导读:本文包含了同步辐射白光形貌术论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:形貌,晶体,微管,小角,碳化硅,应力,残余。
同步辐射白光形貌术论文文献综述
胡小波[1]（2015）在《基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究》一文中研究指出[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。(本文来源于《广西科学》期刊2015年05期）
宋生,崔潆心,杨昆,徐现刚,胡小波[2]（2013）在《同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力》一文中研究指出提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程。结果表明该样品的残余应力以正应力为主。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2013年12期）
姜守振,黄先荣,胡小波,李娟,陈秀芳[3]（2006）在《同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管》一文中研究指出利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好。据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小。(本文来源于《功能材料》期刊2006年12期）
李现祥,董捷,胡小波,李娟,姜守振[4]（2006）在《同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构》一文中研究指出采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较。鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长。(本文来源于《功能材料》期刊2006年04期）
饶晓方,张学峰,黄万霞[5]（2004）在《LiTaO_3晶体同步辐射白光形貌术的完整性研究》一文中研究指出钽酸锂晶体(LiTaO3)是一种典型的非化学计量比晶体,通常使用的同成分LiTaO3的n(Li)∶n(Ta)约为48.6∶51.3.从同成分熔体中提拉生长同成分LiTaO3,采用同步辐射白光形貌术对同成分LiTaO3的完整性进行分析,结果表明:同成分LiTaO3中存在较多的小角晶界.讨论了小角晶界在晶体中的分布,分析了其形成原因和改进方法;同时采用同步辐射白光形貌术进一步观察到同成分LiTaO3中组分不均匀,采用DTA(差热分析法)分析组分不均匀区域,结果显示组分不均匀区域的Curie(居里)温度不同,这表明晶体中Li+分布不均匀.(本文来源于《宁夏工程技术》期刊2004年04期）
丁嘉瑄,徐家跃,肖敬忠,田玉莲,朱佩平[6]（2004）在《应用同步辐射白光形貌术研究Nd:SGG晶体的缺陷》一文中研究指出应用同步辐射X射线形貌术对坩埚下降法生长的Nd:SGG晶体的缺陷进行了研究。观察到该晶体中存在较为明显的镶嵌结构晶界缺陷和位错缺陷,并分析了上述缺陷的形成原因。对提高Nd:SGG晶体质量、改进生长工艺具有一定的参考价值。(本文来源于《核技术》期刊2004年07期）
胡小波,魏景谦,王继扬,刘宏,崔伟红[7]（2000）在《同步辐射白光形貌术表征RbTiOAsO_4晶体中的生长缺陷》一文中研究指出KTiOPO4(KTP)是着名的非线性光学晶体 ,它有许多优良的物理性质 ,如 :高非线性光学系数 ,宽光学透明范围 ,高激光损伤阈值。因此KTP晶体十分适合于制作小型蓝绿激光器和光参量振荡器。最近一些研究者试图把KTP晶体的应用范围扩大到中红外波段的光参量振荡器 ,但KTP晶体在 4.3μm和 3.5 μm处的光吸收严重降低振荡器的输出功率。对比之下 ,RbTiOAsO4(RTA)晶体在 3～ 5 μm波段无任何光吸收。从这个意义上来说 ,RTA晶体是制作红外光参量振荡器的理想材料。在这里我们主要报道利用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法检测RTA晶体中缺陷的一些结果。为了解籽晶对晶体生长质量的影响 ,采用同步辐射白光形貌观察一片包含籽晶在内的( 0 0 1 )晶片。结果表明 :生长扇界是该晶片中的主要缺陷 ,它在形貌像中显示很强的X射线运动学衬度 ,而生长条纹的衬度很弱。此外 ,一些位错在籽晶的成帽区和生长扇界上成核。大部分位错沿 [1 0 0 ]方向 ,根据位错在不同衍射形貌像中的衬度 ,其Burgers矢量被确定为 [0 0 1 ],因此位错具有典型的刃型特征。从能量角度考虑 :Burgers矢量沿 [0 0 1 ]方向 ,位错线具有较低的能量 ,因为该方向的矢量长度要低于 [1 0 0 ]和 [0 1 0 ]方向。( 1 0 0 )晶片远离籽晶 ,该晶片几乎是无位错的 ,但(本文来源于《人工晶体学报》期刊2000年S1期）
魏景谦,胡小波,王继扬,尹鑫,郭明[8]（2000）在《同步辐射白光形貌术观察LiTaO_3晶体中的小角晶界》一文中研究指出同步辐射白光形貌术观察LiTaO_3晶体中的小角晶界@魏景谦$山东大学晶体材料国家重点实验室!济南250100@胡小波$山东大学晶体材料国家重点实验室!济南250100@王继扬$山东大学晶体材料国家重点实验室!济南250100@尹鑫$山东大学晶体材料国家(本文来源于《人工晶体学报》期刊2000年S1期）
郭起志,李兰杰,刘雅静[9]（1995）在《金刚石晶体缺陷的同步辐射白光形貌术研究》一文中研究指出利用同步辐射的荧光分析和白光形貌术对天然金刚石晶体进行了观察与分析．结果发现，金刚石晶体中存在有多种杂质元素和许多微缺陷，如位错、亚结构和孪晶界等．本文重点分析位错的类型及其特征量，并对实验结果进行了讨论．(本文来源于《东北大学学报》期刊1995年04期）
胡正伟,蒋树声,冯端,王继扬,管庆才[10]（1994）在《KTa＿（1－x）Nb＿xO＿3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究》一文中研究指出利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论．(本文来源于《物理学报》期刊1994年12期）
同步辐射白光形貌术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程。结果表明该样品的残余应力以正应力为主。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
同步辐射白光形貌术论文参考文献
[1].胡小波.基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究[J].广西科学.2015
[2].宋生,崔潆心,杨昆,徐现刚,胡小波.同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力[J].人工晶体学报.2013
[3].姜守振,黄先荣,胡小波,李娟,陈秀芳.同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管[J].功能材料.2006
[4].李现祥,董捷,胡小波,李娟,姜守振.同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构[J].功能材料.2006
[5].饶晓方,张学峰,黄万霞.LiTaO_3晶体同步辐射白光形貌术的完整性研究[J].宁夏工程技术.2004
[6].丁嘉瑄,徐家跃,肖敬忠,田玉莲,朱佩平.应用同步辐射白光形貌术研究Nd:SGG晶体的缺陷[J].核技术.2004
[7].胡小波,魏景谦,王继扬,刘宏,崔伟红.同步辐射白光形貌术表征RbTiOAsO_4晶体中的生长缺陷[J].人工晶体学报.2000
[8].魏景谦,胡小波,王继扬,尹鑫,郭明.同步辐射白光形貌术观察LiTaO_3晶体中的小角晶界[J].人工晶体学报.2000
[9].郭起志,李兰杰,刘雅静.金刚石晶体缺陷的同步辐射白光形貌术研究[J].东北大学学报.1995
[10].胡正伟,蒋树声,冯端,王继扬,管庆才.KTa＿（1－x）Nb＿xO＿3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究[J].物理学报.1994
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