导读:本文包含了五氧化二钽论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:光学频率梳,孤子压缩,自相位调制,光波分裂
五氧化二钽论文文献综述
吴春将,冯素春[1]（2019）在《基于五氧化二钽集成非线性光波导的高重复频率宽带平坦相干光频率梳的产生》一文中研究指出通过波导结构设计以及色散调控,基于孤子脉冲压缩、自相位调制和光波分裂效应,用0.22 m反常色散五氧化二钽波导级联0.9 m正常色散五氧化二钽波导产生在1 520～1 580 nm波段具有4 dB平坦度、60 nm带宽的平坦光频率梳.利用X-Frog技术分析了脉冲在传输过程中的时谱演化,并且研究了产生光频率梳的相干性.时谱演化指出自相位调制和光波分裂的共同作用使得光频率梳的光谱包络变宽,并且具有良好的平坦度.一阶复互相干度计算指出光频率梳具有较好的相干性.仿真结果表明,五氧化二钽集成非线性光波导在产生高重复频率平坦相干宽带光频率梳方面具有较好的前景.(本文来源于《光子学报》期刊2019年10期）
于欣[2]（2018）在《五氧化二钽基纳米材料的制备及光催化性能研究》一文中研究指出五氧化二钽(Ta2O5)是一种典型的宽禁带半导体,其禁带宽度约为4.0 e V。如何利用化学手段改善宽禁带Ta2O5半导体光催化剂的光谱响应范围和提高光生电子和空穴的分离效率,是Ta2O5半导体光催化应用研究的重点。本文制备了多形貌的Ta2O5光催化剂及其复合材料,并详细地研究了影响Ta2O5及其复合材料光催化活性的因素,通过制备异质结光催化剂、缺陷型半导体、介晶Ta2O5纳米片和Pd-Pt纳米粒子改性的介晶Ta2O5纳米片等手段来提高Ta2O5基纳米光催化剂的电荷分离效率和光催化性能。采用蒸汽水解法和热处理法成功制备了Ta4+自掺杂的Ta2O5量子点和g-C3N4改性的Ta2O5量子点光催化剂。制备的自掺杂的Ta2O5量子点有明显的可见光吸收,这主要是因为在Ta2O5量子点光催化剂中形成了氧空位缺陷,且制备的Ta2O5量子点有可见光催化活性。此外,制备的g-C3N4/Ta2O5复合光催化剂的可见光吸收和光催化活性显着提高,其光催化产氢速率和罗丹明B的降解速率常数为624.99μmol g-1 h-1和0.1512 min-1,这主要因为Ta-O-C化学键显着提高了光生电子和空穴的分离效率,且制备的g-C3N4/Ta2O5复合光催化剂具有良好的光催化循环稳定性。以乙醇钽和氟化铵为原料,采用蒸汽水解法成功制备了含氧空位缺陷的Ta2O5纳米棒光催化剂。实验结果表明,反应体系的蒸汽水解温度对制备的Ta2O5纳米棒光催化剂有重要影响,反应温度越高,Ta2O5纳米棒中氧空位的含量就越高,Ta2O5纳米棒的颜色就越深,其紫外可见光的吸收也就越强,其相应的光学禁带宽度就越窄,较商业Ta2O5光催化剂有明显的优势。制备的Ta2O5纳米棒的比表面积高达237.9 m2 g-1,远大于商业Ta2O5光催化剂。其紫外光、模拟太阳光和可见光产氢活性分别为10.167 mmol g-1 h-1、356.689μmol g-1 h-1和23.351μmol g-1 h-1。其中,在模拟太阳光下的制氢活性较商业Ta2O5提高了6.39倍。此外,本章也发展了一种在温和条件下制备缺陷型半导体光催化剂及其复合材料的新方法。通过调控氟化铵的用量,采用蒸汽水解法成功制备了含有氧空位缺陷的介晶(NH4)2Ta2O3F6纳米棒。