全文摘要
本申请公开了一种射频装置及其功率放大电路，该功率放大电路包括：主路电路，包括：功率放大器的输入端接收射频信号，用于对射频信号进行放大，功率放大器的输出端输出放大后的射频信号；旁路电路，包括：连接线连接在功率放大器的输入端和功率放大器的输出端之间；连接线的第一连接点通过第一二极管接地，第一连接点和功率放大器的输入端之间的距离为预设工作频段的1\/4波长；连接线的第二连接点通过第二二极管接地，第二连接点和功率放大器的输出端之间的距离为预设工作频段的1\/4波长；位于第一连接点和第二连接点之间的连接线通过至少一个二极管接地。本申请能够降低旁路电路对主路电路的影响，消除自激。
主设计要求
1.一种功率放大电路，其特征在于，包括：主路电路，包括：功率放大器，所述功率放大器的输入端接收射频信号，用于对所述射频信号进行放大，所述功率放大器的输出端输出放大后的射频信号；旁路电路，包括：连接线，连接在所述功率放大器的输入端和所述功率放大器的输出端之间；第一二极管，所述连接线的第一连接点通过所述第一二极管接地，所述第一连接点和所述功率放大器的输入端之间的距离为预设工作频段的1\/4波长；第二二极管，所述连接线的第二连接点通过所述第二二极管接地，所述第二连接点和所述功率放大器的输出端之间的距离为所述预设工作频段的1\/4波长；至少一个二极管，位于所述第一连接点和所述第二连接点之间的连接线通过所述至少一个二极管接地。
设计方案
1.一种功率放大电路，其特征在于，包括：
主路电路，包括：
功率放大器，所述功率放大器的输入端接收射频信号，用于对所述射频信号进行放大，所述功率放大器的输出端输出放大后的射频信号；
旁路电路，包括：
连接线，连接在所述功率放大器的输入端和所述功率放大器的输出端之间；
第一二极管，所述连接线的第一连接点通过所述第一二极管接地，所述第一连接点和所述功率放大器的输入端之间的距离为预设工作频段的1\/4波长；
第二二极管，所述连接线的第二连接点通过所述第二二极管接地，所述第二连接点和所述功率放大器的输出端之间的距离为所述预设工作频段的1\/4波长；
至少一个二极管，位于所述第一连接点和所述第二连接点之间的连接线通过所述至少一个二极管接地。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述至少一个二极管包括第三二极管，所述连接线的第三连接点通过所述第三二极管接地。
3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第三连接点和所述功率放大器的输入端之间的距离为所述旁路电路的自激频率的1\/4波长。
4.根据权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述至少一个二极管还包括第四二极管，所述连接线的第四连接点通过所述第四二极管接地。
5.根据权利要求4所述的功率放大电路，其特征在于，所述第四连接点和所述功率放大器的输出端之间的距离为所述旁路电路的自激频率的1\/4波长。
6.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述至少一个二极管包括三个二极管，位于所述第一连接点和所述第二连接点之间的连接线分别通过三个所述二极管接地。
7.一种射频装置，其特征在于，所述射频装置包括功率放大电路，所述功率放大电路包括：
主路电路，包括：
功率放大器，所述功率放大器的输入端接收射频信号，用于对所述射频信号进行放大，所述功率放大器的输出端输出放大后的射频信号；
旁路电路，包括：
连接线，连接在所述功率放大器的输入端和所述功率放大器的输出端之间；
第一二极管，所述连接线的第一连接点通过所述第一二极管接地，所述第一连接点和所述功率放大器的输入端之间的距离为预设工作频段的1\/4波长；
第二二极管，所述连接线的第二连接点通过所述第二二极管接地，所述第二连接点和所述功率放大器的输出端之间的距离为所述预设工作频段的1\/4波长；
至少一个二极管，位于所述第一连接点和所述第二连接点之间的连接线通过所述至少一个二极管接地。
8.根据权利要求7所述的射频装置，其特征在于，所述至少一个二极管包括第三二极管，所述连接线的第三连接点通过所述第三二极管接地。
9.根据权利要求8所述的射频装置，其特征在于，所述第三连接点和所述功率放大器的输入端之间的距离为所述旁路电路的自激频率的1\/4波长。
10.根据权利要求8所述的射频装置，其特征在于，所述至少一个二极管还包括第四二极管，所述连接线的第四连接点通过所述第四二极管接地，所述第四连接点和所述功率放大器的输出端之间的距离为所述旁路电路的自激频率的1\/4波长。
设计说明书
技术领域
本申请涉及射频的技术领域，涉及一种射频装置及其功率放大电路。
背景技术
现有技术的功率放大电路设置有主路和旁路，主路设置有功率放大器；旁路在与主路相距预设工作频段的1\/4波长的位置设置有二极管，旁路通过二极管接地。
