导读:本文包含了化学气相沉积法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:气相,化学,层状,光谱,石墨,疏水,材料。
化学气相沉积法论文文献综述
张伟,陈小英,马永生,付婉霞,王磊[1]（2019）在《激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用》一文中研究指出为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)_6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究成膜参数对基底损伤的影响,再用高精度的电参数测试仪(EPM)测试不同参数下钨薄膜电阻。控制变量法表明,激光功率或激光束光斑尺寸越大,薄膜基底损伤越大,但电阻率越小,且不沉积薄膜时高功率激光辐射也不会造成基底损伤;激光辐射速度越大,基底损伤越小,但电阻率越大。通过平衡工艺参数,得到了电阻率为0.96Ω/μm、对基底无损伤的钨薄膜,成分分析表明此时W(CO)_6已经完全裂解。(本文来源于《液晶与显示》期刊2019年08期）
魏茹雪,王延伟,江丽雯,孙旭晴,刘虹遥[2]（2019）在《利用表面等离激元成像检测化学气相沉积法生长石墨烯》一文中研究指出提出一种对化学气相沉积法生长石墨烯缺陷的快速检测方法。利用化学气相沉积法制备石墨烯并将其转移到目标基底上,制备出应用于表面等离激元(SPP)成像的石墨烯-金基底。SPP对界面处折射率变化具有高灵敏度,可以实现石墨烯边缘检测,并且石墨烯表面缺陷会引起SPP作用场的变化,利用SPP泄漏辐射效应将界面处SPP作用场变化传输至远场,使用CCD进行快速成像,可实现对转移后石墨烯的快速成像与检测。该方法检测到石墨烯边缘与表面的形貌信息,并且检测到颗粒污染物,避免了传统的检测方法灵敏度低、速度慢、有损检测等弊端,实现了对石墨烯缺陷的快速、无损检测。(本文来源于《光学学报》期刊2019年11期）
苏文静,金良茂,金克武,王天齐,汤永康[3]（2019）在《化学气相沉积法较低温度下制备层状硫化钼薄膜的研究》一文中研究指出二硫化钼具有类似石墨烯的层状结构,是一种被广泛研究的过渡金属硫族化合物。层状二硫化钼是一种具有较高带隙的半导体,其具有好的光致发光特性以及光电子学特性,在晶体管、光伏、传感器件以及光催化分解水制备氢气等领域具有潜在的应用价值。目前,较高质量的二硫化钼层状薄膜主要是通过高温化学气相沉积法制备,一般制备温度较高,在850～1 000℃。本实验利用化学气相沉积法分别在650℃、675℃、700℃、725℃和750℃条件下制备层状二硫化钼薄膜。通过对不同温度下制备的样品进行光学形貌测试及拉曼光谱分析,得出在较低温度下温度对制备二硫化钼薄膜的形貌和单个片层的尺寸具有显着的影响,其中在725℃时制备的层状薄膜形貌和尺寸都较好。本工作为在较低温度下制备出高质量层状MoS_2薄膜打下了较好的基础。(本文来源于《材料导报》期刊2019年S1期）
喻丽莎[4]（2019）在《基于化学气相沉积法构建疏水材料及其性质和应用探索》一文中研究指出液体对固体表面的润湿行为是表面化学中非常重要的研究内容,调控材料表面的化学组分和微观几何结构可以有效调节其润湿性。研究者们利用各种物理化学方法赋予材料疏水性质并加以开发利用,使其具有基础研究和商业应用价值。然而,由于制备方法繁琐、成本高、材料不易获取,一些疏水材料在工业化应用上仍然面临着巨大的挑战。本工作希望通过简单、绿色和高效的化学气相沉积法来构建功能化疏水材料,扩展材料的应用范围。本论文的创新包括以下几点:(1)首次通过真空辅助化学气相沉积法(VCVD)构建疏水性砂芯漏斗,研究疏水砂芯的理化性质以及应用,深入探讨其表面润湿机理;(2)将VCVD方法应用于纤维素材料的疏水改性,证明该方法的普适性,并详细考察了疏水性滤纸的性质及应用;(3)通过VCVD方法制备硅烷修饰的纤维素纳晶,并将疏水改性的纤维素纳晶应用于植物油增稠。本论文的主要研究内容和结论包括以下几个部分:基于简单、绿色的VCVD法,将砂芯漏斗与气相全氟辛基叁乙氧基硅烷(PFTS)反应构建疏水砂芯表面。