导读:本文包含了氧空位对论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铌酸锶钡,弥散相变,弛豫型铁电体,氧空位
氧空位对论文文献综述
汤卉,唐新桂,蒋艳平,刘秋香,李文华[1]（2019）在《铌酸锶钡陶瓷中氧空位对离子电导率和弛豫现象的影响》一文中研究指出由于铅对环境存在各种危害,无铅铁电功能陶瓷的研究是当前研究热点之一.弛豫铁电体因具有较低的容温变化率和大的电致伸缩系数,在陶瓷电容器材料中占据重要地位.且无铅功能陶瓷在高温介电行为和阻抗的分析研究工作对功能陶瓷在高温下的适用具有重要的指导意义. Sr_xBa_(1–x)Nb_2O_6陶瓷采用传统的高温固相反应法制备而成,并系统地研究了Sr_xBa_(1–x)Nb_2O_6陶瓷的介温特性和阻抗.值得注意的是,铌酸锶钡的高温弛豫尚未研究报导.结果显示,锶在陶瓷中组分比例的增加会使铁电相转变为顺电的相变温度降低.此外,通过计算, x=0.6的铌酸锶钡陶瓷的弥散相变参数g=1.94,表明x=0.6的铌酸锶钡陶瓷在低温下接近理想的弛豫铁电体.另外,阻抗分析数据显示陶瓷存在热激活弛豫现象.最后,利用阿伦尼乌斯定律从阻抗和介电数据中计算出了电导活化能和弛豫活化能.计算结果证明,氧空位引起的离子跳跃在高温介电弛豫过程中发挥了关键作用.(本文来源于《物理学报》期刊2019年22期）
马戌君,胡诗渝,陈锋[2]（2019）在《氧空位对贵金属负载二氧化钛光催化性能的影响》一文中研究指出贵金属Pt负载能显着提高Ti O2材料的光催化活性;Pt/Ti O2催化剂的光催化活性与Pt的负载量、存在形式、分散度以及载体缺陷息息相关。氧空位(Oxygen vacancy,Ov)作为金属氧化物材料最常见的缺陷之一,能够为贵金属Pt粒子的生长提供有效位点,调控Pt的化学状态和分散度。我们的工作着力于研究Ov对表面贵金属的作用,从而进一步提高催化剂的光催化性能。(本文来源于《2019第叁届全国光催化材料创新与应用学术研讨会摘要集》期刊2019-09-20）
周莹[3]（2019）在《氧空位对氧化铪基薄膜铁电相稳定性影响机理的第一性原理研究》一文中研究指出与传统的铁电材料相比,新发现的氧化铪基铁电薄膜有着与标准硅工艺兼容性好、禁带宽度大(~5.7 eV)、10 nm以下仍可保持优异的铁电性能等优势,故氧化铪基薄膜有望成为新一代最有潜力的存储器用铁电薄膜。但很多实验和计算研究表明氧化铪基薄膜的正交铁电相并非自由状态下最稳定的相结构,因此氧化铪基薄膜的铁电相变机理一直困惑着研究者们,这也使得氧化铪基铁电薄膜的研制和应用受到了一定的阻碍。有研究表明:氧空位的存在会影响氧化铪基薄膜的铁电相变,且与薄膜的唤醒效应、疲劳效应和印记效应等有关,但是氧空位对氧化铪基薄膜的结构和性能的具体作用机制尚不清楚。因此,本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统地研究了氧空位和由氧空位和典型杂质所形成的复合缺陷对相稳定性的影响。同时,由于TiN/HfO_2的界面结构对氧化铪基薄膜的铁电性能的影响尚不清楚,因此本论文研究了TiN/HfO_2界面氧含量这一因素的影响。本论文取得的研究成果主要包括以下叁个方面:(1)氧空位对相稳定性和电学性能的影响。完整结构的正交铁电相和单斜相的能量差值为2.64 eV(8个单胞)。