全文摘要
本实用新型公开了一种负压保护电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，其中，所述第一晶体管的基极通过第二电阻连接电源负电压，其发射极接地，所述第一电阻连接于所述电源负电压及地之间，该第一晶体管的集电极通过第三电阻连接所述第二晶体管的栅极，该第二晶体管的源极连接电源正电压，其漏极作为电压输出端，所述第四电阻连接于所述第二晶体管源极和栅极之间。与现有技术相比，本实用新型中当电路中有电源负电压输入后，第一晶体管集电极端才对地导通，第二晶体管的源极和栅极产生电压差，使得第二晶体管导通，可知，本实用新型的负压保护电路形式简单，元器件数目少，可提高电路的工作稳定性。
主设计要求
1.一种负压保护电路，其特征在于：所述负压保护电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，其中，所述第一晶体管的基极通过第二电阻连接电源负电压，其发射极接地，所述第一电阻连接于所述电源负电压及地之间，该第一晶体管的集电极通过第三电阻连接所述第二晶体管的栅极，该第二晶体管的源极连接电源正电压，其漏极作为电压输出端，所述第四电阻连接于所述第二晶体管源极和栅极之间。
设计方案
1.一种负压保护电路，其特征在于：所述负压保护电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，其中，所述第一晶体管的基极通过第二电阻连接电源负电压，其发射极接地，所述第一电阻连接于所述电源负电压及地之间，该第一晶体管的集电极通过第三电阻连接所述第二晶体管的栅极，该第二晶体管的源极连接电源正电压，其漏极作为电压输出端，所述第四电阻连接于所述第二晶体管源极和栅极之间。
2.如权利要求1所述的负压保护电路，其特征在于：所述负压保护电路还包括有一第二电容，所述第二电容一端与第二晶体管的源极连接，其另一端接地。
3.如权利要求1所述的负压保护电路，其特征在于：所述负压保护电路还包括有一第一电容，所述第一电容的正极与第二晶体管的源极连接，其负极接地。
4.如权利要求1所述的负压保护电路，其特征在于：所述第一晶体管为PNP型晶体管。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及砷化镓及氮化镓放大器技术领域，更具体地涉及一种负压保护电路。
背景技术
目前的大功率固态功率放大器需要使用到大电流电源，电流动辄几安培到几十安培，而若电源如果出现过流过压，在极短的时间内功放管就会被烧毁；由于现有的砷化镓、氮化镓功率管是由栅极负电压控制漏极的大电流，其要求负电压在正电压之前加载到功率管上，以使得功率管的工作电流控制在额定范围内，否则，加载到功率管上的电流不受控制，使得电流过大，过大的电流可能会烧毁功率管。为了解决上述问题，人们通过在固态功率放大器中增加负压保护电路以保证负电压在正电压之前加载到功率管上，防止功率管被烧毁，保证固态功率放大器的工作稳定性，然而现有的负压保护电路电路结构复杂，组成元器件数量偏多，使得电路工作可靠性较低。
鉴于此，有必要提供一种结构简单、可提高电路可靠性的负压保护电路以解决上述缺陷。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、可提高电路可靠性的负压保护电路。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种负压保护电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，其中，所述第一晶体管的基极通过第二电阻连接电源负电压，其发射极接地，所述第一电阻连接于所述电源负电压及地之间，该第一晶体管的集电极通过第三电阻连接所述第二晶体管的栅极，该第二晶体管的源极连接电源正电压，其漏极作为电压输出端，所述第四电阻连接于所述第二晶体管源极和栅极之间。
其进一步技术方案为：所述负压保护电路还包括有一第二电容，所述第二电容一端与第二晶体管的源极连接，其另一端接地。
其进一步技术方案为：所述负压保护电路还包括有一第一电容，所述第一电容的正极与第二晶体管的源极连接，其负极接地。
其进一步技术方案为：所述第一晶体管为PNP型晶体管。
与现有技术相比，本实用新型的负压保护电路中当电路中有电源负电压输入后，第一晶体管集电极端才对地导通，第二晶体管的源极和栅极产生电压差，使得第二晶体管导通，可知，本实用新型的负压保护电路可保证其仅在正电压输入前加载有负电压到电路元器件的情况下工作，以防止电路元器件被烧毁，且形式简单，元器件数目少，可提高电路的工作稳定性。
