导读:本文包含了缓冲电路论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电路,变换器,无源,断路器,尖峰,逆变器,过电压。
缓冲电路论文文献综述
卞正达,黄天一,徐长福,王若隐,张铭[1]（2019）在《针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计》一文中研究指出由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展。以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象,着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖峰问题的研究,分析了SiC MOSFET在开关过程中产生尖峰和振荡的原因,通过增加RC缓冲电路的方法对SiC的尖峰和振荡问题进行优化,结果证明RC缓冲电路可以降低SiC器件产生的尖峰和振荡。通过多组实验进行数据曲线的拟合,确定了RC缓冲电路中缓冲电容与缓冲电阻的关系表达式。(本文来源于《电力工程技术》期刊2019年06期）
苟锐锋,俞天毅,孙广星,刘文君[2]（2019）在《基于RCD与MOV的直流固态断路器缓冲电路优化分析与设计》一文中研究指出为了保护固态断路器免受短路故障的瞬态冲击,设计有效和经济的缓冲器是相当重要的。传统的放电抑制型缓冲器由于其具有良好的电压钳位能力和较短的故障清除时间而被广泛使用,与此同时,金属氧化物变阻器由于其非线性伏安特性也可作为一个合适的解决方案。为了优化缓冲器设计,通过4个指标分析和比较这两种缓冲器的性能,包含峰值电压、峰值电流、故障清除时间及成本,充分考虑二者优势与不足的基础上,提出了基于电阻电容二极管(resistance capacitor diode, RCD)与金属氧化物变阻器(metal oxide varistors, MOV)混合型缓冲拓扑,该拓扑在合理的故障消除时间内,母线电压为200 V的情况下,缓冲峰值电压为264 V,相比于单独RCD电路缓冲电压峰值下降10.4%,单独MOV电路缓冲电压峰值下降30.8%。混合型缓冲电路能综合利用多种缓冲电路的优势,另外提出的4个指标,对缓冲器性能的评估给出了有价值的参考。(本文来源于《高电压技术》期刊2019年08期）
张弘雨,全书海,李占鹏,钱亮[3]（2019）在《适用于大功率DC/DC的新型无源无损缓冲电路》一文中研究指出无源软开关技术因其控制简单且易于实现,得到了广泛工程应用。但无源无损缓冲电路应用于大功率场合时,流过缓冲电路二极管和电感的电流较大,造成器件体积大和散热困难等问题。为了解决上述难题,提出一种适用于大功率场合的新型无源无损缓冲电路的拓扑结构以及该缓冲电路谐振元件参数的设计方法。通过使谐振回路尽量避免参与主电路续流过程,降低流过二极管与缓冲电感的电流。采用该拓扑设计的缓冲电路,在能够实现开关管零电流开通、零电压关断的前提下,具有更小的体积和发热量,提升了效率。通过设计一台15 kW的Buck变换器样机,验证了这种缓冲电路理论分析和设计的正确性。(本文来源于《电力电子技术》期刊2019年05期）
林海军,张泽旺,陈路遥,梁波,邓文涛[4]（2019）在《带输入缓冲电路的12位200兆流水线模数转换器》一文中研究指出在12 bit 200 M采样率的模数转换电路(ADC)中实现了片内CMOS输入缓冲电路,输入缓冲电路采用源极跟随器电路构架。通过分析源极跟随器的非线性特点,在输入缓冲电路中加入高通滤波电路、复制电容电路等方式,有效提高了输入缓冲电路的线性度。将该输入缓冲电路用于无数字校准的12 bit 200 M采样率的流水线型模数转换电路(ADC)中,用台积电0.18μm CMOS工艺条件下流片验证,当采样时钟为200 MHz、输入信号频率为10 MHz、振幅为1.4 V_(pp)时其失真噪声比(SNDR)为63.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为78.6 dBc,ADC总体功耗为500 mW。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2019年02期）
刘传洋,孙佐,刘景景[5]（2019）在《一种基于Buck变换器的缓冲电路》一文中研究指出针对最小电压应力缓冲单元的缓冲电感与电容的比值受限制,使得PWM占空比范围较窄,非最小电压应力缓冲单元可以拓宽占空比范围,开关器件承受的电压应力过大的问题,提出了一种新型的无源低损缓冲电路。缓冲电路应用于Buck变换器。介绍了Buck变换器缓冲电路拓扑,进行了Buck变换器工作模态分析,给出了Buck变换器缓冲电路参数设计,建立了Buck变换器的仿真模型,制作设计了实验样机。通过仿真和实验分析,无源低损缓冲电路可以实现开关器件的零电流开通和零电压关断,有效地提高了Buck变换器的工作效率。(本文来源于《宿州学院学报》期刊2019年01期）
郭小强,王学惠,伞国成,张纯江[6]（2018）在《RC缓冲电路对GaN E-HEMTs开关电压振荡影响分析》一文中研究指出相对于传统硅(Si)器件,氮化镓(GaN)功率器件有着更优越的性能,包括更高的开关频率和功率密度及更低的开关损耗等特点。由于高速的开关特性,器件的寄生电容与线路中的寄生电感会发生谐振,从而导致器件两端电压发生过冲和振荡的现象。此处利用一种双脉冲测试电路,对GaN器件的开关过程进行建模分析,设计合理的缓冲电路有效抑制电压过冲和振荡的问题。最后利用GS66504B GaN E-高电子迁移晶体管(HEMTs)评估板,对缓冲电路设计参数进行实验研究并修正,实验结果验证了缓冲电路方案的有效性。(本文来源于《电力电子技术》期刊2018年09期）
