基于GaN器件的PFC设计

论文摘要

针对氮化镓GaN（gallium nitride）功率晶体管在AC-DC变换器当中的应用进行设计。首先,在了解GaN器件的基本特性后,通过LTspice仿真软件搭建了PFC电路,分析了GaN寄生参数对驱动电路的影响,得出的结果对PFC的PCB布局有明显的帮助,应尽量减小驱动器与GaN器件之间的距离,从而达到降低寄生电感的作用;然后,对高频Boost PFC电路进行了分析以及电感和电容的设计;最后,通过仿真验证了设计的正确性,并以UC3854为控制器搭建了1台2.5 kW 500 kHz的高功率密度PFC样机,测得的驱动波形稳定。

论文目录

• 1 GaN特性分析
•   1.1 GaN基本结构
•   1.2 寄生参数的影响
• 2 PFC电路分析与设计
•   2.1 Boost PFC电路工作原理分析
•   2.2 主电路设计
• 3 仿真与实验验证
• 4 结语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 张卫平,焦探,刘元超

关键词: 晶体管,整流器,高频,高功率密度

来源: 电源学报 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 北方工业大学节能照明电源集成与制造北京市重点实验室

分类号: TM46

DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.78

页码: 78-82

总页数: 5

文件大小: 766K

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