一种抗硫化厚膜晶片电阻论文和设计-田仁忠

全文摘要

本实用新型属于晶片电阻技术领域,尤其涉及一种抗硫化厚膜晶片电阻,包括晶片电阻本体和字码层,所述晶片电阻本体的正面喷涂有字码层,且晶片电阻本体包括陶瓷基板,所述陶瓷基板的顶部和底部分别印刷有正面电极和背面电极,且陶瓷基板顶端的中部印刷有电阻基体,所述正面电极的外部铺设有抗硫化层,所述电阻基体的顶部铺设有玻璃纤维层。该抗硫化厚膜晶片电阻,通过设置抗硫化层,可以在晶片电阻使用的过程中,对晶片电阻本体内部的正面电极和背面电极起到了保护的作用,避免了晶片电阻在有硫存在的环境下因硫化而发生断路的问题,使得电路能够顺畅运行,确保了晶片电阻的性能,从而提高了其准确性和稳定性。

主设计要求

1.一种抗硫化厚膜晶片电阻,其特征在于:包括晶片电阻本体(1)和字码层(2),所述晶片电阻本体(1)的正面喷涂有字码层(2),且晶片电阻本体(1)包括陶瓷基板(11),所述陶瓷基板(11)的顶部和底部分别印刷有正面电极(12)和背面电极(13),且陶瓷基板(11)顶端的中部印刷有电阻基体(14),所述正面电极(12)的外部铺设有抗硫化层(15),所述电阻基体(14)的顶部铺设有玻璃纤维层(16),所述玻璃纤维层(16)的顶部铺设有树脂层(17),所述陶瓷基板(11)的外部设置有保护层(18),所述保护层(18)的顶部喷涂有字码层(2);所述正面电极(12)的一侧与电阻基体(14)的侧面相接触,且正面电极(12)与背面电极(13)的数量相等,所述正面电极(12)与背面电极(13)的外部均铺设有抗硫化层(15)。

设计方案

1.一种抗硫化厚膜晶片电阻,其特征在于:包括晶片电阻本体(1)和字码层(2),所述晶片电阻本体(1)的正面喷涂有字码层(2),且晶片电阻本体(1)包括陶瓷基板(11),所述陶瓷基板(11)的顶部和底部分别印刷有正面电极(12)和背面电极(13),且陶瓷基板(11)顶端的中部印刷有电阻基体(14),所述正面电极(12)的外部铺设有抗硫化层(15),所述电阻基体(14)的顶部铺设有玻璃纤维层(16),所述玻璃纤维层(16)的顶部铺设有树脂层(17),所述陶瓷基板(11)的外部设置有保护层(18),所述保护层(18)的顶部喷涂有字码层(2);

所述正面电极(12)的一侧与电阻基体(14)的侧面相接触,且正面电极(12)与背面电极(13)的数量相等,所述正面电极(12)与背面电极(13)的外部均铺设有抗硫化层(15)。

2.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻,其特征在于:所述抗硫化层(15)的材质为铁铝合金,且抗硫化层(15)的外部与保护层(18)的内部相接触。

3.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻,其特征在于:所述树脂层(17)位于保护层(18)的内部,且树脂层(17)的厚度值大于玻璃纤维层(16)的厚度值。

4.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻,其特征在于:所述保护层(18)包括第一保护层(a)和第二保护层(b),所述第一保护层(a)与抗硫化层(15)和陶瓷基板(11)的侧面相接触,且第一保护层(a)的外部铺设有第二保护层(b),所述第二保护层(b)的材质为锡金属。

5.根据权利要求4所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻,其特征在于:所述第一保护层(a)与第二保护层(b)的厚度值相同,且第一保护层(a)的材质为镍金属。

设计说明书

技术领域

本实用新型属于晶片电阻技术领域,具体涉及一种抗硫化厚膜晶片电阻。

背景技术

晶片电阻又称电子被动元件,通常以银作为电阻两端的电极,但是,在有硫存在的环境下,由于目前银电极表面的保护层不能很好的起到保护作用,容易使得银与硫接触生成硫化银,从而发生电阻断路的问题,严重影响了晶片电阻的性能,降低了其准确性和稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种抗硫化厚膜晶片电阻,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种抗硫化厚膜晶片电阻,包括晶片电阻本体和字码层,所述晶片电阻本体的正面喷涂有字码层,且晶片电阻本体包括陶瓷基板,所述陶瓷基板的顶部和底部分别印刷有正面电极和背面电极,且陶瓷基板顶端的中部印刷有电阻基体,所述正面电极的外部铺设有抗硫化层,所述电阻基体的顶部铺设有玻璃纤维层,所述玻璃纤维层的顶部铺设有树脂层,所述陶瓷基板的外部设置有保护层,所述保护层的顶部喷涂有字码层,所述正面电极的一侧与电阻基体的侧面相接触,且正面电极与背面电极的数量相等,所述正面电极与背面电极的外部均铺设有抗硫化层。

优选的,所述抗硫化层的材质为铁铝合金,且抗硫化层的外部与保护层的内部相接触。

优选的,所述树脂层位于保护层的内部,且树脂层的厚度值大于玻璃纤维层的厚度值。

优选的,所述保护层包括第一保护层和第二保护层,所述第一保护层与抗硫化层和陶瓷基板的侧面相接触,且第一保护层的外部铺设有第二保护层,所述第二保护层的材质为锡金属。

优选的,所述第一保护层与第二保护层的厚度值相同,且第一保护层的材质为镍金属。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、该抗硫化厚膜晶片电阻,通过设置抗硫化层,可以在晶片电阻使用的过程中,对晶片电阻本体内部的正面电极和背面电极起到了保护的作用,避免了晶片电阻在有硫存在的环境下因硫化而发生断路的问题,使得电路能够顺畅运行,确保了晶片电阻的性能,从而提高了其准确性和稳定性。

