导读:本文包含了基压敏陶瓷论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:陶瓷,性能,微结构,结构,压敏电阻,电学,稀土。
基压敏陶瓷论文文献综述
程丽红,艾建平,李国荣,郑嘹赢[1]（2016）在《800℃-950℃区间内烧结制度对ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷显微结构与电性能的影响》一文中研究指出采用传统电子陶瓷的制备工艺,制备了相同Bi_2O_3含量、Sb_2O_3/Bi_2O_3比分别为0.25、0.50的ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷,研究在800℃-950℃区间内一步烧结与两步烧结制度对陶瓷的显微结构与电性能的影响。显微结构分析表明,烧结过程中足够的Bi_2O_3液相有利于烧结,而且能够促进晶粒内含反演边界(Inversion Boundary)的ZnO晶粒的长大。烧成的样品具有发育良好的显微结构:高的致密度、均匀的含Bi第二相分布以及粒径,而且电性能良好:压敏电压300-700V/mm,非线性系数25-30,漏电流低于1μA。Sb2O3含量较高的样品,晶粒尺寸较小,压敏电压和非线性系数较大,漏电流较小。研究还发现,ZnO晶粒尺寸以受两步烧结制度里占主要的烧结过程的影响为主。所有的研究结果表明:与传统的1000℃以上烧结相比,合理的配方是保证在800℃-950℃区间内烧结获得综合性能良好的压敏陶瓷样品的关键。(本文来源于《第十九届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2016-10-11）
姚园林,李慧琴,韩晓星[2]（2016）在《稀土掺杂ZnVO基压敏陶瓷的研究进展》一文中研究指出采用现代材料分析手段,从物相、显微组织相貌以及电性能方面综述了稀土掺杂ZnVO基压敏陶瓷发展现状及第二相和显微组织优化作用方面的研究现状,分析了稀土掺杂对ZnVO基压敏陶瓷生成ReVO4新相对ZnO晶粒的抑制作用及对ZnO晶粒的电性能的改进,展望未来这一领域的发展方向。(本文来源于《金属功能材料》期刊2016年04期）
巩云云[3]（2016）在《TiO_2基压敏陶瓷的制备及其掺杂改性研究》一文中研究指出TiO_2基压敏陶瓷同时具备电容-压敏双功能特性。低的压敏电压,高的介电常数加之简单的制备工艺,使它成为低压领域中发展前景较好的一种压敏电阻材料。但TiO_2压敏陶瓷仍存在一些问题如小的非线性系数等,限制了它在工业上的应用。本论文通过添加施主物质,受主物质以及烧结助剂来提高其非线性系数并改善其综合电学性能。主要内容及结论如下:1.研究了低温烧结时,施主物质Ta2O5对TiO_2基压敏陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明:Ta2O5的掺杂在体系中引入了第二相Bi2Ti2O7。掺杂一定量的Ta2O5能提高晶粒电导率,利于晶界势垒的形成,从而使TiO_2压敏陶瓷的非线性系数增加,改善材料压敏性能。当Ta2O5的加入量达到0.5 mol%时,材料具有最优的压敏性能:压敏场强为14.9 V/mm、非线性系数为4.48、介电常数为9.68×104、介电损耗为0.36。2.研究了MnO_2对TiO_2基压敏陶瓷的影响。对微观形貌进行分析发现,掺杂一定量的MnO_2能够促进晶粒的生长,但不同含量MnO_2对晶粒尺寸均匀性的影响不同。TiO_2基压敏陶瓷的电学性能也受MnO_2添加量的影响,掺杂适量的MnO_2能增加其界面态密度,从而使晶界势垒高度增加,非线性系数升高。当掺杂的MnO_2含量为0.3 mol%时,材料显微结构比较均匀,综合电性能较优异:压敏场强E1mA=4.95 V/mm、非线性系数α=5.07、介电常数εr=11.09×104、介电损耗tanδ=0.1618。3.研究了Pr_6O_(11)对TiO_2基压敏陶瓷微观结构、压敏性能和介电性能的影响。