制备的(NH4)2Ta2O3F6光催化剂呈棒状结构,其在紫外光区的吸收小于商业Ta2O5光催化剂。以(NH4)2Ta2O3F6纳米棒为原料,采用拓扑化学转换法制备了含有氧空位缺陷的介晶Ta2O5纳米片。制备的介晶Ta2O5光催化剂有明显的可见光吸收,这主要源于介晶Ta2O5纳米片中氧空位缺陷的形成。介晶Ta2O5纳米片的光催化产氢活性可达11268.241μmol g-1 h-1,远高于商业Ta2O5光催化剂和介晶(NH4)2Ta2O3F6纳米棒。此外,制备的介晶Ta2O5光催化剂的价带顶的电势高于商业Ta2O5光催化剂的价带顶的电势,其比表面积是商业Ta2O5的5.30倍,这也有利于介晶Ta2O5纳米片光催化活性的提高。助催化剂对半导体的光催化活性有至关重要的影响。在制备介晶Ta2O5纳米片的基础上,采用超声辅助光还原法成功制备了双金属Pd-Pt/介晶Ta2O5纳米片光催化剂。与商业Ta2O5、介晶(NH4)2Ta2O3F6纳米棒、介晶Ta2O5纳米片和Pt/介晶Ta2O5纳米片和Pd/介晶Ta2O5纳米片相比,制备的Pd-Pt/介晶Ta2O5纳米片光催化剂在紫外-可见光区的吸收和光催化活性显着提高,其光催化产氢速率高达21529.521μmol g-1 h-1,较商业Ta2O5提高了20倍,这主要是双金属Pd-Pt纳米粒子的协同增强效应显着提高了介晶Ta2O5纳米片的紫外-可见光吸收性能和光生电子空穴分离效率的结果。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-03-01）
湘江[3]（2017）在《湖南幕阜山地区铌钽找矿实现重大突破》一文中研究指出本报讯 日前，湖南省幕阜山地区找矿工作研讨会在湖南平江召开。中国工程院院士陈毓川、裴荣富，国家“叁稀”找矿专项首席专家王登红研究员等专家及技术人员共60余人参加研讨会。会议听取了311大队对幕阜山地区找矿工作和平江县仁里铌钽矿找矿工作进展的情况(本文来源于《中国矿业报》期刊2017-11-03）
刘婷,白焕焕,雷小燕,罗策,李剑[4]（2017）在《电感耦合等离子体质谱法测定高纯五氧化二钽中20种痕量杂质元素》一文中研究指出将五氧化二钽样品在105℃下烘干2h,冷却至室温后,取样品0.500 0g,加入氢氟酸5mL,硝酸2.5mL,按程序升温微波消解,用水定重至50.0g。应用动态反应池技术消除多原子离子对铁元素的干扰,甲烷反应气流量为0.2mL·min~(-1),Rpq为0.80。以标准加入法补偿基体效应制作标准曲线,采用电感耦合等离子体质谱法测定20种杂质元素的含量。各元素的检出限(3s)在0.009~0.53μg·g~(-1)之间,用标准加入法做回收试验,测得回收率在90.0%~116%之间,测定值的相对标准偏差(n=11)在1.8%~17%之间。(本文来源于《理化检验(化学分册)》期刊2017年04期）
王莹[5]（2016）在《可见光响应五氧化二钽的制备及光催化性能研究》一文中研究指出在过去的几年里,Ta2O5在可再生能源与清洁能源的应用中引起了很多关注,Ta2O5作为光催化剂主要用来光解水产氢及光催化降解有机污染物。然而,Ta2O5的禁带宽度较大(约为4.0 eV),只对紫外光区响应,而紫外光仅占太阳光的3-5%。可见光在太阳能中比例最大,Ta2O5只有对可见光响应才能有效利用太阳能。可以通过掺杂的方法来改性Ta2O5,减小其禁带宽度,使其对可见光区甚至是红外光区响应。本论文分别采用溶胶-凝胶法、氢化法制备了N掺杂及H掺杂Ta2O5光催化剂。