块体内的氧空位使正交铁电相和单斜相的能量差值减小为1.21 eV,有利于正交铁电相的稳定。随着氧空位浓度的增加,氧化铪的极化值不断增大,而极化翻转的能量势垒呈现出先减小后增大的趋势。此外,与完整的正交铁电相电子结构相比,存在氧空位的正交铁电相其费米能级由原来的价带顶上移,禁带中出现一条新的陷阱能级,其中3配位氧空位产生的陷阱能级比4配位氧空位的陷阱能级离导带底更近,更容易产生漏电流增大的现象;(2)氧空位与N、Ti、La和Ta杂质的组合对相稳定性的影响。块体内杂质使正交铁电相与单斜相的能量差值的减小仅在1 eV以内,因此我们进一步研究了氧空位和杂质的组合对正交铁电相稳定性的影响。结果表明N和La这类易与氧空位结合的杂质,会形成沿极化方向的缺陷偶极子,使得正交铁电相和单斜相的能量差值减小了约2 eV,意味着正交铁电相的能量和单斜相的能量基本相等;(3)铁电/电极界面氧空位对薄膜相演变的影响。界面处的氧空位形成能比薄膜内部的小的多(相差约2 eV),氧空位更容易出现在界面处。当界面不存在氧空位时,正交铁电相是最稳定的相结构,4层正交铁电相单胞的能量比单斜相低2.8eV;当界面有一个氧空位时,正交铁电相与单斜相的能量相当,此时四方相易相变成正交铁电相,这与观察到的唤醒效应的结构演化是一致的。随着界面氧空位数量的进一步增加,单斜相增多会出现疲劳现象。(本文来源于《湘潭大学》期刊2019-06-01）
苏婷,杨玉林[4]（2019）在《氧空位对TiO_2结构影响及在染料敏化太阳能电池中的应用》一文中研究指出本文通过水热合成纳米粉体和混合气流热处理相结合的方法制备了氢化TiO_2纳米粉体,并将其作为光阳极材料应用于染料敏化太阳能电池中。由于氢化热处理的温度影响二氧化钛中氧空位的浓度,用EPR检测氧空位的存在并研究温度对氢化TiO_2粉体中氧空位的影响。利用氢化TiO_2纳米粉体在紫外可见甚至近红外区域吸收都有所提高,并且氧空位的存在改善了电子的传输情况并提高电子寿命,可以明显增强染料敏化太阳能电池对可见光的利用率并改善其光电转化效率。实验结果表明:在100mW cm~(-2)(AM1.5G)模拟太阳光照射下,用300oC混合气流处理的二氧化钛性能最优,光电转化效率达到7.76%,短路电流密度可达到18.92 mA cm~(-2),开路电压可达到0.72V,与空白样相比,电池效率提高28%。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
杨文军[5]（2019）在《氧空位对六方叁氧化钨纳米线阻变行为的影响》一文中研究指出非易失性随机阻变存储器具有阻变切换速度快、易于构建、低能耗等优越的性能,最有望成为下一代新颖的信息存储器。阻变存储器是利用在外部激励的作用下器件高阻态与低阻态之间相互转换的特点,实现信息的存储与读取。根据文献报道,氧空位迁移是引起阻态转变最主要的原因之一。然而,氧空位主导的阻变机理仍存在争议。空位迁移、空位形成导电丝以及空位对电子的俘获等作用机理仍相互交错,激励条件尚未明确,延缓了缺陷主导的忆阻器的发展。传统的薄膜型忆阻器具有较强的晶面散射,掩盖了氧空位的作用机理。因而本文基于六方叁氧化钨纳米线构建了一维阻变存储器,通过改变氧空位浓度探究了空位主导的阻态转变机理。具体研究成果如下:1.利用水热法实现了h-WO_3纳米线的可控制备。