实验结果显示,Pr_6O_(11)的掺杂在体系中引入了第二相,并且引起了XRD衍射峰向小角度偏移。一定量的Pr_6O_(11)能够促进晶粒的生长,降低材料的压敏电压,增大介电常数,由于Pr的离子半径较大,它倾向于在晶界处发生偏析,从而有效的提高材料晶界势垒高度和非线性系数,当Pr_6O_(11)的掺杂含量达到0.50 mol%时,样品获得最优的电学性能:压敏场强为5.13 V/mm、非线性系数为5.43、介电常数为1.34×105。4.研究了CaCO_3掺杂对TiO_2基压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明,CaCO_3的含量影响着第二相的种类和含量。掺杂一定量的CaCO_3能够促进TiO_2晶粒的长大,从而使材料的压敏场强降低,但同时也使其非线性系数降低,当CaCO_3的掺杂含量为0.50 mol%时,TiO_2压敏陶瓷显示出最好的综合电学性能:压敏场强低至2.07V/mm、相对高的非线性3.35、介电常数高至2.60×105、介电损耗低至0.23。5.研究了烧结助剂Bi_2O_3对TiO_2基压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。烧结助剂Bi_2O_3的掺入降低了材料的烧结温度,而且影响着材料的压敏性能,当掺杂Bi_2O_3的含量为0.10 mol%时,材料显示出较优的综合电性能:低的压敏场强8.70V/mm、高的非线性系数4.93、高的介电常数4.11×104和低的介电损耗0.24,有望实现材料的工业应用价值。(本文来源于《聊城大学》期刊2016-06-01）
康昆勇[4]（2016）在《Ge-GeO_2掺杂TiO_2基压敏陶瓷研究》一文中研究指出随着信息技术的迅速发展,小型化、多功能化、高稳定性成为电子设备发展的必然趋势,作为电路保护元件的压敏电阻器也朝着低压化、多功能化、高可靠性方向发展。TiO2压敏电阻具有大电容、低压敏电压、制备工艺简单、可以在大气中一次直接烧结成具有电容、压敏特性的复合元件等优点,但至今还未解决非线性系数较小的关键问题,难以形成系列化生产,其应用领域受到极大限制。为充分发挥TiO2压敏电阻的优势,满足低压领域和高集成电路对低压压敏电阻的需求,本论文继续探索Ti02压敏电阻的非线性机理,试图采用多组元共掺杂的方法提高其非线性系数和进一步降低其压敏电压。选用Nb2O5、Ta2O5和V205作施主掺杂剂,CaCO3、BaCO3、SrCO3和Y203作受主掺杂剂,通过不添加或添加Ge或Ge02以及同时添加Ge和Ge02,采用传统的球磨-成型-烧结陶瓷生产工艺制备Ti02基压敏陶瓷样品,用XRD分析物相、SEM观察微观结构、EDAX分析元素含量、XPS分析元素化合价和TEM观察晶界结构,详细研究了Ge和Ge02单掺杂和共掺杂对不同施主和受主掺杂TiO2压敏陶瓷的微观结构和压敏性能影响。论文首先选用离子半径与Ti4+比较接近的Nb5+作施主、离子半径较大的Ca2+作受主,使用Nb205和CaCO3为掺杂剂,通过实验研究得到CaCO3压敏陶瓷的最佳掺杂含量、最佳烧结温度和最佳烧结时间,并讨论TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的晶界势垒形成过程。研究表明,TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的最佳掺杂含量为0.5mol%Nb2O5和0.5mol%CaCO3,最佳烧结温度为1400℃,最佳烧结时间为3h,此时非线性系数最大为a=6.6。TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的晶界势垒形成过程是：TiO2内在引起的缺陷(Tii……,VTi,Vo)和Nb2O5、CaCO3掺杂引起的缺陷(NbTi,Ca"Ti)在晶界处形成耗尽层,在晶界处形成影响电子输运的缺陷势垒,使得电子通过隧道效应进行传输,从而产生了压敏电阻的非线性电学性质。以此为基础,通过添加优良半导体单质Ge,研究Ge对TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的影响。