经过光催化活性测试,N掺杂及H掺杂Ta2O5样品的光催化活性明显提高。具体研究内容与创新点如下:(1)以乙二胺为氮源,通过溶胶-凝胶法制备N掺杂Ta2O5光催化剂。制备过程中,考察不同温度热处理对样品光催化性能的影响。紫外-可见漫反射吸收光谱图(UV-vis)显示N掺杂Ta2O5在可见光区吸收较强,光解水产氢及光催化降解甲基橙的活性测试显示,N掺杂后的样品表现出较好的光催化活性。X-射线衍射图(XRD)与傅里叶红外光谱图(FT-IR)可以推测N掺杂到Ta2O5晶格中。通过物理吸附图(BET)可了解N掺杂Ta2O5样品的比表面积与孔分布情况。X-射线光电子能谱图(XPS)可清楚地看出N元素的不同轨道。经过550 oC热处理的样品,荧光光谱图(PL)显示其荧光强度最低。此样品在可见光下光催化活性最强,产氢效率可达3.12 mmol.g-1.h-1,在350 W氙灯下照射90 min时,仅存留3.1%的甲基橙。(2)通过氢化法制备H掺杂Ta2O5光催化剂。通过控制焙烧温度、氢化时间及氢气流量,对样品进行不同条件氢化,使样品颜色逐渐发生变化。该法能够使Ta2O5由白色变为黑色,有助于在可见光区的吸收。紫外-可见漫反射吸收光谱图(UV-vis)显示H掺杂Ta2O5在可见光区吸收较强,X-射线衍射图(XRD)与傅里叶红外光谱图(FT-IR)可以推测H掺杂到Ta2O5晶格中,荧光光谱图(PL)表明500 oC热处理的样品荧光强度最低。经过光催化性能测试,500 oC制备的样品H-500的光催化性能最佳。(本文来源于《太原科技大学》期刊2016-03-28）
丁美婷,郭爽[6]（2016）在《碱熔等离子质谱法测量钽矿石中五氧化二钽》一文中研究指出通过混酸消解与过氧化钠碱熔消解比对,确立碱熔消解钽矿石中五氧化二钽的测量方法,碱熔消解分析结果重现性好,检出限低,准确性好,五氧化二钽检出限0.13 ng/m L,国家一级标准物质准确度RE%为-2.6%,实现钽矿石中五氧化二钽的准确测量。(本文来源于《吉林地质》期刊2016年01期）
李菊霞,戴卫理,闫俊青,武光军,李兰冬[7]（2015）在《五氧化二钽纳米柱的水热合成和光催化性能（英文）》一文中研究指出以聚乙烯醇(PEG)为结构导向剂,利用水热法合成了形貌可控的Ta2O5纳米柱.采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、漫反射紫外-可见光谱和光致发光光谱对所制备样品进行了表征.考察了结晶时间和Ta2O5/Sr(OH)2摩尔比等合成参数对样品形貌的影响,并在此基础上对Ta2O5纳米粒可能的生长机理进行了推测.结果表明,在PEG和Sr(OH)2存在条件下可以合成形貌可控的Ta2O5纳米柱.研究了紫外光下Ta2O5纳米柱降解罗丹明B的光催化性能,发现Ta2O5的形貌对光催化性能有很大影响,Ta2O5纳米柱的光催化性能与其长度和直径比成线性关系.催化降解反应的表观速率常数最高可达0.156 min–1,且经多次循环使用后,样品仍然保持较高的催化性能.(本文来源于《催化学报》期刊2015年03期）
