论文摘要
采用低压金属有机物化学气相沉积（LP-MOCVD）技术在Ga As（001）衬底上制备Ga Sb量子点,研究了反应室压强对改善Ga Sb/Ga As量子点形貌各向异性的影响。通过Sb表面处理方法,在Ga As衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层,实现以界面失配（IMF）生长模式对Ga Sb量子点诱导生长。用原子力显微镜（AFM）对各样品的量子点形貌进行了表征,结果表明Ga Sb量子点形貌各向异性明显且沿[110]方向拉长。在压强条件为10 k Pa时,IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3,由于低能量（111）侧面的存在,Ga Sb量子点优先沿[110]方向生长而不是与之垂直的[110]方向。压强降低至4 k Pa时量子点密度增大为8. 3×109cm-2,量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1。低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度,可以有效改善Ga Sb量子点的各向异性。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 徐德前,徐佳新,庄仕伟,李国兴,张宝林
关键词: 量子点,各向异性,生长模式
来源: 发光学报 2019年01期
年度: 2019
分类: 基础科学,信息科技
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院
基金: 国家自然科学基金(61574069)资助项目~~
分类号: O471.1
页码: 17-22
总页数: 6
文件大小: 3310K
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