随着反应时间、温度以及表面粗糙度的增大,砂芯表面的水接触角由120°提高至149°。定性和定量研究了PFTS改性砂芯表面的润湿行为,证明疏水砂芯表面的润湿模型符合部分润湿的Cassie模型。疏水砂芯漏斗在强酸/强碱/高浓度盐溶液中仍然保持着优异的化学稳定性和力学耐受性,具有良好的油下超疏水性以及自清洁性能。同时,疏水改性砂芯漏斗成功应用于油水分离。其中,G2-4.0h的油水分离效率在循环20次后仍然高达99%,在重力作用下乙醚通量达到11000 L m~(-2) h~(-2);对G3-4.0h施加3.8 kPa的真空度,其乙醚通量更是高达20000 L m~(-2) h~(-2);孔径尺寸较小的G4-4.0h~G6-4.0h成功应用于乳液分离。上述结果表明疏水改性砂芯漏斗可应用于各类不同的领域。基于VCVD方法简单、高效、适用性强等优点,将其应用于制备形态各异的疏水性纤维素材料。深入研究了滤纸与PFTS的反应历程,结果表明PFTS与纤维素上的羟基反应并且在纤维表面形成聚集颗粒。在合适的反应条件,滤纸中硅烷的含量可以达到45-55 g/g,水接触角达到146±3°。与原始滤纸相比,硅烷修饰的滤纸(SFP)在湿态下力学性能大幅提高,热稳定性也有所增强。SFP可用于油水分离,经过30次循环使用仍然保持高的分离效率(~99%),同时滤纸的性质不受影响,并在酸碱盐溶液中表现出良好的化学耐受性。此外,基于气-固相反应的改性方法可连续化制备疏水纤维材料,在短时间内即可使粘胶纤维的水接触角由0°提高至132°,使疏水性纤维素类材料具备规模化生产的可能。通过化学改性制备氨基修饰的纤维素纳晶(ACNC),极大提高了纤维素纳晶的热稳定性;再基于简单的VCVD法对ACNC进行硅烷化反应。通过XPS和FT-IR证明十二烷基叁甲氧基硅烷(n-DDTS)成功接枝在纤维素纳晶表面。经过n-DDTS修饰的纤维素纳晶具有优异的疏水亲油性,可以很好地分散在葵花籽油、花生油等植物油中,表现出良好的增稠性能,在高固含量时甚至可以形成油凝胶。疏水改性纳晶/油分散液的复合粘度具有温度依赖性和剪切变稀的性质。此外,随着油分散液中疏水改性纤维素纳晶含量的增大,体系会出现液晶相。本论文基于简单、绿色、高效的化学气相沉积法构建各种疏水性材料,证明该方法适用于无机到高分子材料,具有很好的普适性;并对疏水改性材料的结构与性质进行表征,阐明了材料表面结构与润湿性之间的关系,开发了它们在油水分离、自清洁、油增稠等领域的应用,研究成果具有学术价值和应用前景。(本文来源于《武汉大学》期刊2019-05-01）
郑舒婷,曾梦琪,曹慧,张涛,高晓雯[5]（2019）在《化学气相沉积法在液态金属上快速生长石墨烯单晶（英文）》一文中研究指出实现石墨烯大单晶的快速生长对于其未来在光电及电学器件领域的应用十分必要.目前已报道的在多晶金属衬底上生长石墨烯单晶的工作通常是通过降低前驱体供应量从而抑制成核来实现的,而这会显着降低成核以及后续生长的速度.新兴的液态金属催化剂具有准原子级平滑的表面和高扩散速率.理论上,液态金属是一个天然理想的基底,可同时实现低密度成核和快速生长.但截至目前,尚无工作探讨液态金属上石墨烯单晶的快速生长.在本研究中,我们成功地在液态铜表面实现了毫米级高质量石墨烯单晶的生长.液态铜中丰富的自由电子能加速石墨烯的成核,且其各向同性的平滑表面能显着抑制成核,使得成核密度较低.更重要的是,由于液态铜优异的可流动性,前驱体碳原子能实现快速扩散,这极大促进了石墨烯的生长,最高速率可达79μm s~(-1).我们希望这一关于液态铜体系中石墨烯生长速率的研究能丰富研究者们对液态金属上二维材料生长行为的认知.我们也相信利用液态金属来实现石墨烯快速生长的策略能被拓展至其他二维材料,由此来促进它们在未来光电以及电学器件领域的应用.(本文来源于《Science China Materials》期刊2019年08期）