研究表明,由于Ge具有较低的熔点,烧结过程中出现液相,使受主离子Ca2+充分偏析在晶界,增大晶界受主态密度Ns；生成物GeO2促进晶粒生长,减小晶界宽度,进一步增加晶界受主态密度Ns,因此提高非线性系数α值。晶粒生长减少单位厚度内晶界数量n,且生成物GeO2也是优良半导体,GeO2固溶在TiO2晶格中提高晶粒半导化程度,因此降低了-CaC03陶瓷的压敏电压EB。当Nb2O5和CaCO3的掺杂浓度分别为0.5mol%, Ge的掺杂浓度为0.1mol%时,TiO2-Nb2O5-CaCO3-Ge压敏陶瓷具有最高的非线性系数(α=10.6)、较低的压敏电压(EB=8.7V·mm-1)和最高的晶界势垒(ΦB=1.73eV)。同时,具有较低熔点的Ge充当烧结助剂,减少烧结温度约100℃,TiO2-Nb2O5-CaCO3-Ge压敏陶瓷最佳烧结温度为1300℃。通过改变施主,论文还研究了Ge对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的影响,得到相似结论。当Ta2O5、CaCO3和Ge的掺杂含量分别是0.2mol%、0.4mol%和0.9mol%时,在1300℃烧结3h的TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷具有高的α(α=10.2)、低的EB(EB=14.1V·mm-1)和高的ΦB(ΦB=0.95eV)。由于GeO2也是熔点较低的优良半导体,论文研究了GeO2掺杂对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的影响。研究表明,GeO2能够促进TiO2-Ta2O5-CaCO3陶瓷晶粒生长、减小晶界宽度、使受主Ca2+尽可能偏析在晶界,增大晶界受主态密度Ns,有益于提高非线性系数α和降低压敏电压Eb。当Ta2O5和CaCO3的掺杂浓度分别为0.2mol%和0.9mol%GeO2时,TiO2-Ta2O5-CaCO3-GeO2压敏陶瓷具有高的非线性系数α(α=9.8)、较低的压敏电压EB(EB=17.2V·mm-1)和高的晶界势垒ΦB(ΦB=0.92eV)添加Ge或GeO2对TiO2基压敏陶瓷都有显着影响且影响机制相似,于是论文进一步研究共掺杂Ge和GeO2如何影响其微结构和压敏性质。通过研究Ge和GeO2共掺杂对TiO2-Ta2O5-CaCO3、TiO2-V2O5-Y2O3、TiO2-Ta2O5-BaCO3和TiO2-Nb2O5-SrCO3等压敏陶瓷压敏性能和微结构的影响,得到以下结论：(1)添加Ge和GeO2,由于Ge和GeO2具有较低熔点,烧结过程中出现液相,为受主离子充分偏析在晶界提供有利条件,增加界面受主态密度Ns和晶界势垒高度ΦB,因此提高非线性系数α值；(2)添加Ge和GeO2,烧结过程中生成GeO, Ge2+由于半径较大偏析在晶界,进一步增加Ns和ΦB,进一步提高α值；(3)GeO2是优良半导体,GeO2溶进TiO2晶格提高了晶粒的半导化程度,因此减小EB。(4)GeO2促进晶粒生长,减小晶界宽度有助于减小势垒宽度XD,同时减少沿样品厚度方向的晶界数量n,从而进一步提高α值和减小压敏电压EB。论文最后选用离子半径和Ti4+十分接近的Ta5+作施主,离子半径和Ti4+相差较大的Ba2+作受主,通过精确测定施主掺杂剂Ta2O5和受主掺杂剂BaCO3的最佳掺杂含量并改进制备工艺,制备出非线性系数最大为α=15.7、压敏电压最小为EB=7.3V·mm-1的TiO2-Ta2O5-BaCO3-Ge-GeO2压敏陶瓷。(本文来源于《昆明理工大学》期刊2016-03-01）
