衬底温度对脉冲激光沉积多晶锗薄膜的影响

论文摘要

以p型单晶硅为衬底基板,在不同衬底温度下,采用脉冲激光沉积法结合退火处理,制备了多晶锗薄膜。利用包括拉曼光谱仪和椭圆偏振仪等各种测试方法,对薄膜的形貌和微观结构进行了分析表征。结果表明,不同衬底温度下制备的锗薄膜的形貌结构有明显不同。当硅衬底的温度为300℃时,锗薄膜已经完全晶化,是结晶质量良好的多晶锗薄膜,拉曼峰谱位于297cm-1处,晶体取向为（111）,（220）,（311）。而衬底温度低于100℃时,获得的是非晶锗薄膜,只有经过450℃以上的退火处理后,才转化为多晶锗薄膜,拉曼光谱位于298.2cm-1处,半高宽9.5cm-1,是具有（111）择优取向的多晶锗膜。

论文目录

• 1 前 言
• 2 实 验
• 3 结果与讨论
•   3.1 衬底温度对锗薄膜表面形貌的影响
•   3.2 衬底温度对锗薄膜沉积速率的影响
•   3.3 衬底温度对锗薄膜结构的影响
•   3.4 退火处理对锗薄膜结构的影响
• 4 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李俊丽,周建,刘桂珍

关键词: 脉冲激光沉积,多晶锗,退火处理

来源: 材料科学与工程学报 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室

基金: 湖北省科技支撑计划资助项目(2013BKB006),中山市重大科技专项资助项目(2014A2FC222)

分类号: TB383.2

DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.06.003

页码: 871-875+966

总页数: 6

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