唐诗,苏隽,陆太进,马永旺,柯捷[6]（2019）在《化学气相沉积法再生钻石的实验室检测特征研究》一文中研究指出再生钻石是使用化学气相沉积法(CVD)以天然钻石为基底再生长合成钻石层,得到具有整体外观的钻石产品。由于再生钻石含有天然钻石的氮杂质信息,传统的合成钻石排查方法和检测流程已不再适用于再生钻石的检测。本文对实验室检出的一颗再生钻石进行了详尽的宝石学测试分析,以建立再生钻石的最佳检测方案。结果显示:常规的显微观察、钻石仪器排查以及红外光谱测试都不能将再生钻石检出。DiamondViewTM多方位发光图像观察该样品呈现清晰的发光分层现象,上层为红色荧光与蓝绿色磷光,下层为深蓝色荧光与惰性磷光;红外透射光谱分区域定点扫描样品上层为IIa型钻石,下层为Ia型钻石;紫外可见吸收光谱分析和光致发光光谱测试显示样品同时具有N3和高浓度[Si-V]-缺陷。综合判定该样品亭部的下半部分为天然钻石,亭部的上半部分和冠部为CVD合成钻石,CVD层厚度约740μm。作为我国首例报道的再生钻石,与国外已报道的同类型样品相比,该样品中分层界限不可见,且合成层厚度呈现明显增长。研究认为,应用多方位发光图像分析及光谱测试技术是再生钻石检测的关键。(本文来源于《岩矿测试》期刊2019年01期）
王鑫,王文杰,邓加军,叶晨骁,王雅雅[7]（2018）在《化学气相沉积法控制合成单层MoSe_2薄膜》一文中研究指出为了寻找最优化的实验条件得到大面积且高晶体质量的二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,2DTMDCs)薄膜材料,选择用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法,通过不断优化实验参量,制备出了单层MoSe_2薄膜,并利用Raman光谱及光致发光光谱对样品的层数和带隙宽度进行表征。通过大量实验发现,在用CVD法制备单层MoSe_2薄膜时,实验的初始压强及衬底与前驱体的距离会影响样品的生长。于是通过对比实验,探究了起始压强及衬底与前驱体的距离对单层MoSe_2薄膜生长的影响。得到了最优化的压强及衬底与前驱体的距离。(本文来源于《中国科技论文》期刊2018年18期）
谢爽[8]（2018）在《化学气相沉积法生长二维硫化钼及其在晶体管中的应用》一文中研究指出近年来,以石墨烯、过渡金属硫族化合物(TMDCs)为代表的二维层状材料因其独特的层状结构和光学、电学性质引起了极大的研究热情。相较于零带隙的本征石墨烯,因层数效应,TMDCs拥有1.0～2.0eV的带隙,可以在逻辑器件和光电器件领域有更广阔的应用。与其他制备方法相比,化学气相沉积(CVD)法能可控且高效地生长质量较高的TMDCs材料。本论文使用CVD法制备了单层二硫化钼(MoS2)及不同成分的MoS2(1-x)Se2x合金,并探索了它们在场效应晶体管中的应用,取得如下主要创新成果:(1)利用双管式CVD法在SiO2/Si衬底上生长了 MoS2圆形晶粒,这不同于通常文献报道的MoS2叁角形晶粒。改变前驱体叁氧化钼(MoO3)的加热温度,可以使MoS2的晶粒形状从圆形演变为叁角形。利用拉曼(Raman)光谱、荧光(PL)光谱、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等表征手段,证明MoS2圆形晶粒为单层的半导体2H相。单层MoS2圆形晶粒的生长机理可归纳为:挥发的前驱体在衬底表面反应成核,随着小石英管内前驱体浓度的不断增加,反应从热力学控制转变为动力学控制,MoS2的生长不再遵循其晶体对称性,而是呈现各个方向生长速率一致的特性,最终生长为圆形的晶粒。通过调控生长机制和优化生长参数,均匀生长出面积较大的单层MoS2薄膜。(2)利用CVD法在SiO2/Si衬底上生长了成分和发光性能连续可调的单层MoS2(1-x)Se2x合金晶粒及其薄膜。通过改变参与反应的硫(S)粉和硒(Se)粉的比例以及两者的加热温度和生长气氛,实现了发光峰位从675 nm到810 nm之间的调控。实验发现,S比例和加热温度的升高均有利于连续薄膜的形成。利用高分辨扫描俄歇电子能谱(AES),表征了合金的成分及其分布。凭借AES的高度聚焦的电子束束斑,发现了 MoS2(1-x)Se2x合金晶粒中的成分不均匀性。(3)将MoS2作为Ge晶体管沟道的钝化层,构筑了 MoS2/Ge晶体管。通过理论分析和紫外光电子能谱(UPS)的测试,发现MoS2的价带顶和导带底与Ge的价带顶和导带底存在合适的能量差,可对Ge沟道内的电子或空穴产生限域作用。