通过调控反应温度、反应时间、反应物化学计量比以及诱导剂种类,实现了纳米线直径、长度的有效调控,获得了单分散性好,直径约为70-500 nm、长度约为2-15μm,表面光滑、沿c轴方向生长、结晶性较高的、含有少量空位的六方晶相纳米线。2.通过控制氧化/还原温度与时间,实现了纳米线中氧空位浓度的调控。当氧化/还原温度由室温升高至673K、时间为40min时,在纳米线保持良好形貌与较高结晶性的同时实现了内部氧空位浓度(1.38%-14.27%)的有效调控。同时实验发现氧化/还原过程中氧原子的填充/缺失主要发生在沿径向/轴向的O-W-O链中。沿轴向大量氧原子的缺失增加了晶格的无序度,导致费米能级附近产生新的指数分布的缺陷能级;随空位浓度增加,缺陷能级逐渐上移,并与导带底重迭形成安德森局域。3.通过分析I-V特性曲线,进一步阐明了氧空位在忆阻性能中的作用机理。在低氧空位浓度下,忆阻器由低阻态开启呈现出双极性特性,I-V曲线拟合结果也表明该导电机制由SCLC机制主导。然而,在高缺陷浓度下,缺陷导致晶格的强无序诱发安德森局域,抑制了载流子的迁移,导致电导明显下降,忆阻器转变为高阻态开启并呈现出单极性特性。在大偏压扫描或连续重复负向脉冲的刺激下,氧空位定向迁移降低了晶格无序,安德森局域退化,导电机制转变为缺陷能级决定的SCLC机制,忆阻器恢复双极性特性,出现NDC现象。实验表明,通过改变氧空位浓度可以实现忆阻器极性的转变,有利于多级存储器的构建。同时,通过大偏压作用或重复脉冲刺激可诱导氧空位俘获效应与氧空位迁移机理的相互转变,加深了氧空位阻变机理的理解,有利于忆阻器的发展。(本文来源于《湖南师范大学》期刊2019-05-01）
黎晏彰,李艳,许晓明,丁聪,陈宁[6]（2019）在《无序度与氧空位对锌铁尖晶石能带结构调控研究》一文中研究指出尖晶石型矿物广泛分布于地球表生环境中,其阳离子种类与配位结构的多样性使其具有不同的物化性质。本研究通过高温固相合成法制备了一系列锌铁尖晶石样品((Zn_(1-x) Fe_x)[Zn_xFe_(2-x)]O_4),反转系数x=0、0.03、0.06、0.15和0.20。通过X射线衍射结构精修、X射线吸收谱和拉曼光谱的研究手段证实,随着x的增加,晶体无序度提高,表现为四面体(本文来源于《中国矿物岩石地球化学学会第17届学术年会论文摘要集》期刊2019-04-19）
孙艳娟,王红,邢倩,崔雯,李解元[7]（2019）在《氧空位对Bi_2MoO_6的关键作用:促进可见光光催化活性和反应机理（英文）》一文中研究指出Bi_2MoO_6(BMO)作为一种典型的Bi基光催化剂,近年来受到越来越多的关注并被广泛应用.然而, Bi_2MoO_6的可见光光催化活性仍然存在一些限制,如有限的光响应范围和低电荷分离效率.为了提高光催化活性,研究者采取了各种策略,包括元素掺杂、形成异质结构和形貌控制等.早期研究表明,氧空位可以拓展光催化剂的光吸收区域,并且氧空位是光催化剂表面反应物活化最活跃的位点,可以促进电荷分离和使电子局域化.因此,制备具有氧空位的Bi基光催化剂可能是提高其光催化性能的有效途径.然而,氧空位对Bi_2MoO_6电子结构和光催化反应机理的影响尚不清楚.本文通过在制备过程中加入NaBH_4诱导氧空位形成,合成出了具有氧空位的可见光驱动的Bi_2Mo_6微球(BMO-X).利用UV-visDRS光谱研究了合成后的光催化剂的光学吸收性能,发现在产生氧空位后, BMO-4在可见区域的吸收显着增强,带隙从BMO的2.40 eV降低到BMO-4的2.07 eV.