附图说明
图1是本实用新型负压保护电路一具体实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的普通技术人员更加清楚地理解本实用新型的目的、技术方案和优点，以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步的阐述。
参照图1，图1是本实用新型负压保护电路100一具体实施例的电路结构示意图。在附图所示的实施例中，所述负压保护电路100包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及第四电阻R4，其中，所述第一晶体管Q1为PNP型三极管，第二晶体管Q2为场效应管，所述第一晶体管Q1的基极通过第二电阻R2连接电源负电压V-，其发射极接地，所述第一电阻R1连接于所述电源负电压V-及地之间，该第一晶体管Q1的集电极通过第三电阻R3连接所述第二晶体管Q2的栅极，该第二晶体管Q2的源极连接电源正电压V+，其漏极作为电压输出端OUT，所述第四电阻R4连接于所述第二晶体管Q2源极和栅极之间。基于上述设计，本实用新型的负压保护电路100将负压电源和正压电源作为电路的输入，当电路中有负压电源即电源负电压V-输入后，第一晶体管Q1集电极端才对地导通，第二晶体管Q2的源极和栅极才会产生电压差，使得第二晶体管Q2导通，保证了电路在没有负压电源输入的前提下没有电压输出，可知，本实用新型的负压保护电路100形式简单，元器件数目少，且可保证电路中负电压V-在正电压V+之前加载到电路元器件上，以防止电路元器件被烧毁，保证电路的工作稳定性。
在某些实施例中，所述负压保护电路100还包括有一第一电容C1及第二电容C2，其中，所述第一电容C1为极性高容值电容，所述第二电容C2为无极性低容值电容，所述第一电容C1的正极及第二电容C2的一端均与第二晶体管Q2的源极连接，该第一电容C1的负极及第二电容C2的另一端均接地。基于该设计，所述第一电容C1可进行正压电源储能和低频纹波滤波，所述第二电容C2可进行正压电源高频纹波滤波。
本实施例中负压保护电路100的工作原理如下：
当仅输入电源正电压V+且电源负电压V-端悬空时，通过第一电阻R1可保证负电压V-端悬空时将端口电平下拉至GND，使得第一晶体管Q1发射极和基极不形成电压差，集电极和发射极间不导通即第一晶体管Q1不导通，此时第二晶体管Q2的源极和栅极不形成电压差，源极和漏极不导通，则电压输出端OUT无正电压输出；当有负电压V-输入时，第一晶体管Q1发射极和基极间形成有电压差，则第一晶体管Q1导通，该第一晶体管Q1集电极和正电压V+端之间形成电压差，通过第三电阻R3和第四电阻R4形成分电压，此时第二晶体管Q2的源极和栅极间形成有电压差，第二晶体管Q2导通，电压输出端OUT输出正电压，且输入的正电压V+可通过第一电容C1和第二电容C2进行滤波。
综上所述，本实用新型的负压保护电路中当电路中有电源负电压输入后，第一晶体管集电极端才对地导通，第二晶体管的源极和栅极产生电压差，使得第二晶体管导通，可知，本实用新型的负压保护电路可保证其仅在正电压输入前加载有负电压到电路元器件的情况下工作，以防止电路元器件被烧毁，且形式简单，元器件数目少，可提高电路的工作稳定性。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，而非对本实用新型做任何形式上的限制。本领域的技术人员可在上述实施例的基础上施以各种等同的更改和改进，凡在权利要求范围内所做的等同变化或修饰，均应落入本实用新型的保护范围之内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920097338.1
申请日:2019-01-21
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:87(西安)
授权编号:CN209200659U
授权时间:20190802
主分类号:H02H 9/00
专利分类号:H02H9/00
范畴分类:38C;
申请人:西安茂德通讯科技有限公司
第一申请人:西安茂德通讯科技有限公司
申请人地址:710000 陕西省西安市国家民用航天产业基地西安建工科技创业基地A区一排一号第三层
发明人:屈平;钟意;董伟强;韩万收
第一发明人:屈平
当前权利人:西安茂德通讯科技有限公司
代理人:冯筠
代理机构:44242
代理机构编号:深圳市精英专利事务所
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计