顾及粗差影响的全球电离层克里金插值及精度分析

论文摘要

针对克里格电离层插值方法受粗差数据影响和全球适用性问题,基于克里金插值的变异函数,构造电离层插值的粗差剔除统计量,实现插值过程自动化粗差剔除。采用全球电离层总电子含量格网产品进行试验验证,得出以下结论:①粗差剔除统计量能有效剔除粗差,保证插值精度与样本精度相当;②基于2014年太阳活动高年样本,克里金插值的精度RMS为1.0～5.0 TECU(total electron content unit)。

论文目录

• 1 Kriging插值原理
•   1.1 区域化变量
•   1.2 变异函数
•   1.3 解算方法
• 2 粗差剔除统计量
•   2.1 构造统计量
•   2.2 精度分析
• 3 试验分析
•   3.1 试验数据及方案
•     （1） 粗差剔除统计量验证。
•     （2） 全球插值精度分析。
•   3.2 粗差剔除统计量验证
•     3.2.1 10°×15°插值试验
•     3.2.2 20°×20°插值试验
•     3.2.3 对比分析
•   3.3 全球插值精度分析
• 4 总 结

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 朱永兴,谭述森,杜兰,贾小林

关键词: 克里金插值,总电子含量,全球插值,粗差剔除,精度分析

来源: 测绘学报 2019年07期

年度: 2019

分类: 基础科学

专业: 自然地理学和测绘学

单位: 信息工程大学,地理信息工程国家重点实验室,西安测绘研究所,北京卫星导航中心

基金: 国家重点研发计划(2016YFB0501900),国家自然科学基金(41574013,41604024,41674012,41704035,41874041)~~

分类号: P228.4

页码: 840-848

总页数: 9

文件大小: 1782K

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