全文摘要
本实用新型提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：待封芯片，所述待封芯片包括衬底及位于衬底之上的金属化层，其中，所述待封芯片上表面带有对位标记；塑封层，形成于所述待封芯片上表面，所述塑封层包括位于所述待封芯片上表面，与所述金属化层电性连接的金属柱、位于所述对位标记外围的半密封空腔以及包覆所述金属柱及半密封空腔的塑封料层；重新布线层，位于所述塑封层上表面，所述重新布线层包括电介质层和位于电介质层之上的金属线层。通过引入可以保护对位标记不被污染的半密封空腔，能够在塑封后，不用其他额外工艺，就可以直接暴露出对位标记，对于后续制程提供精确的定位。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920667688.7
申请日:2019-05-10
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:32(江苏)
授权编号:CN209880544U
授权时间:20191231
主分类号:H01L21/56
专利分类号:H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
范畴分类:38F;
申请人:中芯长电半导体（江阴）有限公司
第一申请人:中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址:214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
发明人:吕娇;陈彦亨;吴政达;林正忠
第一发明人:吕娇
当前权利人:中芯长电半导体（江阴）有限公司
代理人:余明伟
代理机构:31219
代理机构编号:上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计