贾永博,杨春,张媛[7]（2018）在《基于DSP28335的单相逆变器缓冲电路优化设计》一文中研究指出针对单相逆变器主电路中IGBT开关瞬间产生冲击电压的问题,提出一种缓冲电路及参数优化设计方法。通过分析缓冲电路的工作原理,推导出参数选取公式。在理论分析的基础上,设计了一台300 W单相逆变器的缓冲电路。实验结果表明:所设计的缓冲电路能够有效抑制IGBT关断时的尖峰电压,保证逆变器可靠运行。(本文来源于《工业仪表与自动化装置》期刊2018年03期）
李春杰,李洪美,闫俊荣,柴艳莉[8]（2018）在《阻抗源逆变器缓冲电路分析与设计》一文中研究指出对于功率较大的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)装置,线路寄生电感较大,IGBT关断时的电压变化率和过冲电压很容易损坏功率器件。抑制过冲电压,除了采用低感母排减小寄生电感外,还需要缓冲电路。通过分析阻抗源逆变器工作特性,针对线路杂散电感会造成直通和非直通转换时存在电压尖峰的问题,提出一种适用于阻抗源逆变器的缓冲电路,该电路有效抑制了IGBT关断时的电压变化率和过冲电压,大大减小了母线电压尖峰,提高了变换效率。仿真和实验波形证实了缓冲电路的可行性。(本文来源于《电力电子技术》期刊2018年04期）
刘程卓,王渝红,龚鸿,王媛[9]（2018）在《一种适用于混合式高压直流断路器负载换流开关的新型缓冲电路》一文中研究指出基于混合式高压直流断路器的工作原理,提出了一种新型的负载换流开关缓冲电路。该电路通过2个绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的简单控制,在混合式高压直流断路器分闸时,能阻断缓冲电容经超快速机械开关的放电通路;在混合式高压直流断路器短时间多次动作时,能保证缓冲电容每一次过电压的吸收效果,提高混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。(本文来源于《电力自动化设备》期刊2018年03期）
俞天毅,刘飞,刘文君,陈超,查晓明[10]（2018）在《低压直流微网中固态断路器缓冲电路和续流电路的交互影响分析与混合参数设计》一文中研究指出当低压直流微网母线发生故障时,位于直流母线末端的固态断路器便会发挥其隔离故障区域的作用。与此同时,连接在固态断路器和母线之间的续流路径起到故障能量吸收和故障电流衰减的作用。然而在故障发生期间,与固态断路器并联的缓冲电路所起到的过电压抑制作用会影响续流路径故障能量吸收的效果,同时续流路径的阻值也相应会影响缓冲电路的过电压抑制能力。因此,着重分析了二者之间的交互影响,并设计了实现过电压抑制与故障清除时间满足约束条件的混合参数设计方案,以±200V直流为例进行了仿真验证与初步的实验,证明了设计的可行性。(本文来源于《电工电能新技术》期刊2018年12期）
缓冲电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了保护固态断路器免受短路故障的瞬态冲击,设计有效和经济的缓冲器是相当重要的。传统的放电抑制型缓冲器由于其具有良好的电压钳位能力和较短的故障清除时间而被广泛使用,与此同时,金属氧化物变阻器由于其非线性伏安特性也可作为一个合适的解决方案。为了优化缓冲器设计,通过4个指标分析和比较这两种缓冲器的性能,包含峰值电压、峰值电流、故障清除时间及成本,充分考虑二者优势与不足的基础上,提出了基于电阻电容二极管(resistance capacitor diode, RCD)与金属氧化物变阻器(metal oxide varistors, MOV)混合型缓冲拓扑,该拓扑在合理的故障消除时间内,母线电压为200 V的情况下,缓冲峰值电压为264 V,相比于单独RCD电路缓冲电压峰值下降10.4%,单独MOV电路缓冲电压峰值下降30.8%。混合型缓冲电路能综合利用多种缓冲电路的优势,另外提出的4个指标,对缓冲器性能的评估给出了有价值的参考。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
缓冲电路论文参考文献
[1].卞正达,黄天一,徐长福,王若隐,张铭.针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计[J].电力工程技术.2019
[2].苟锐锋,俞天毅,孙广星,刘文君.基于RCD与MOV的直流固态断路器缓冲电路优化分析与设计[J].高电压技术.2019
[3].张弘雨,全书海,李占鹏,钱亮.适用于大功率DC/DC的新型无源无损缓冲电路[J].电力电子技术.2019
[4].林海军,张泽旺,陈路遥,梁波,邓文涛.带输入缓冲电路的12位200兆流水线模数转换器[J].固体电子学研究与进展.2019
[5].刘传洋,孙佐,刘景景.一种基于Buck变换器的缓冲电路[J].宿州学院学报.2019
[6].郭小强,王学惠,伞国成,张纯江.RC缓冲电路对GaNE-HEMTs开关电压振荡影响分析[J].电力电子技术.2018
[7].贾永博,杨春,张媛.基于DSP28335的单相逆变器缓冲电路优化设计[J].工业仪表与自动化装置.2018
[8].李春杰,李洪美,闫俊荣,柴艳莉.阻抗源逆变器缓冲电路分析与设计[J].电力电子技术.2018
[9].刘程卓,王渝红,龚鸿,王媛.一种适用于混合式高压直流断路器负载换流开关的新型缓冲电路[J].电力自动化设备.2018
[10].俞天毅,刘飞,刘文君,陈超,查晓明.低压直流微网中固态断路器缓冲电路和续流电路的交互影响分析与混合参数设计[J].电工电能新技术.2018
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