SiO2疏松体高温脱羟过程数值模拟

论文摘要

建立了SiO2疏松体高温脱羟及烧结过程的多物理场耦合模型,综合考虑了脱羟化学反应、多孔介质传热传质、孔隙率变化等复杂的物理现象,通过与实验数据对比验证了模型的可靠性。通过模拟分析了SiO2疏松体脱羟过程的热质输运规律,详细探究了主要参数,如温度分布、孔隙率、羟基及水蒸气含量、羟基分布等的变化特征。基于模拟结果,研究了脱羟过程升温曲线对最终羟基含量及分布的影响,发现随着脱羟时间的延长,最终的羟基含量降低且羟基分布的均匀性增加。已有结论可为实际工业生产中确定脱羟工艺提供理论指导。

论文目录

• 1 模型描述
• 2 数值模型
•   2.1 控制方程
•     2.1.1 化学反应
•     2.1.2 多孔介质物质传递
•     2.1.3 能量方程
•   2.2 初始及边界条件
• 3 结果与分析
•   3.1 模拟结果验证

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 张国君,马千里,欧阳葆华,方海生,王韬

关键词: 传热传质,疏松体,数值模拟,羟基,多孔介质

来源: 玻璃与搪瓷 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 湖北菲利华石英玻璃股份有限公司,华中科技大学能源与动力工程学院

基金: 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0303802,2016YFB0303801)

分类号: TQ171.731

DOI: 10.13588/j.cnki.g.e.1000-2871.2019.06.002

页码: 7-11

总页数: 5

文件大小: 1200K

下载量: 44