臧云飞[8]（2014）在《五氧化二钽异质结的电阻开关特性研究》一文中研究指出伴随着科技的腾飞,人们对存储器性能的需求标准也越来越高,比如,高密度、高速度、非挥发性、低功耗等等。闪存占据了非易失存储器的主要市场,但是,闪存存在着速度慢的缺点,并且随着器件尺度的减小,其氧化层厚度也将减小,会引起散热差、漏电等问题,因此,其发展前景并不乐观。目前,人们在研究的非易失新型随机存储器兼有速度快和非易失的特点,主要包括磁存储器(MRAM)、铁电存储器(FRAM)、电阻存储器(ReRAM)、相变存储器(PRAM)等。ReRAM为最新发展的存储器,但是它具备速度快、低功耗、低成本、制作简单、与传统CMOS工艺能够很好的兼容的优势,因此ReRAM有很大的潜力成为下一代新型存储器。在1962年,科学家T. W. Hickmott通过研究Al/Al2O3/Au、Zr/ZrO2/Au等这种金属-介质层-金属的叁明治结构的I-V特性曲线,首次开展了对阻变现象的研究。近几年,ReRAM逐渐成为存储器研究的焦点。Ta205有杰出的化学性质和物理性质,Ta205越来越吸引人们注意,并在多个领域得到应用。例如,Ta205是一种具有高折射率的镀膜材料,其折射率为2.1。由于Ta205和Si之间具有高质量的界面和小的漏电流,通常在高品质的电容器中用作绝缘层。在电阻开关特性的研究领域中,由于Ta2O5稳定的电阻开关特性,是被应用研究的最多的材料之一。在本论文中,我们使用溅射仪制备了Ag/Co/Ta2O5/Ag结构的异质结,并在其中发现了重复性良好的双极阻变,高低阻态之比高达104,其优良的性质将使其在阻变存储器中有良好的应用。通过改变异质结中Ta205的厚度和结面积的大小,我们发现,异质结的低阻态电阻并不随着Ta205的厚度和结面积的改变而有明显的变化,并由此得出该异质结的导电类型属于块体主导型。在进一步的实验中,我们使用金电极替代银电极,制备了Au/Co/Ta2O5/Au结构的异质结,在其中也发现了同样类型的双极阻变。因此排除了低阻态时银电极形成银灯丝的可能,推测阻变是由Ta205中氧离子迁移引起的。我们还制备了Ag/Ta2O5/Ag器件,并测量了其阻变性质,呈现出不稳定的补偿阻变,并且我们的样品不需要电成型过程,对于多层膜磁性测量证明CoO的生成。综合上述现象我们认为Co层的加入会打破器件的平衡结构,Co很活泼,会在生长Ta205的时候自然氧化形成一层CoO,这样就在Ta2O5中会形成一个氧空位的空间梯度分布,代替了其他文献报道中的电成型过程。阻变的过程大致如下：当加正向电压时,氧空位会向负极方向聚集,从而使负极附近的导电性增强,加在负极附近的电场减小,此处我们称之为虚拟阴极,随着加电压的时间增长,虚拟阴极会逐渐往阳极移动,最终和阳极金属电极接触,从而使之由高阻态转变为低阻态,反之加负电压会使得氧空位反向移动从而导致氧空位通道断裂,使之由低阻态转变为高阻态。总之,我们的工作成功实现了稳定的双极阻变,得出阻变现象的机理是氧离子迁移导致的导电通道以及Co层加入的意义。(本文来源于《山东大学》期刊2014-05-13）
任萍,王东新[9]（2012）在《溶胶凝胶法制备介孔五氧化二钽薄膜》一文中研究指出以五氯化钽为反应前驱体,叁嵌段两性聚合物P123做天然模板,用溶胶凝胶法制备出了介孔五氧化二钽薄膜.经过SEM检测分析,薄膜厚度约为200 nm.XRD研究结果表明,制得的薄膜具有明显的介孔结构,经TEM检测可以观察到孔洞结构;得到的五氧化二钽薄膜经过400℃煅烧1 h,介孔结构仍然得到保留.(本文来源于《宁夏工程技术》期刊2012年04期）
