SiO2光学薄膜的吸收边特性

论文摘要

二氧化硅（SiO2）是光学系统中最常用光学薄膜材料之一,其微观结构、缺陷等信息对于研究和提高薄膜的性能具有重要作用。本文通过电子束蒸发、离子辅助、磁控溅射方法制备SiO2薄膜并进行测试,计算出其吸收边光谱,对吸收边光谱的强吸收区、e指数区、弱吸收区进行分段分析得到SiO2薄膜的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量数据。进一步分析三种薄膜和其在常规退火温度下的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量的数据,获得SiO2薄膜的微观原子排列结构、微观缺陷信息,并对不同镀膜技术和不同退火温度下SiO2薄膜的原子排列结构、微观缺陷的差异和变化进行了分析和讨论。

论文目录

• 1 引言
• 2 实验、测试和吸收系数计算
•   2.1 实验准备和测试
•   2.2 基片和薄膜的吸收系数计算
• 3 分析和讨论
•   3.1 短波吸收边分析
•   3.2 Si O2薄膜吸收边特性
• 4 总结和展望

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 孔明东,李斌成,郭春,柳存定,何文彦

关键词: 薄膜,带隙宽度,带尾能量,氧空位缺陷

来源: 光电工程 2019年04期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

单位: 中国科学院光电技术研究所,中国科学院大学,电子科技大学光电科学与工程学院

基金: 中国科学院西部之光基金,国家自然科学基金资助项目(61805247)~~

分类号: TQ127.2;TB383.2

页码: 14-20

总页数: 7

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