瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟

论文摘要

为了解决瞬态电压抑制二极管（TVS）用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288 mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40 nH和回路电阻为3.3 mΩ时,22μF/16 V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8～12 V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟（2μs）,且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。

论文目录

• 1 引言
• 2 实验部分
•   2.1 实验样品制备
•   2.2 瞬态电压抑制二极管
•   2.3 电容放电发火电路
• 3 结果与讨论
•   3.1 电容放电发火等效电路
•   3.2 半导体桥换能元电爆特性模拟
•   3.3 并联TVS前后半导体桥电爆特性仿真及试验
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王军,李勇,卢兵,周彬,陈厚和,黄亦斌

关键词: 半导体桥,瞬态电压抑制二极管,电爆特性

来源: 含能材料 2019年10期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑,信息科技

专业: 燃料化工,武器工业与军事技术,无线电电子学

单位: 南京理工大学化工学院,中国工程物理研究院化工材料研究所,宁波振华电器有限公司

分类号: TN31;TQ560.7

页码: 837-844

总页数: 8

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