陆峰[10]（2012）在《五氧化二钽MOS器件的电学特性及稳定性研究》一文中研究指出当超大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅极电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅极介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品。所以,制备五氧化二钽薄膜并研究其性能,有很强的实用价值,已引起人们的密切关注。本文使用射频溅射方法(RF)制备五氧化二钽栅介质薄膜,深入研究了退火温度以及工作温度对栅介质薄膜电学性能的影响,以及对器件稳定性的影响。本论文主要的研究内容如下：1.研究了不同退火温度对五氧化二钽薄膜电学性质的影响。结果显示,退火温度为400℃时,薄膜的漏电流密度最大。这是由于退火温度主要在两方面对漏电流产生影响,一方面退火温度提高的过程,也是薄膜从非晶态转变成多晶态的过程,随着晶化程度的提高,漏电流密度会变大；另外一方面在退火温度提高的过程中,氧化硅界面层的厚度会增加进而减小漏电流密度,在这两方面的共同作用下,薄膜在400℃时具有最大的漏电流密度。退火温度为600℃时,薄膜的漏电流密度较小。这是因为在退火温度升高的过程中,氧化层中的俘获电荷会缓慢消失,各种体内缺陷也会减少,随之薄膜的漏电流变小。2.研究了不同的工作温度对五氧化二钽薄膜电学性能的影响。随着工作温度的增加,薄膜的漏电流密度逐渐增大。但是,在较低的温度(如80-100K)时,漏电流急剧增大。这主要有两个影响因素,一是界面处生成的氧化硅层会促进漏电流的增大,另一方面是样品的缺陷也会增加漏电流。3.对器件稳定性的研究。对不同退火温度处理的样品施加恒压,测量其不同工作温度下,漏电流随时间变化的规律。结果显示,刚加上电压时(时间为0-2s),漏电流会急剧变大,随着时间的持续,漏电流将不再发生变化。这主要是由于刚开始时,在缺陷的影响下,电荷俘获使漏电流急剧变大；随着电压的持续施加,电荷的迁移达到动态的平衡,漏电流将不再发生明显的变化。(本文来源于《浙江师范大学》期刊2012-04-06）
五氧化二钽论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
五氧化二钽(Ta2O5)是一种典型的宽禁带半导体,其禁带宽度约为4.0 e V。如何利用化学手段改善宽禁带Ta2O5半导体光催化剂的光谱响应范围和提高光生电子和空穴的分离效率,是Ta2O5半导体光催化应用研究的重点。本文制备了多形貌的Ta2O5光催化剂及其复合材料,并详细地研究了影响Ta2O5及其复合材料光催化活性的因素,通过制备异质结光催化剂、缺陷型半导体、介晶Ta2O5纳米片和Pd-Pt纳米粒子改性的介晶Ta2O5纳米片等手段来提高Ta2O5基纳米光催化剂的电荷分离效率和光催化性能。采用蒸汽水解法和热处理法成功制备了Ta4+自掺杂的Ta2O5量子点和g-C3N4改性的Ta2O5量子点光催化剂。制备的自掺杂的Ta2O5量子点有明显的可见光吸收,这主要是因为在Ta2O5量子点光催化剂中形成了氧空位缺陷,且制备的Ta2O5量子点有可见光催化活性。此外,制备的g-C3N4/Ta2O5复合光催化剂的可见光吸收和光催化活性显着提高,其光催化产氢速率和罗丹明B的降解速率常数为624.99μmol g-1 h-1和0.1512 min-1,这主要因为Ta-O-C化学键显着提高了光生电子和空穴的分离效率,且制备的g-C3N4/Ta2O5复合光催化剂具有良好的光催化循环稳定性。以乙醇钽和氟化铵为原料,采用蒸汽水解法成功制备了含氧空位缺陷的Ta2O5纳米棒光催化剂。