导读:本文包含了带隙宽度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:光子晶体,禁带宽度,质量摩尔浓度,乙酸水溶液
带隙宽度论文文献综述
阿不都热苏力[1]（2016）在《利用金刚石结构叁维光子晶体带隙宽度测量乙醇水溶液的浓度》一文中研究指出利用平面波展开法研究了液体介质金刚石(diamond)晶格结构叁维光子晶体的带隙和带宽。选择金刚石结构材料TiO_2作为基底,在金刚石晶格光子晶体的球形空洞内填入待测质量摩尔浓度不同的溶液材料,得到了溶液填充的叁维光子晶体在不同偏振模式下的禁带宽度。模拟显示:溶液的浓度变化与光子晶体带隙宽度或输出功率变化接近线性关系,而线性相关程度受填充空气孔内液体质量摩尔浓度的影响,进行了多组参数比对与优化,最终获得了线性度最高的禁带宽度或输出功率与溶液质量摩尔浓度的对应关系。(本文来源于《激光杂志》期刊2016年02期）
阿不都热苏力[2]（2015）在《光子晶体带隙宽度测量法在溶液浓度检测中的应用》一文中研究指出探讨了光子晶体光纤带隙宽度测量法在溶液质量摩尔浓度检测中的应用。数值模拟中利用平面波展开法计算了二维各向同性的不同介质圆柱组成的叁角晶格光子晶体光纤的带隙和带宽。选择二维叁角晶格光子晶体材料硅(Si)作为基底,在空气孔内填充待测质量摩尔浓度不同的溶液材料,得到了溶液填充的光子晶体光纤在不同偏振模式下的禁带宽度。模拟显示:溶液的浓度变化与光子晶体带隙宽度或输出功率变化接近线性关系,而线性相关程度受填充空气孔内液体质量摩尔浓度的影响,进行了多组参数比对与优化,最终获得了线性度最高的禁带宽度或输出功率与糖溶液质量摩尔浓度的对应关系.基于这个对应关系,提出了基于光子晶体带隙宽度测量的溶液浓度检测方法。(本文来源于《激光杂志》期刊2015年11期）
王守国[3]（2015）在《Zn掺杂调控单晶外延磁性隧道结Fe/MgZnO/Fe势垒带隙宽度》一文中研究指出MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒的带隙宽度为7.8 eV,从而导致结电阻与结面积的乘积(RA)较大,成为限制其广泛应用的瓶颈之一。ZnO薄膜的带隙宽度为3.4 eV,若被用做势垒层来制备磁性隧道结,应该可以大幅度降低RA乘积,(本文来源于《2015中国功能新材料学术论坛暨第四届全国电磁材料及器件学术会议摘要集》期刊2015-08-19）
房艳永,杨立森,张兰根,张印[4]（2011）在《二维光子晶格的带隙位置以及影响带隙宽度的因素研究》一文中研究指出利用四孔振幅掩模的傅里叶变换法,在LiNbO3∶Fe晶体中制作了二维光子晶格,利用功率计测量其透射效率,找到满足Bragg衍射条件的带隙并测量出了二维正方晶格斜45°角方向上以及水平方向上的相对带隙宽度。实验结果表明,在照射相同条件下二维正方格子斜45°方向上的相对禁带宽度比水平方向上的相对禁带宽度宽。(本文来源于《信息记录材料》期刊2011年06期）
陈玉明[5]（2011）在《半导体材料带隙宽度的尺寸和温度效应研究》一文中研究指出近几十年来,随着半导体材料尺寸的减小,许多的实验研究发现纳米半导体材料出现了完全不同于传统块体材料的很多新颖性能。为了研究这些新颖性能,科研工作者们提出了很多经典理论如连续介质力学和量子近似理论。但是由于纳米材料的边缘效应,这些理论在解释材料新颖性能的物理机制都遇到了极大的困难。因此,从物理机制上理解和预测纳米半导体材料的尺寸和温度产生的应变对其光电性能的影响是一个具有挑战性的工作。由于纳米材料表面大量的低配位原子和它们之间的相互作用,使得其性能完全不同于块体材料。最近提出的键序-键长-键强(BOLS)理论,提出了纳米材料尺寸效应主要是表面低配位原子的相互作用引起的,其中心思想是低配位原子间键变短变强。这使得纳米材料的表面区域产生局域应变和能量钉扎,因此修正原子结合能、哈密顿量等。将BOLS理论发展到温度场,提出局域键平均近似(LBA),核心思想包括:(1)纳米材料的全部或者局部是可以由材料的典型键来表述;(2)样品的可测量可以通过可测量和典型键的键性质参数(键序、键型、键长和键强)的关系获得,外加因素对键性质参数的影响是确定的。本文研究了半导体材料(IV族Si和Ge,III-V族GaN和AlN,II-VI族ZnSe、ZnS和ZnO)带隙宽度随尺寸和温度的变化关系。主要结果为:(1)比表面积主导尺寸效应的变化趋势;(2)表层原子对带隙宽度的尺寸效应起主要作用;(3)纳米材料的带隙宽度的尺寸效应源自表面效应和表面键长收缩和键能增加;(4)带隙宽度随温度增加而减小的原因主要是由于温度增加时伴随着键长增大,键能减小。理论研究表明,半导体纳米材料的带隙宽度与其键性质(键序、键长、键强、键的属性)有着密切的关系。理论预测与实验测量的一致性证明:如果一个键断裂,则低配位原子的剩余键将变短变强,伴随着产生局域应变和近肤能量钉扎,也修正结合能密度和内能,而这正是尺寸改变纳米材料力学和热学特性的原因。因此BOLS理论和LBA近似理论是连接宏观理论方法与微观理论方法的桥梁。(本文来源于《湘潭大学》期刊2011-04-20）