通常,较强的光吸收能力对光催化反应更有利,因为可以产生更多的光生载流子参与光催化作用.将所制备的催化剂用于光催化净化NO,结果表明具有氧空位的Bi_2MoO_6(BMO-4)的可见光催化NO净化效率为43.5%,远高于本体Bi_2MoO_6(BMO)的可见光光催化活性(25.0%).结合实验表征和理论计算结果,探讨了氧空位对Bi_2MoO_6电子结构和光催化净化NO反应机理的影响.采用低温固态电子顺磁共振(EPR)检测了催化剂中的氧空位,在BMO中仅检测到弱的EPR信号,表明BMO中几乎没有氧空位,而BMO-4上的EPR信号非常强,表明NaBH_4的引入诱导产生了大量的氧空位.DFT计算确认BMO-4的带隙内有中间能级形成.XPS测试结果表明,与BMO相比, BMO-4的Bi–O峰值强度略有下降,可能是由于部分Bi–O中缺少O原子以形成氧空位所致.PL结果表明,具有氧空位的Bi_2MoO_6(BMO-4)显示出显着降低的光激发电子-空穴对分离效率,可能是由于氧空位改变了Bi_2MoO_6的电子结构.此外,理论计算结果发现具有氧空位的Bi_2MoO_6的表面电子可以位于氧空位周围,这有利于电荷分离和反应物活化.同时,该结果表明BMO-4中增强的电荷分离归因于氧缺陷对改进的电子结构的影响.此外,电子局域化可以为反应物活化提供额外的活性位点(O_2, NO等),这可以促进BMO-4中自由基的产生和污染物转化.利用原位红外光谱动态监测光催化NO氧化过程.与本体Bi_2MoO_6相比,引入氧空位后的Bi_2MoO_6光催化净化NO的反应机理未改变.但是, BMO-4上终产物的特征峰强度显着增大.此外, BMO-4上明显增加的多种形式的最终产物,桥接硝酸盐消失并转化为更稳定的双齿硝酸盐.这些结果可归因于氧空位可以促进电荷分离和自由基的大量产生,从而增强光催化氧化性能.本工作为理解光催化氧气空位和气相光催化反应机理提供了新的见解.(本文来源于《催化学报》期刊2019年05期）
彭玉辉[8]（2018）在《氧空位对埋嵌型氧化锌量子点增强非线性光学性质的影响》一文中研究指出近年来,随着时代的发展,科技的进步,量子点半导体材料已成为纳米材料中广泛研究的对象。这是因为半导体量子点材料具有量子限域效应,可以获得许多独特的光电学性质。而直接宽禁带半导体材料ZnO,由于其在室温下具有较大的激子结合能(60 meV)和宽禁带(3.3 eV)的优点,使ZnO量子点成为了一种很有应用前景的光电半导体材料。单一的量子点性能比较局限,但是复合量子点可以产生单一量子点无法得到的许多新性能,而且复合量子点的结构、物理和化学状态稳定,可以实现复合量子点在器件中的实用价值。因此,在本文中,我们使用脉冲激光沉积结合快速退火技术合成了埋嵌在Al_2O_3基体中的ZnO量子点。我们采用透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)对埋嵌型ZnO量子点进行了表征。借助综合物性测量系统(PPMS)、Z扫描和泵浦探测(Pump-probe)对埋嵌型ZnO量子点进行了磁性和非线性光学的研究。我们探讨了埋嵌型ZnO量子点的氧空位对非线性光学性质的影响,得到了一些研究成果。具体内容如下:将氧化锌量子点埋嵌在固态基体中是一种设计非线性光学器件的有效方法。