高睿超,彭志坚,符秀丽[5]（2015）在《Fe_2O_3掺杂对TiO_2-Ta_2O_5基压敏陶瓷显微结构和电性能的影响》一文中研究指出采用传统陶瓷工艺制备得到了掺杂不同含量Fe_2O_3(0 mol%~0.1 mol%)的TiO_2-Ta_2O_5基压敏陶瓷,并研究了Fe_2O_3添加量对TiO_2-Ta_2O_5基压敏陶瓷组成和结构的影响。实验结果表明,掺杂的Fe_2O_3可以进入Ti O2晶格中,且在样品中没有观察到第二相。电流-电压(I-V)特性曲线测试表明,TiO_2-Ta_2O_5基压敏陶瓷非线性系数随着Fe_2O_3掺杂量的增加略微下降,从3.9下降到3.6;压敏电压随着Fe_2O_3掺杂量的增加而增大,从23 V/mm增大到229 V/mm。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2015年S1期）
符秀丽,冯海,彭志坚[6]（2015）在《ZrO_2掺杂对ZnO-Pr_6O_(11)基压敏陶瓷显微结构和电性能的影响》一文中研究指出采用传统陶瓷工艺制备了不同ZrO_2含量(0%~2.0%,质量分数)的ZnO-Pr6O11-CoO-Cr_2O_3基压敏陶瓷。这些陶瓷在1300℃下经2 h烧结而成。X-射线衍射分析表明,掺入的ZrO_2在高温下会和Pr6O11反应生成Pr2Zr2O7。扫描电镜观察表明,掺入ZrO_2后ZnO晶粒的生长受到了抑制。由于ZrO_2掺杂,所得压敏电阻的压敏电压逐渐增大,这可能是因为ZnO晶粒减小之故。随着ZrO_2掺杂量的增加,所得压敏电阻的非线性系数先增大后减小,当ZrO_2掺杂量为0.5mol%时,非线性系数最大,达到17,此时的压敏电压为623 V/mm。而在所设计的实验条件下,当ZrO_2掺杂量为2.0 mol%时,压敏电压最高为1490 V/mm,非线性系数为10。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2015年S1期）
赵鸣,王聚云,吴晓亮,张锰,朱师伟[7]（2015）在《MnCO_3和MnO_2对ZnPrO基压敏陶瓷直流老化特性的影响》一文中研究指出采用改进的传统陶瓷工艺,分别制备了无Mn掺杂和0.5%(摩尔分数)Mn CO3或Mn O2取代传统组分中的非Pr稀土Zn Pr O基压敏陶瓷。利用电子天平、扫描电镜、I-V耐压测试仪研究了叁组样品的密度、显微组织形貌、电性能,重点采用高温直流加速老化的方法研究叁组样品的抗直流老化特性。结果显示:Mn CO3或Mn O2掺杂样品的压敏电压、非线性系数分别达到1091 V/mm、30和1396.5 V/mm、31.6,而无Mn掺杂的样品对应的性能参数为5410 V/mm、17.9。老化后,Mn CO3掺杂样品压敏电压和非线性系数基本保持不变;而Mn O2掺杂的分别降低了3.1%和10.7%,两组样品的漏电流变化不大。无Mn掺杂的样品在第叁阶段老化时发生击穿现象。实验结果表明,Mn CO3是一种替代非Pr稀土元素制备具有高抗直流老化特性Zn Pr O基压敏陶瓷的有效掺杂。(本文来源于《稀土》期刊2015年05期）
赵鸣,高静,韩佳[8]（2015）在《ZnO基压敏陶瓷烧结机理研究进展》一文中研究指出ZnO基压敏陶瓷是应用最为广泛的压敏电阻材料。它本质上属于晶界功能特性材料,其性能与烧结过程中液相的形成、传质和物相反应等密切相关。上述烧结机理相关问题是理解ZnO基压敏陶瓷晶界功能特性形成,并进而通过对其烧结过程、显微结构的控制来调控其性能的基础。从主要液相形成元素、对显微形貌有显着控制作用的元素和其它元素影响3方面综述ZnO基压敏陶瓷烧结机理研究领域的最新进展,在此基础上概述研究进展的典型应用,并总结现存的问题,可为本领域及相关领域内研究者提供参考和借鉴。(本文来源于《材料导报》期刊2015年19期）
陈鹏远[9]（2015）在《还原再氧化工艺制备Pr-ZnO基压敏陶瓷》一文中研究指出迭层片式压敏电阻器具有非线性高、响应速度快、通流能力强等优点,在电路中可以起到过电压保护、吸收瞬间电压浪涌等作用。目前迭层片式压敏电阻器采用的内电极主要是贵金属Ag或Ag/Pd合金,使用贵金属不仅制造成本高,另外Ag在高温下容易渗入迭层而恶化压敏性能。而如果采用贱金属作为内电极,由于贱金属在传统的在空气气氛中烧结极易被氧化,影响其导电性。因此,本文通过还原再氧化工艺制备出低电压的压敏陶瓷,即先在保护气氛烧结保护贱金属不被氧化,然后在空气中较低温度下热处理提升压敏性能。