此外,由于MoS2表面没有悬挂键,能够有效地钝化Ge沟道和介电层Al2O3的界面,减少载流子在界面处的复合。Ge/MoS2晶体管的性能测试表明,MoS2的加入使晶体管的电子和空穴迁移率、工作电流和稳定性都有了显着的提高。(4)利用光刻技术和剥离技术(lift-off),构筑了以MoS2薄膜为沟道,Au/Ti(60nm/5nm)为电极的背栅结构场效应晶体管,并实现了较大规模的器件阵列的制备。MoS2的结构和性能在器件制备前后进行了表征对比,结果表明光刻过程不会对MoS2的性能产生明显的影响。研究表明,MoS2薄膜晶体管表现为明显的n型沟道特征,其平均电子迁移率为4.75 cm2V-1s-1,最高电子迁移率达到17.6cm2V-1s-1,开关比分布在104～106之间,阈值电压分布在10～30V之间。而且,实验发现由多晶MoS2薄膜作为沟道的晶体管在不同的偏压扫描下呈现出不同的电阻态,相应的高低阻态的比值在103～105之间,具有明显的忆阻效应。其忆阻效应的起源可归结于MoS2中的S空位在电场作用下的迁移以及与晶界的相互作用。忆阻效应的存在表明多晶MoS2薄膜有可能用于制备新型的存储器件。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-06-01）
程洪[9]（2018）在《卤化物激光化学气相沉积法快速制备3C-SiC厚膜》一文中研究指出3C-SiC因具有低的密度和热膨胀系数,高的热导率和熔点,耐热冲击、腐蚀和氧化等优异性能而成为一种非常有应用前景的功能材料。化学气相沉积法(CVD)通常被用于制备SiC薄膜材料,但传统CVD如热壁式或冷壁式CVD(HWCVD/CWCVD)、低压CVD(LPCVD)和等离子体CVD(PECVD)较低的沉积速率增加了制备SiC厚膜的成本。红外激光CVD因具有高的沉积速率而被广泛用于快速制备厚膜材料。在CVD沉积3C-SiC所用的多种前驱体中,卤化物前驱体SiCl_4由于具有低的成本和高的沉积速率而受到人们青睐。因此本文结合红外激光CVD和卤化物前驱体SiCl_4的优势开发出卤化物激光CVD(HLCVD)技术来快速制备3C-SiC厚膜。相对于晶粒尺寸较大的3C-SiC块体材料,微晶3C-SiC具有更为优异的力学、电学和光学性能。微晶3C-SiC薄膜通常由热丝CVD、PECVD和光解CVD等方法在低温下制备。由于这些方法的沉积速率较低,难以得到3C-SiC厚膜,从而限制了微晶3C-SiC的应用。卤化物红外激光CVD可以快速制备3C-SiC厚膜,但随着3C-SiC膜厚度的增加,平均晶粒尺寸也增长到数十或数百微米。在光解CVD中,紫外脉冲激光通常被用于在低温下沉积3C-SiC薄膜。此外紫外脉冲激光还可用于3C-SiC的表面处理。当用紫外脉冲激光照射3C-SiC基板时,3C-SiC表面会形成细小结构。为了快速制备微晶3C-SiC厚膜,本文将红外连续激光CVD和紫外脉冲激光CVD组合成混合激光CVD。本论文的研究内容和主要结论如下:在沉积温度为1673 K,沉积压力10 kPa时,以SiCl_4-CH_4-H_2为前驱体,采用卤化物激光CVD在不同碳硅比下(R_(C/Si))制备3C-SiC厚膜。在R_(C/Si)≤0.75时得到连续3C-SiC厚膜,R_(C/Si)=1.0时得到岛状的不连续3C-SiC厚膜。在R_(C/Si)≤0.5时,得到单相的3C-SiC厚膜,当R_(C/Si)≥0.75时,得到含游离碳的3C-SiC厚膜,在R_(C/Si)=1.0时,3C-SiC厚膜密度明显下降。采用卤化物激光CVD在不同沉积压力(P_(tot))和温度(T_(dep))下制备了高择优取向3C-SiC厚膜。沉积压力和温度对3C-SiC厚膜择优取向影响较大。在较高沉积温度(T_(dep)>1473 K)和低沉积压力(P_(tot)≤4 kPa)下得到<110>取向的3C-SiC厚膜,在高沉积压力时(10-40kPa)时得到<111>取向的3C-SiC厚膜,在中等沉积温度和压力条件下得到随机取向的3C-SiC厚膜。<111>和<110>取向3C-SiC厚膜的最大沉积速率分别为3600和1300μm/h。在沉积温度为1623 K时,采用卤化物红外激光CVD在不同沉积压力下快速制备了透明3C-SiC厚膜。