因此,在本文章中,使用脉冲激光沉积结合快速退火技术合成了埋嵌在Al_2O_3基体中的ZnO量子点。在实验中,我们发现了埋嵌型ZnO量子点在氮气退火后,产生了大量的氧空位。我们对埋嵌型ZnO量子点进行了磁性测量,表明了埋嵌在Al_2O_3基体中的ZnO量子点的铁磁性可能是由于氧空位所造成的。ZnO量子点的双光子吸收是一个瞬时非线性过程,氮气退火后的ZnO量子点比氧气退火后的ZnO量子点的双光子吸收提高了大约2倍。由于埋嵌型ZnO量子点中含有大量氧空位,所以可以实现非线性光学的增强,这对于ZnO纳米结构在光限幅器件和全光开关元件中的实际应用是很重要的。(本文来源于《江西师范大学》期刊2018-04-01）
张华喜[9]（2017）在《氧空位对二氧化钛纳米管场发射性能及石墨烯/二氧化钛复合物界面电荷转移的影响》一文中研究指出一维二氧化钛(TiO_2)纳米管被认为是理想的场发射材料,这要归因于其拥有很多优点:高纵深比、无毒、优异的抗辐射能力、大的比表面积、很好的热/化学稳定性和良好的尺寸可控性,这使得其能够应用于x射线源及平板显示器的电子发射阴极上。此外,通过电化学法垂直生长在Ti基底上的TiO_2纳米管表现出较窄的电子动能分布,并且良好的附着性极大地的降低界面接触电阻,从而提高电子发射效率。然而,TiO_2有很高的电子亲和能(4.33 eV),导致纳米管尖端的电子很难发射到真空。实验报道,室温环境下,通过水热反应制备得到的含O缺陷TiO_2纳米管在低的开启/阈电压下表现出高的发射电流密度,并且电子的场发射稳定性高。此外,在N和Fe掺杂的TiO_2纳米管中也发现有效增强的场发射现象,这要归因于掺杂的杂质原子以及伴随掺杂而产生O空位的出现。虽然TiO_2纳米管的电子发射能力受到本征O空位缺陷的影响,但其电子结构以及机理是不清楚的,有必要进行详细的研究。另一方面,由于TiO_2具有成本低、无毒、高光催化活性、及良好的热、物理、化学稳定性,因此被认为是很有潜力的光催化和光电材料。但是,由于TiO_2的能隙很大(金红石为3.0 eV,锐钛矿为3.2 e V),导致其只能吸收紫外光(UV)。UV光占总体太阳能光谱的5%,而可见光约为45%,这使太阳能的转换效率很低。近来,人们考虑杂化的TiO_2与石墨烯复合物作为光催化和光电材料。石墨烯是二维碳原子层,原子按六边蜂巢结构共价结合在一起,而且有很多不寻常的性质:石墨烯几乎透明、能够导电和导热、K点附近无质量的Dirac量子点、量子霍尔效应、比表面积大以及非常好的机械性能。石墨烯的能隙为0,并且有很高的电子迁移率,在室温下报道的迁移率超过15000 cm~2V~(-1)s~(-1)。此外,石墨烯表现出n型特征,并且容易成为空穴掺杂。实验报道,TiO_2纳米粒子可以直接在氧化石墨烯(GO)片层生长,并且杂化的石墨烯/TiO_2复合物有非常高的光催化活性,相比P25增强了3倍。杂化体系的光吸收边发生了明显的红移,从紫外光范围向可见光区域扩展,而且TiO_2的能隙值也大大降低。理论工作证明,石墨烯的π电子特征被完整的保留,并且与TiO_2之间是通过范德华力相互作用接触。电子从石墨烯片层向TiO_2发生了明显的转移,这导致石墨烯中发生空穴集聚现象。时间范畴的密度泛函理论分析表明光致电子的转移速度要比电子-振动能量的衰减速度快几倍,这使得石墨烯-TiO_2之间可以发生有效的电子-空穴对分离。