在功率放大电路的实际工作频段的1\/4波长和预设工作频段的1\/4波长的差值大于预设阈值时，二极管没有在阻抗变换后相对于主路起到开路的作用，进而导致功率放大器输出的信号进入旁边，并且功率放大器输出的信号通过旁边到达功率放大器的输入端，进而产生自激。
实用新型内容
为了解决现有技术的功率放大电路存在的上述问题，本申请提供一种射频装置及其功率放大电路。
为解决上述问题，本申请实施例提供了一种功率放大电路，其包括：
主路电路，包括：
功率放大器，所述功率放大器的输入端接收射频信号，用于对所述射频信号进行放大，所述功率放大器的输出端输出放大后的射频信号；
旁路电路，包括：
连接线，连接在所述功率放大器的输入端和所述功率放大器的输出端之间；
第一二极管，所述连接线的第一连接点通过所述第一二极管接地，所述第一连接点和所述功率放大器的输入端之间的距离为预设工作频段的1\/4波长；
第二二极管，所述连接线的第二连接点通过所述第二二极管接地，所述第二连接点和所述功率放大器的输出端之间的距离为所述预设工作频段的1\/4波长；
至少一个二极管，位于所述第一连接点和所述第二连接点之间的连接线通过所述至少一个二极管接地。
为解决上述技术问题，本发还提供一种射频装置，其包括功率放大电路，所述功率放大电路包括：
主路电路，包括：
功率放大器，所述功率放大器的输入端接收射频信号，用于对所述射频信号进行放大，所述功率放大器的输出端输出放大后的射频信号；
旁路电路，包括：
连接线，连接在所述功率放大器的输入端和所述功率放大器的输出端之间；
第一二极管，所述连接线的第一连接点通过所述第一二极管接地，所述第一连接点和所述功率放大器的输入端之间的距离为预设工作频段的1\/4波长；
第二二极管，所述连接线的第二连接点通过所述第二二极管接地，所述第二连接点和所述功率放大器的输出端之间的距离为所述预设工作频段的1\/4波长；
至少一个二极管，位于所述第一连接点和所述第二连接点之间的连接线通过所述至少一个二极管接地。
与现有技术相比，本申请的功率放大电路包括至少一个二极管，位于所述第一连接点和所述第二连接点之间的连接线通过所述至少一个二极管接地；在功率放大电路产生自激时，输出端输出的信号通过二极管接地，此时旁路电路对于主路电路相当于开路，降低旁路电路对主路电路的影响，消除自激。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请第一实施例的功率放大电路的电路示意图；
图2是本申请第二实施例的功率放大电路的电路示意图；
图3是本申请第三实施例的功率放大电路的电路示意图；
图4是本申请第四实施例的功率放大电路的电路示意图；
图5是本申请第一实施例的射频装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或者位置关系，仅是为了方便描述本申请合简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
请参见图1所示，图1是本申请第一实施例的功率放大电路的电路示意图。本实施例的功率放大电路10包括主路电路11和旁路电路12；其中主路电路11包括功率放大器111，功率放大器111的输入端112接收射频信号，功率放大器111用于对射频信号进行放大，功率放大器111的输出端113输出放大后的射频信号。
其中，旁路电路12包括连接线121、第一二极管D1、第二二极管D2和至少一个二极管D，连接线121设置有第一连接点122和第二连接点123，第一连接点122通过第一二极管D1接地，第二连接点123通过第二二极管D2接地。具体地，第一二极管D1的正极连接第一连接点122，第一二极管D1的负极接地；第二二极管D2的正极连接第二连接点123，第二二极管D2的负极接地。
第一连接点122和功率放大器111的输入端112之间的距离可为预设工作频段的1\/4波长，第二连接点123和功率放大器111的输出端113之间的距离可为预设工作频段的1\/4波长。其中，预设工作频段可为功率放大器111的工作频段。
在功率放大器111正常工作时，主路电路11的电流通过第一二极管D1或\/和第二二极管D2；在功率放大器111的输入端112接收射频信号时，第一二极管D1和第二二极管D2相当于短路状态，射频信号可以经过第一二极管D1或\/和第二二极管D2直接接地。由于预设工作频段的1\/4波长的阻抗变换作用，旁路电路12在预设工作频段内相对于主路电路11为开路状态，即射频信号没有经过旁路电路12传输。
在功率放大器111停止工作时，主路电路11断开，第一二极管D1和第二二极管D2没有电流经过，此时射频信号通过旁路电路12输出。
其中，位于第一连接点122和第二连接点123之间的连接线121通过至少一个二极管D接地，即至少一个二极管D设置在第一二极管D1和第二二极管D2之间。二极管D的正极连接至连接线121的第一连接点122和第二连接点123之间，二极管D的负极接地。