随沉积压力的升高,3C-SiC厚膜的透过率先升高后降低。沉积压力为10 kPa时,得到高<111>取向和低缺陷密度的3C-SiC厚膜,此时3C-SiC厚膜透过率达到最大,在800-1100 nm的波长范围内透过率超过55%。3C-SiC厚膜的透过率主要受弱择优取向和缺陷的影响。沉积压力为4和20 kPa时,由于3C-SiC厚膜中含有大量弱择优取向的晶粒和缺陷,所以透过率较低。在沉积压力为4 kPa,沉积温度分别为1523和1623 K时将紫外脉冲激光CVD和红外连续激光CVD组成混合激光CVD快速制备了微晶3C-SiC厚膜。红外连续激光CVD沉积的3C-SiC厚膜的晶粒尺寸范围为4-100μm,而混合激光沉积的3C-SiC厚膜的晶粒尺寸范围为0.5-5.5μm。由于混合激光沉积的微晶3C-SiC厚膜晶粒尺寸较小,所以混合激光沉积的微晶3C-SiC厚膜的硬度高于红外激光沉积的3C-SiC厚膜的硬度。(本文来源于《武汉理工大学》期刊2018-05-01）
姚涵,何叶丽,陈育明[10]（2018）在《石墨烯的等离子体增强化学气相沉积法合成》一文中研究指出石墨烯具有优异的光电性能,是极具潜力的新一代导电材料。采用传统的热化学气相沉积法制备单层石墨烯需要高温反应条件,试验尝试采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在550℃的反应温度下,较短的反应时间内,在铜箔衬底上制备出石墨烯薄膜。考察了甲烷和氢气流量比、氩气的作用以及衬底通电与否等因素对石墨烯生长的影响。研究发现,在甲烷与氢气流量比为1∶1,通入氩气,不给铜箔衬底通电的试验条件下,制备出的石墨烯薄膜电阻值为4.15 kΩ,显示出较好的光电特性。(本文来源于《印染》期刊2018年05期）
化学气相沉积法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出一种对化学气相沉积法生长石墨烯缺陷的快速检测方法。利用化学气相沉积法制备石墨烯并将其转移到目标基底上,制备出应用于表面等离激元(SPP)成像的石墨烯-金基底。SPP对界面处折射率变化具有高灵敏度,可以实现石墨烯边缘检测,并且石墨烯表面缺陷会引起SPP作用场的变化,利用SPP泄漏辐射效应将界面处SPP作用场变化传输至远场,使用CCD进行快速成像,可实现对转移后石墨烯的快速成像与检测。该方法检测到石墨烯边缘与表面的形貌信息,并且检测到颗粒污染物,避免了传统的检测方法灵敏度低、速度慢、有损检测等弊端,实现了对石墨烯缺陷的快速、无损检测。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
化学气相沉积法论文参考文献
[1].张伟,陈小英,马永生,付婉霞,王磊.激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用[J].液晶与显示.2019
[2].魏茹雪,王延伟,江丽雯,孙旭晴,刘虹遥.利用表面等离激元成像检测化学气相沉积法生长石墨烯[J].光学学报.2019
[3].苏文静,金良茂,金克武,王天齐,汤永康.化学气相沉积法较低温度下制备层状硫化钼薄膜的研究[J].材料导报.2019
[4].喻丽莎.基于化学气相沉积法构建疏水材料及其性质和应用探索[D].武汉大学.2019
[5].郑舒婷,曾梦琪,曹慧,张涛,高晓雯.化学气相沉积法在液态金属上快速生长石墨烯单晶（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2019
[6].唐诗,苏隽,陆太进,马永旺,柯捷.化学气相沉积法再生钻石的实验室检测特征研究[J].岩矿测试.2019
[7].王鑫,王文杰,邓加军,叶晨骁,王雅雅.化学气相沉积法控制合成单层MoSe_2薄膜[J].中国科技论文.2018
[8].谢爽.化学气相沉积法生长二维硫化钼及其在晶体管中的应用[D].浙江大学.2018
[9].程洪.卤化物激光化学气相沉积法快速制备3C-SiC厚膜[D].武汉理工大学.2018
[10].姚涵,何叶丽,陈育明.石墨烯的等离子体增强化学气相沉积法合成[J].印染.2018
论文知识图