所以,石墨烯-TiO_2复合物可以作为光催化和光电材料的基元。众所周知,氧空位是TiO_2中最常见本征缺陷,很容易在热处理后观察到。空位的存在对TiO_2的一些性质有明显影响,例如电导性、铁磁性和光响应。石墨烯-TiO_2复合物的电子结构和光学性质也可能受到氧空位的影响,但相关研究很少,系统的理论分析是有必要且有价值的。为了解决上述问题,我们选择计算机模拟方法来构建含有氧缺陷的体系,并研究它们的电子结构以及相关性质。主要研究结果分成如下两部分:一、使用第一原理计算方法并选择单壁管模型来研究O空位对TiO_2纳米管电子结构以及场发射性能的影响。GGA和B3LYP泛函结果表明,带间态的特征决定于O空位的类型,只有位于管壁外侧二配位的缺陷会在导带底以下引入一个浅的和深的能级。在外加电场下的电离势和轨道分布变化证明了本征O空位可以让TiO_2纳米管的电子发射能力得到有效加强。二、通过DFT+U计算来研究锐钛矿TiO_2(110)面与石墨烯之间的相互作用,包括电子结构、功函数和光学性质。我们发现,石墨烯中电子向不含缺陷的TiO_2转移,而当TiO_2中存在氧空位时,电荷会发生反方向转移。对于完整和含有缺陷的体系来说,光吸收在可见光范围都得到明显增强,这为光催化增强机理提供了合理解释。(本文来源于《吉林大学》期刊2017-12-01）
兰苑培[10]（2017）在《纳米二氧化铈颗粒的制备及氧空位对其性能的影响研究》一文中研究指出二氧化铈具有优异的氧化还原能力,是一种被广泛运用的功能材料。二氧化铈的氧空位对高品质纳米二氧化铈的性能有着重要影响。本文研究了以KCl-LiCl、KOHNaOH熔盐法及热等离子体法制备纳米二氧化铈的技术与工艺,并采用热等离子体及高温还原手段处理纳米二氧化铈并获得氧空位;通过BET、SEM、TEM、Raman、XPS等方法研究了制备的纳米二氧化铈的微观结构、氧空位含量及其特性;研究了二氧化铈对CO的催化氧化能力以及二氧化铈的能带结构。以碳酸铈作为前驱体,研究了采用热等离子体技术制备纳米二氧化铈颗粒,在等离子体功率为15 kW,载气为3 L/min氩气时,获得的蓝色非化学计量的纳米二氧化铈颗粒粒径最小,为40 nm;随着等离子体功率的增加,二氧化铈晶体及颗粒尺寸也相应增加;当功率为25 kW时或者使用氢气作为载气的条件下,纳米二氧化铈粉末中出现了CeOy(1.5<y<2.0)晶相。研究发现,利用KCl-LiCl熔盐法制纳米二氧化铈,在温度为600°C和空气气氛条件下加热4小时,得到了具有多面体结构且均匀分布的纳米二氧化铈颗粒,粒径约为30 nm。通过研究不同温度、时间、原始添加料以及气氛条件对纳米二氧化铈制备的影响规律,提出了纳米二氧化铈在KCl-LiCl熔盐体系中的形成长大机制。在KOH-NaOH熔盐体系中,二氧化铈的粒径及晶粒尺寸随着加热温度的增加而增加,且温度在200°C时制备的纳米二氧化铈的粒径最小,粒径约为20 nm。研究发现在空气、氮气或氢气条件下,200°C时使用KOH-NaOH熔盐法合成的纳米二氧化铈的形貌、颗粒尺寸差异较小。采用了热等离子体工艺以及高温氢气、空气处理工艺对纳米二氧化铈进行了处理,并考察研究了处理前后纳米二氧化铈的性能差异。研究发现通过超高温热等离子体处理,纳米二氧化铈的形貌从淡黄色无定形态转变为蓝色多面体,并形成了CeOy晶相。在500-900°C高温处理后的纳米二氧化铈颗粒粒径随着处理温度的增加而增加,二氧化铈表面有类似“烧结”的现象出现。