导读:本文包含了寄生电容论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:寄生电容,充电电流,漏泄电流,栅极电流
寄生电容论文文献综述
范春帅,张扬,彭丽君[1]（2019）在《MOSFET栅极寄生电容对电参数测试影响》一文中研究指出在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判。本文通过对MOSFET结构的分析,从原理上解释了上述现象的成因,并且提出了一种可以有效避免,由于栅极寄生电容干扰导致测试结果不准确的测试程序编写方法。(本文来源于《电子世界》期刊2019年17期）
杭京伟,张建成[2]（2019）在《基于并行计算的矩形导体寄生电容求解》一文中研究指出为了快速求解电路间导体的寄生电容,将并行技术引入了矩形导体电容的求解。设计了停留介面法用于求解多层介电质结构下电位值;应用了口字型积分求取了电场值;分别给出电位值和电场的并行架构。最后,给出了并行效率分析的详细推导公式,分析了并行化处理的效率。结果表明:并行化处理可以用于加速矩形导体寄生电容的求解时间;在集群32计算节点下,并行比串行计算时间快30多倍。可见,并行化处理可用于加速计算二维结构模型多层介电质矩形导体寄生电容。(本文来源于《电脑与信息技术》期刊2019年04期）
蒋展鹏[3]（2019）在《考虑寄生电容的DCX模式叁电平LLC谐振变换器的分析与设计》一文中研究指出在电力电子变换系统中,通常采用中间母线变换器来实现电气隔离和电压匹配。LLC谐振变换器可以实现功率器件的软开关,变换效率高。为此,本文选用LLC谐振变换器作为中间母线变换器的电路拓扑,研究其存在寄生电容时的工作情况及其优化设计。针对输入电压较高的场合,本文采用叁电平LLC谐振变换器,以降低开关管的电压应力,易于选择合适开关管。本文分析了叁电平LLC谐振变换器的工作原理,采用基波近似法推导了其电压增益表达式。将该变换器的开关频率设置在略低于谐振频率,此时其电压增益基本与负载无关,具有很好的直流变压器(DC Transformer,DCX)特性。而且,可以在全负载范围内实现原边开关管的零电压开关(Zero-Voltage-Switching,ZVS)和副边整流管的零电流关断(ZeroCurrent-Switching,ZCS)。因此,定频叁电平LLC谐振变换器特别适合作为中间母线变换器。在实际电路中,存在变压器绕组电容和输出整流管结电容等寄生电容,这会造成极轻负载特别是空载时输出电压飘高。本文分析了考虑寄生电容的叁电平LLC谐振变换器在轻载时的工作原理。由于此时采用基波近似法得到的变换器电压增益表达式不准确,本文采用时域分析法,通过求解变换器轻载时各开关模态的时域表达式,推导了极轻负载条件下考虑寄生电容时变换器的电压增益函数,阐述了输出电压飘高的原因。这是因为在变压器原边电压换向时,寄生电容会导致谐振电感电流大于励磁电感电流,其电流差在原边电压完成换向后传递至变压器副边,使得极轻负载时输出电压显着升高。最后,本文设计了一台输入电压为640V,输出电压为40V,功率为160W的叁电平DCX-LLC谐振变换器原理样机,给出了其主电路参数和控制电路设计。同时,通过合理设计变压器绕组结构,减小了其绕组电容。实验结果表明,所设计的原理样机具有优良的DCX特性,极轻负载时输出电压飘高较小;而且实现了功率器件的软开关,变换效率高。(本文来源于《南京航空航天大学》期刊2019-03-01）
梁丰收,朱啸宇,薛伟光,徐勇,武云龙[4]（2019）在《高压系统安规Y电容及寄生电容应用研究》一文中研究指出Y电容是指跨接于火线和地线(L-G)之间以及在零线和地线(N-G)之间的电容器,它适用于电容失效时会导致电击、危及人身安全的场合[1]。本文以某电动客车为例,针对Y电容在高压系统中的作用、造成的问题等有关方面,简要介绍其原理和影响。在对车辆进行相关测试之后,通过对其原理进行分析,提出相应的优化方案。从合理优化车辆Y电容来达到提升高压系统及整车包括电磁兼容、电能质量、高压安全在内的电气性能。(本文来源于《汽车电器》期刊2019年02期）
徐鹏,柯俊吉,赵志斌,谢宗奎,魏昌俊[5]（2018）在《碳化硅MOSFET静态特征参数及寄生电容的高温特性研究》一文中研究指出为了获取碳化硅(Si C)MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在不同温度下对器件的静态特性及寄生电容进行测量。并基于已有硅(Si)MOSFET的静态特性理论,结合碳化硅材料的温度特性,详细分析了碳化硅MOSFET静态特征参数的温度特性。研究结果表明碳化硅MOSFET的跨导具有与硅器件完全不同的温度特性,并且相比于第一代碳化硅MOSFET,第二代器件的泄漏电流表现出更低的温度依赖性。然而随着温度升高,第二代碳化硅MOSFET的导通电阻较第一代增长更快,但增长依旧远低于硅MOSFET。(本文来源于《华北电力大学学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