这种新的方法为制备迭层片式压敏电阻采用贱金属做电极提供了可能。首先研究了ZnO-Pr6O11-Co2O3-x MnO2材料在N2中烧结特性和电性能,发现N2中烧结后材料失重高、密度低、平均晶粒尺寸小、电阻率低。再氧化后材料可以获得压敏性能,并且在900℃范围内,再氧化温度升高材料的压敏性能持续上升。此外,烧结温度升高,出现由于密度上升而材料难以氧化的现象,最后在1230℃、MnO2掺杂量为0.25 mol%取得最佳压敏性能(压敏场强208 V/mm,非线性系数11,漏电流15.4?A)。液相高温挥发和冷却收缩给材料带来气孔和裂纹,可降低再氧化难度。所以又研究了可带来液相的助烧剂BN对制备工艺的影响,发现BN的最佳掺杂量为1.5mol%,再氧化温度和烧结温度分别降低至850℃和1193℃。850℃可使材料均匀氧化,更高温度氧化压敏性能趋于稳定(压敏场强151 V/mm,非线性系数23,漏流3.7?A)。受液相的作用,烧结温度对晶粒大小和电性能影响大幅提升。最后发现再氧化的作用主要包括:(1)促进晶间相沿晶界分布,(2)晶界富集的氧可使晶界中锌填隙和氧空位的浓度降低,最终提高了势垒高度和材料的压敏性能。(本文来源于《华中科技大学》期刊2015-05-01）
樊少忠,钟黎声,陈哲,李亚平[10]（2015）在《CeO_2掺杂TiO_2基压敏陶瓷的性能研究》一文中研究指出该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响。结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7V/mm,非线性系数为3.8,漏电流为0.1A,且具有优的介电常数和介电损耗。(本文来源于《压电与声光》期刊2015年02期）
基压敏陶瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用现代材料分析手段,从物相、显微组织相貌以及电性能方面综述了稀土掺杂ZnVO基压敏陶瓷发展现状及第二相和显微组织优化作用方面的研究现状,分析了稀土掺杂对ZnVO基压敏陶瓷生成ReVO4新相对ZnO晶粒的抑制作用及对ZnO晶粒的电性能的改进,展望未来这一领域的发展方向。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
基压敏陶瓷论文参考文献
[1].程丽红,艾建平,李国荣,郑嘹赢.800℃-950℃区间内烧结制度对ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷显微结构与电性能的影响[C].第十九届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2016
[2].姚园林,李慧琴,韩晓星.稀土掺杂ZnVO基压敏陶瓷的研究进展[J].金属功能材料.2016
[3].巩云云.TiO_2基压敏陶瓷的制备及其掺杂改性研究[D].聊城大学.2016
[4].康昆勇.Ge-GeO_2掺杂TiO_2基压敏陶瓷研究[D].昆明理工大学.2016
[5].高睿超,彭志坚,符秀丽.Fe_2O_3掺杂对TiO_2-Ta_2O_5基压敏陶瓷显微结构和电性能的影响[J].稀有金属材料与工程.2015
[6].符秀丽,冯海,彭志坚.ZrO_2掺杂对ZnO-Pr_6O_(11)基压敏陶瓷显微结构和电性能的影响[J].稀有金属材料与工程.2015
[7].赵鸣,王聚云,吴晓亮,张锰,朱师伟.MnCO_3和MnO_2对ZnPrO基压敏陶瓷直流老化特性的影响[J].稀土.2015
[8].赵鸣,高静,韩佳.ZnO基压敏陶瓷烧结机理研究进展[J].材料导报.2015
[9].陈鹏远.还原再氧化工艺制备Pr-ZnO基压敏陶瓷[D].华中科技大学.2015
[10].樊少忠,钟黎声,陈哲,李亚平.CeO_2掺杂TiO_2基压敏陶瓷的性能研究[J].压电与声光.2015
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