张印,杨立森,房艳永,张宝光,张兰根[6]（2010）在《一维光子晶格的带隙位置以及影响带隙宽度的因素研究》一文中研究指出利用双孔振幅掩模的傅里叶变换法,在LiNbO3∶Fe晶体中制作了一维光子晶格,并用功率计测量其透射效率,测出满足Bragg衍射条件的带隙,分析了在角度域范围内干涉光场的时间、掩模的孔间距对禁带宽度的影响.实验结果表明,辐照时间t=35 min、掩模孔间距2a=8 mm时,LiNbO3∶Fe晶体的带宽达到最大.(本文来源于《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》期刊2010年06期）
翦知渐,彭景翠,张高明,周仁龙,林峰[7]（2004）在《一维类梳状波导光子晶体的频率带隙宽度》一文中研究指出一维类梳状波导是由在一维主链上周期性接枝而形成的光子晶体 .利用界面响应理论可导出波导的色散关系 ,据此分别讨论了这种光子晶体的带隙宽度与波导接枝参数之间的关系 .接枝的介电常数和长度的变化将会使对带隙的宽度发生改变 ,通过数值计算发现 ,对于不同类型的接枝 ,参数变化引起的带隙宽度的变化趋势基本相同 ,而不同的参数产生的影响则有很大差别 .特别的 ,当参数变化至某些特定点时带隙将会消失 ,这和其他类型的光子晶体完全不同 ,带隙的消失不是因为缺陷而仅仅是因为参数改变的影响 .(本文来源于《湖南大学学报(自然科学版)》期刊2004年02期）
何志,顾广瑞,李英爱,殷红,赵永年[8]（2001）在《纳米TiO_2簿膜的导电性与带隙宽度的研究》一文中研究指出本文研究了纳米TiO_2薄膜的导电性与不同的基底材料和不同的膜厚的关系,以及带隙宽度与不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中,我们使用Ti靶,通入Ar和O_2的混合气体,制备出了纳米TiO_2薄膜.溅射是在常温下和总压力为1.2Pa的条件下进行的,薄膜膜厚大约12～159nm.在空气中我们测量了不同膜厚和不同基底材料的纳米TiO_2薄膜的电阻率,发现同一基底材料的电阻率,随着膜厚的增加而非线性的增大.当达到一定厚度,纳米TiO_2薄膜的电阻率趋于无穷大,并且不同基底材料在同一膜厚的电阻车也不相同.同时得出二氧化钛薄膜的带隙宽度随着薄膜厚度的变化而变化的结论。(本文来源于《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》期刊2001-10-01）
带隙宽度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
探讨了光子晶体光纤带隙宽度测量法在溶液质量摩尔浓度检测中的应用。数值模拟中利用平面波展开法计算了二维各向同性的不同介质圆柱组成的叁角晶格光子晶体光纤的带隙和带宽。选择二维叁角晶格光子晶体材料硅(Si)作为基底,在空气孔内填充待测质量摩尔浓度不同的溶液材料,得到了溶液填充的光子晶体光纤在不同偏振模式下的禁带宽度。模拟显示:溶液的浓度变化与光子晶体带隙宽度或输出功率变化接近线性关系,而线性相关程度受填充空气孔内液体质量摩尔浓度的影响,进行了多组参数比对与优化,最终获得了线性度最高的禁带宽度或输出功率与糖溶液质量摩尔浓度的对应关系.基于这个对应关系,提出了基于光子晶体带隙宽度测量的溶液浓度检测方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
带隙宽度论文参考文献
[1].阿不都热苏力.利用金刚石结构叁维光子晶体带隙宽度测量乙醇水溶液的浓度[J].激光杂志.2016
[2].阿不都热苏力.光子晶体带隙宽度测量法在溶液浓度检测中的应用[J].激光杂志.2015
[3].王守国.Zn掺杂调控单晶外延磁性隧道结Fe/MgZnO/Fe势垒带隙宽度[C].2015中国功能新材料学术论坛暨第四届全国电磁材料及器件学术会议摘要集.2015
[4].房艳永,杨立森,张兰根,张印.二维光子晶格的带隙位置以及影响带隙宽度的因素研究[J].信息记录材料.2011
[5].陈玉明.半导体材料带隙宽度的尺寸和温度效应研究[D].湘潭大学.2011
[6].张印,杨立森,房艳永,张宝光,张兰根.一维光子晶格的带隙位置以及影响带隙宽度的因素研究[J].内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版).2010
[7].翦知渐,彭景翠,张高明,周仁龙,林峰.一维类梳状波导光子晶体的频率带隙宽度[J].湖南大学学报(自然科学版).2004
[8].何志,顾广瑞,李英爱,殷红,赵永年.纳米TiO_2簿膜的导电性与带隙宽度的研究[C].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001