曲昊,彭倍,彭鹏,周吴,于慧君[6]（2018）在《寄生电容对电容式加速度传感器输出电压的影响》一文中研究指出电容检测是保证电容式加速度传感器正常工作的重要条件之一。传感器中敏感结构间的寄生电容会对电容检测产生影响。文中建立了传感器敏感结构的等效模型,分析了寄生电容对输出电压产生的影响。文中首先分析了电容式加速度传感器中检测电路的工作原理。其次,根据敏感结构的组成分析待测电容以及寄生电容的分布情况,以及寄生电容对电容检测结果的影响。最后,通过实验验证理论分析的结果。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2018年06期）
谭克研[7]（2018）在《寄生电容对迭层片式陶瓷电感器的影响及提取消除方法研究》一文中研究指出寄生电容是迭层片式陶瓷电感器的重要参数,对电感器的Q值和谐振频率具有很大的影响,关于迭层片式陶瓷电感器寄生电容的提取是电路设计中的一个很大的难题。本文将从寄生电容的特性出发,分析寄生电容在电感器中的作用以及电容电感对电流测试值的影响,以及膜厚、端头宽度和电感器寄生电容的关系,探讨从迭层片式陶瓷电感器中提取寄生电容会受哪些因素的影响以及提取方法。(本文来源于《电子制作》期刊2018年08期）
陈勇,朱梦梦,高海丽,朱全聪,林聪[8]（2018）在《GIS管道寄生电容的串联谐振升压方法研究》一文中研究指出目前GIS套管中电磁式TV大多采用级联变压器升压方法,但是由于升压的设备体积大、笨重以及所需电源容量大等原因造成在现场使用困难;GIS套管中存在着寄生电容,如果利用传统方法升压需要的无功容量很大。提出一种基于GIS套管中寄生电容与可调电抗器串联谐振升压方法。该方法首先对GIS套管寄生的电容进行准确测量,然后根据所测电容量选择相匹配的可调电抗器,以达到串联工频谐振条件。本文所述试验方法在220 k V谷满变电站GIS套管中电磁式TV误差试验进行了验证,该方法利用GIS套管中寄生电容与可调电抗器实现升压,提高了现场可操作性。(本文来源于《云南电力技术》期刊2018年02期）
秦海鸿,张英,朱梓悦,王丹,付大丰[9]（2017）在《寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响》一文中研究指出为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响进行研究,揭示各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响规律。实验结果表明:随着SiC MOSFET极间电容的增大,其开关速度降低、开关能量增大,开关过程中的电压、电流尖峰有所降低;与极间电容不同,C_J增大时会引起电流尖峰的增加。(本文来源于《中国科技论文》期刊2017年23期）
郑芳林,任佳琪,刘程晟,李小进,石艳玲[10]（2017）在《14 nm FinFET栅围寄生电容的建模与拟合》一文中研究指出提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按叁维几何结构划分寄生电容的种类,再借助坐标变换推导出等效电容计算模型,准确表征了不同鳍宽、鳍高、栅高和层间介质材料等因素对寄生电容的依赖关系。为了验证该寄生电容模型的准确性,对不同结构参数的寄生电容进行叁维TCAD仿真。结果表明,模型计算结果与仿真结果的拟合度好,准确地反映了器件结构与寄生电容之间的依赖关系。(本文来源于《微电子学》期刊2017年05期）
寄生电容论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了快速求解电路间导体的寄生电容,将并行技术引入了矩形导体电容的求解。设计了停留介面法用于求解多层介电质结构下电位值;应用了口字型积分求取了电场值;分别给出电位值和电场的并行架构。最后,给出了并行效率分析的详细推导公式,分析了并行化处理的效率。结果表明:并行化处理可以用于加速矩形导体寄生电容的求解时间;在集群32计算节点下,并行比串行计算时间快30多倍。可见,并行化处理可用于加速计算二维结构模型多层介电质矩形导体寄生电容。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
寄生电容论文参考文献
[1].范春帅,张扬,彭丽君.MOSFET栅极寄生电容对电参数测试影响[J].电子世界.2019
[2].杭京伟,张建成.基于并行计算的矩形导体寄生电容求解[J].电脑与信息技术.2019
[3].蒋展鹏.考虑寄生电容的DCX模式叁电平LLC谐振变换器的分析与设计[D].南京航空航天大学.2019
[4].梁丰收,朱啸宇,薛伟光,徐勇,武云龙.高压系统安规Y电容及寄生电容应用研究[J].汽车电器.2019
[5].徐鹏,柯俊吉,赵志斌,谢宗奎,魏昌俊.碳化硅MOSFET静态特征参数及寄生电容的高温特性研究[J].华北电力大学学报(自然科学版).2018
[6].曲昊,彭倍,彭鹏,周吴,于慧君.寄生电容对电容式加速度传感器输出电压的影响[J].仪表技术与传感器.2018
[7].谭克研.寄生电容对迭层片式陶瓷电感器的影响及提取消除方法研究[J].电子制作.2018
[8].陈勇,朱梦梦,高海丽,朱全聪,林聪.GIS管道寄生电容的串联谐振升压方法研究[J].云南电力技术.2018
[9].秦海鸿,张英,朱梓悦,王丹,付大丰.寄生电容对SiCMOSFET开关特性的影响[J].中国科技论文.2017
[10].郑芳林,任佳琪,刘程晟,李小进,石艳玲.14nmFinFET栅围寄生电容的建模与拟合[J].微电子学.2017