在主路电路11的实际工作频段的1\/4波长和预设工作频段的1\/4波长的差值大于预设阈值时，功率放大器111的输出端113输出放大后的射频信号通过至少一个二极管D接地，此时旁路电路12对于主路电路11相当于开路，降低旁路电路12对主路电路11的影响，消除自激。
本申请进一步提供第二实施例的功率放大电路，其在第一实施例所揭示的功率放大电路的基础进行描述，如图2所示，至少一个二极管D包括三个二极管，三个二极管分别为二极管D11、二极管D12和二极管D13。
其中，二极管D11的正极连接至连接线121的第一连接点122和第二连接点123之间，二极管D11的负极接地；二极管D12的正极连接至连接线121的第一连接点122和第二连接点123之间，二极管D12的负极接地；二极管D13的正极连接至连接线121的第一连接点122和第二连接点123之间，二极管D13的负极接地。
在主路电路11的实际工作频段的1\/4波长和预设工作频段的1\/4波长的差值大于预设阈值时，功率放大器111的输出端113输出放大后的射频信号通过二极管D11、二极管D12和二极管D13接地，此时旁路电路12对于主路电路11相当于开路，降低旁路电路12对主路电路11的影响，消除自激。
本申请进一步提供第三实施例的功率放大电路，其在第一实施例所揭示的功率放大电路的基础进行描述，如图3所示，至少一个二极管D包括第三二极管D3，连接线121进一步设置有第三连接点124，其中连接线121的第三连接点124通过第三二极管D3接地，即第三二极管D3的正极与第三连接点124连接，第三二极管D3的负极接地。
其中，第三连接点124和功率放大器111的输入端112之间的距离可为旁路电路12的自激频率的1\/4波长；自激频率可为功率放大器111的输入端112输出放大后的射频信号的频率。
由于第三连接点124和功率放大器111的输入端112之间的距离为自激频率的1\/4波长，因此旁路电路12对于主路电路11相当于开路，降低旁路电路12对主路电路11的影响，消除自激。
本申请进一步提供第四实施例的功率放大电路，其在第三实施例所揭示的功率放大电路的基础进行描述，如图4所示，至少一个二极管D进一步包括第四二极管D4，连接线121进一步设置有第四连接点125，其中连接线121的第四连接点125通过第四二极管D4接地，即第四二极管D4的正极与第四连接点125连接，第四二极管D4的负极接地。
其中，第四连接点125和功率放大器111的输出端113之间的距离可为旁路电路12的自激频率的1\/4波长；自激频率可为功率放大器111的输入端112输出放大后的射频信号的频率。
由于第四连接点125和功率放大器111的输出端113之间的距离为自激频率的1\/4波长，因此旁路电路12对于主路电路11相当于开路，降低旁路电路12对主路电路11的影响，消除自激。
本申请进一步提供第一实施例的射频装置，如图5所示，该射频装置50包括功率放大电路51，该功率放大电路51可为上述实施例所揭示的功率放大电路，在此不再赘述。
综上所述，本申请的功率放大电路包括至少一个二极管，位于所述第一连接点和所述第二连接点之间的连接线通过所述至少一个二极管接地；在功率放大电路产生自激时，输出端输出的信号通过二极管接地，此时旁路电路对于主路电路相当于开路，降低旁路电路对主路电路的影响，消除自激。
需要说明的是，以上各实施例均属于同一申请构思，各实施例的描述各有侧重，在个别实施例中描述未详尽之处，可参考其他实施例中的描述。可以理解，本申请各实施例可以单独使用，也可以结合其他实施例中的技术特征使用，本申请各实施例的组合仍属于本申请的保护范围之内。
以上对本申请实施例所提供的保护电路和控制系统进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920045709.1
申请日:2019-01-08
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:94(深圳)
授权编号:CN209375590U
授权时间:20190910
主分类号:H03F 3/19
专利分类号:H03F3/19;H03F3/21
范畴分类:38J;
申请人:深圳市大富科技股份有限公司
第一申请人:深圳市大富科技股份有限公司
申请人地址:518104 广东省深圳市宝安区沙井街道蚝乡路沙井工业公司第三工业区A1、A2、A3的101、A4的第一、二、三层
发明人:赵修茂
第一发明人:赵修茂
当前权利人:深圳市大富科技股份有限公司
代理人:李庆波
代理机构:44280
代理机构编号:深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙）
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计