实验结果表明,反应体系的蒸汽水解温度对制备的Ta2O5纳米棒光催化剂有重要影响,反应温度越高,Ta2O5纳米棒中氧空位的含量就越高,Ta2O5纳米棒的颜色就越深,其紫外可见光的吸收也就越强,其相应的光学禁带宽度就越窄,较商业Ta2O5光催化剂有明显的优势。制备的Ta2O5纳米棒的比表面积高达237.9 m2 g-1,远大于商业Ta2O5光催化剂。其紫外光、模拟太阳光和可见光产氢活性分别为10.167 mmol g-1 h-1、356.689μmol g-1 h-1和23.351μmol g-1 h-1。其中,在模拟太阳光下的制氢活性较商业Ta2O5提高了6.39倍。此外,本章也发展了一种在温和条件下制备缺陷型半导体光催化剂及其复合材料的新方法。通过调控氟化铵的用量,采用蒸汽水解法成功制备了含有氧空位缺陷的介晶(NH4)2Ta2O3F6纳米棒。制备的(NH4)2Ta2O3F6光催化剂呈棒状结构,其在紫外光区的吸收小于商业Ta2O5光催化剂。以(NH4)2Ta2O3F6纳米棒为原料,采用拓扑化学转换法制备了含有氧空位缺陷的介晶Ta2O5纳米片。制备的介晶Ta2O5光催化剂有明显的可见光吸收,这主要源于介晶Ta2O5纳米片中氧空位缺陷的形成。介晶Ta2O5纳米片的光催化产氢活性可达11268.241μmol g-1 h-1,远高于商业Ta2O5光催化剂和介晶(NH4)2Ta2O3F6纳米棒。此外,制备的介晶Ta2O5光催化剂的价带顶的电势高于商业Ta2O5光催化剂的价带顶的电势,其比表面积是商业Ta2O5的5.30倍,这也有利于介晶Ta2O5纳米片光催化活性的提高。助催化剂对半导体的光催化活性有至关重要的影响。在制备介晶Ta2O5纳米片的基础上,采用超声辅助光还原法成功制备了双金属Pd-Pt/介晶Ta2O5纳米片光催化剂。与商业Ta2O5、介晶(NH4)2Ta2O3F6纳米棒、介晶Ta2O5纳米片和Pt/介晶Ta2O5纳米片和Pd/介晶Ta2O5纳米片相比,制备的Pd-Pt/介晶Ta2O5纳米片光催化剂在紫外-可见光区的吸收和光催化活性显着提高,其光催化产氢速率高达21529.521μmol g-1 h-1,较商业Ta2O5提高了20倍,这主要是双金属Pd-Pt纳米粒子的协同增强效应显着提高了介晶Ta2O5纳米片的紫外-可见光吸收性能和光生电子空穴分离效率的结果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
五氧化二钽论文参考文献
[1].吴春将,冯素春.基于五氧化二钽集成非线性光波导的高重复频率宽带平坦相干光频率梳的产生[J].光子学报.2019
[2].于欣.五氧化二钽基纳米材料的制备及光催化性能研究[D].哈尔滨工业大学.2018
[3].湘江.湖南幕阜山地区铌钽找矿实现重大突破[N].中国矿业报.2017
[4].刘婷,白焕焕,雷小燕,罗策,李剑.电感耦合等离子体质谱法测定高纯五氧化二钽中20种痕量杂质元素[J].理化检验(化学分册).2017
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[6].丁美婷,郭爽.碱熔等离子质谱法测量钽矿石中五氧化二钽[J].吉林地质.2016
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[9].任萍,王东新.溶胶凝胶法制备介孔五氧化二钽薄膜[J].宁夏工程技术.2012
[10].陆峰.五氧化二钽MOS器件的电学特性及稳定性研究[D].浙江师范大学.2012