十三五”高性能计算重点研发计划项目子课题(2016YFB0200205),2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400)

分类号: TQ138.13

DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.06.011

页码: 486-492

总页数: 7

文件大小: 1771K

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