论文摘要
通过远红外吸收谱、光致发光光谱和拉曼散射光谱,对均匀掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁进行了研究.实验中使用的GaAs:Be样品是通过分子束外延设备,生长在半绝缘（100） GaAs衬底之上的外延单层.在4.2 K温度下,对样品分别进行了远红外吸收光谱、光致发光光谱、Raman光谱的实验测量.在远红外吸收光谱中,清楚地观察到了从Be受主1S3/2Γ8基态到它的三个激发态2P3/2Γ8, 2P5/2Γ8和2P5/2Γ7之间的奇宇称跃迁吸收峰.跃迁能量与先前文献中报道的符合得很好.从光致发光光谱中,观察到了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态的两空穴跃迁的发光峰,从而间接地找到了两能级之间的跃迁能量.在Raman光谱中,清楚地分辨出来了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态偶宇称跃迁的拉曼散射峰,直接得到了两能级间的跃迁能量.对比发现,分别直接和间接得到的1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态跃迁能量结果是一致的.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳,李斌,宋迎新
关键词: 远红外吸收谱,光谱,光致发光光谱,受主能态结构
来源: 物理学报 2019年18期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 山东大学(威海)空间科学与物理学院,山东大学化学与化学工程学院,山东大学(威海)信息工程学院,中国科学院上海技术物理研究所,济南市半导体元件实验所
基金: 山东省自然科学基金(批准号:ZR2017MF018),国家自然科学基金(批准号:61675223)资助的课题~~
分类号: O614.371
页码: 262-267
总页数: 6
文件大小: 65094K
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