电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响

论文摘要

采用光电化学刻蚀方法,在电阻率为4～5 kΩ·cm的n-型[100]单晶硅片上制备了厚壁有序宏孔硅阵列。通过对比有限元法模拟诱导坑周围的电场分布,研究了刻蚀参数（电解液、光照、电压）对阵列表面形貌的影响。在刻蚀成孔的过程中,诱导坑对孔的限制受电场分布和实验条件的共同影响,出现刻蚀偏离的现象。模拟结果显示,诱导坑上的电场强度沿着单晶硅的[100]和[110]晶向的分布。这种分布的结果是,随着光照强度的提高和刻蚀溶液表面自由能的降低刻蚀由原光刻图形的（110）面向（100）面偏离。提高刻蚀电压可抑制刻蚀偏离,有利于诱导坑快速刻蚀成孔,从而形成规整的厚壁宏孔硅阵列。

论文目录

• 1 实验方法
•   1.1 实验用材料
•   1.2 n-型宏孔硅的制备
•   1.3 诱导坑的模拟
• 2 结果和讨论
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 安欢,伍建春,张仲,王欢,孙华,展长勇,邹宇

关键词: 无机非金属材料,宏孔硅阵列,光电化学刻蚀法,表面形貌,多物理场仿真软件

来源: 材料研究学报 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室,苏州大学物理学院

基金: 国家自然科学基金(11405111)~~

分类号: O613.72

页码: 177-184

总页数: 8

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