2、该抗硫化厚膜晶片电阻,通过设置玻璃纤维层和树脂层,可以在晶片电阻使用的过程中,对电阻基体起到了保护的作用,避免了电阻基体因外部因素的影响而发生损坏的问题,从而提高了电阻基体的使用寿命,确保了晶片电阻能够正常平稳的运行。

附图说明

图1为本实用新型结构的正面示意图;

图2为本实用新型结构的侧面剖视图。

图中:1、晶片电阻本体;11、陶瓷基板;12、正面电极;13、背面电极; 14、电阻基体;15、抗硫化层;16、玻璃纤维层;17、树脂层;18、保护层; a、第一保护层;b、第二保护层;2、字码层。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型做进一步的描述。

以下实施例用于说明本实用新型,但不能用来限制本实用新型的保护范围。实施例中的条件可以根据具体条件做进一步的调整,在本实用新型的构思前提下对本实用新型的方法简单改进都属于本实用新型要求保护的范围。

请参阅图1-2,本实用新型提供一种技术方案:一种抗硫化厚膜晶片电阻,包括晶片电阻本体1和字码层2,晶片电阻本体1的正面喷涂有字码层2,且晶片电阻本体1包括陶瓷基板11,陶瓷基板11的顶部和底部分别印刷有正面电极12和背面电极13,且陶瓷基板11顶端的中部印刷有电阻基体14,正面电极12的外部铺设有抗硫化层15,电阻基体14的顶部铺设有玻璃纤维层16,玻璃纤维层16的顶部铺设有树脂层17,陶瓷基板11的外部设置有保护层18,保护层18的顶部喷涂有字码层2。

其中,正面电极12的一侧与电阻基体14的侧面相接触,且正面电极12 与背面电极13的数量相等,正面电极12与背面电极13的外部均铺设有抗硫化层15,确保了正面电极12与电阻基体14能够牢固接触,从而保证了晶片电阻能够正常的通电工作,避免了晶片电阻出现接触不良的现象。

其中,抗硫化层15的材质为铁铝合金,且抗硫化层15的外部与保护层 18的内部相接触,可以在晶片电阻使用的过程中,对正面电极12与背面电极 13起到了保护的作用,避免了正面电极12与背面电极13因硫化而导致晶片电阻发生断路的问题。

其中,树脂层17位于保护层18的内部,且树脂层17的厚度值大于玻璃纤维层16的厚度值,可以在晶片电阻使用的过程中,对电阻基体14起到了保护的作用,避免了电阻基体14因氧化而发生损坏的问题。

其中,保护层18包括第一保护层a和第二保护层b,第一保护层a与抗硫化层15和陶瓷基板11的侧面相接触,且第一保护层a的外部铺设有第二保护层b,第二保护层b的材质为锡金属,可以在晶片电阻使用的过程中,对晶片电阻的外部进行保护。

其中,第一保护层a与第二保护层b的厚度值相同,且第一保护层a的材质为镍金属,可以通过第一保护层a和第二保护层b的设置,可以对晶片电阻的外部进行两次保护,从而提高了该保护层18的保护效果。

本实用新型的工作原理及使用流程:首先在陶瓷基板11的顶部和底部分别印刷正面电极12与背面电极13,再在正面电极12与背面电极13的外部分别印刷抗硫化层15,可以对晶片电阻本体内部的正面电极12和背面电极13 起到了保护的作用,避免了晶片电阻在有硫存在的环境下因硫化而发生断路的问题,使得电路能够顺畅运行,确保了晶片电阻的性能,从而提高了其准确性和稳定性,接着在陶瓷基板11顶端的中部印刷电阻基体14,并在电阻基体14的顶部依次涂布玻璃纤维层16和树脂层17,从而对电阻基体14起到了保护的作用,避免了电阻基体14因外部因素的影响而发生损坏的问题,从而提高了电阻基体14的使用寿命,确保了晶片电阻能够正常平稳的运行,最后在陶瓷基板11的外部涂布保护层18,可以在晶片电阻使用的过程中,对晶片电阻的外部进行保护。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

设计图

一种抗硫化厚膜晶片电阻论文和设计

相关信息详情

申请码:申请号:CN201920044742.2

申请日:2019-01-11

公开号:公开日:国家:CN

国家/省市:36(江西)

授权编号:CN209249221U

授权时间:20190813

主分类号:H01C 1/032

专利分类号:H01C1/032;H01C1/142;H01C1/04;H01C7/00

范畴分类:38B;

申请人:江西昶龙科技有限公司

第一申请人:江西昶龙科技有限公司

申请人地址:332000 江西省九江市柴桑区沙城工业园(九江庆辉实业有限公司内)

发明人:田仁忠;贾碧溪;徐教文

第一发明人:田仁忠

当前权利人:江西昶龙科技有限公司

代理人:文珊

代理机构:36129

代理机构编号:南昌赣专知识产权代理有限公司

优先权:关键词:当前状态:审核中

类型名称:外观设计

标签:;  ;  ;  

一种抗硫化厚膜晶片电阻论文和设计-田仁忠
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