ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

论文摘要

对ITO靶材的直流磁控溅射工艺进行研究,通过正交试验方法确定制备ITO薄膜的最优工艺参数,并明确了溅射温度、氧氩比、溅射气压和溅射功率密度对ITO薄膜电阻率和可见光透过率的影响规律。最优工艺参数为溅射温度370℃,氧氩比0.5/40,溅射气压0.4 Pa,溅射功率密度0.17 W/cm~2。薄膜电阻率受各因素影响的主次顺序是:氧氩比>溅射温度>溅射气压>溅射功率密度。薄膜可见光透过率受各因素影响的主次顺序为:溅射温度>溅射气压>氧氩比>溅射功率密度。

论文目录

• 1 试验方法
• 2 试验结果及分析
•   2.1 正交试验结果
•   2.2 试验数据处理
•   2.3 试验结果分析
•   2.4 确定工艺参数
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 崔晓芳,吴晓飞,郗雨林

关键词: 靶材,薄膜,直流磁控溅射

来源: 材料开发与应用 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 中国船舶重工集团公司第七二五研究所

分类号: TB383.2

DOI: 10.19515/j.cnki.1003-1545.2019.06.007

页码: 35-39

总页数: 5

文件大小: 767K

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