并且相同的处理温度条件下,氢气处理后的样品较空气条件下处理后的二氧化铈的颗粒尺寸大。900°C氢气处理后的纳米二氧化铈出现了CeO2单晶,该样品中也发现了Ce2O3晶相。采用了Raman和XPS来表征纳米二氧化铈的氧空位。热等离子体制备的纳米二氧化铈的氧空位随着热等离子体处理功率的增加而增加。而KCl-LiCl熔盐法制备的纳米二氧化铈的氧空位含量较低,采用KOH-NaOH熔盐法时,氢气、氮气条件下制备的纳米二氧化铈比空气条件下制备的样品的氧空位含量高。高温氢气处理比空气处理的纳米二氧化铈的氧空位浓度高。分析并提出二氧化铈的两种氧空位形成机理,即如采用热等离子体技术合成纳米二氧化铈为例的非完全还原形成氧空位机理,二氧化铈发生未完全还原反应,形成了含有大量氧空位的非化学计量二氧化铈;以及非完全氧化过程形成氧空位机理,以KOH-NaOH熔盐法制备纳米二氧化铈为例,叁价铈盐未被完全氧化,形成具有一定氧空位含量的二氧化铈。研究发现热等离子体处理后获得的非化学计量纳米二氧化铈,由于处理过程中液相的形成等原因在200°C空气条件下具有较好的热稳定性。纳米二氧化铈对CO的催化氧化实验结果表明,KCl-LiCl熔盐法制备的纳米二氧化铈由于合成温度较高而具有更好的催化稳定性,以KOH-NaOH熔盐法制备的纳米二氧化铈则因为晶格缺陷较多因此具有更好的催化性能。研究结果表明氧空位能明显地提升二氧化铈的催化性能;Ce2O3对二氧化铈的催化性能具有很好的促进作用。而高温处理后,由于比表面积的快速降低,即使氧空位含量增加,样品的催化性能也大幅降低。纳米二氧化铈的禁带宽度研究结果表明,KCl-LiCl熔盐法制备的纳米二氧化铈的禁带宽度为2.7 eV,KOH-NaOH熔盐法制备的纳米二氧化铈禁带宽度为3.0-3.4 eV。研究发现通过非完全氧化过程获得的氧空位有利于禁带宽度的降低;而高温处理及热等离子体处理后,在纳米二氧化铈的氧空位增加条件下,二氧化铈的禁带宽度也在增加。另外,纳米二氧化铈中Ce2O3及CeOy的混入亦能有效地降低其禁带宽度。(本文来源于《重庆大学》期刊2017-04-01）
氧空位对论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
贵金属Pt负载能显着提高Ti O2材料的光催化活性;Pt/Ti O2催化剂的光催化活性与Pt的负载量、存在形式、分散度以及载体缺陷息息相关。氧空位(Oxygen vacancy,Ov)作为金属氧化物材料最常见的缺陷之一,能够为贵金属Pt粒子的生长提供有效位点,调控Pt的化学状态和分散度。我们的工作着力于研究Ov对表面贵金属的作用,从而进一步提高催化剂的光催化性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧空位对论文参考文献
[1].汤卉,唐新桂,蒋艳平,刘秋香,李文华.铌酸锶钡陶瓷中氧空位对离子电导率和弛豫现象的影响[J].物理学报.2019
[2].马戌君,胡诗渝,陈锋.氧空位对贵金属负载二氧化钛光催化性能的影响[C].2019第叁届全国光催化材料创新与应用学术研讨会摘要集.2019
[3].周莹.氧空位对氧化铪基薄膜铁电相稳定性影响机理的第一性原理研究[D].湘潭大学.2019
[4].苏婷,杨玉林.氧空位对TiO_2结构影响及在染料敏化太阳能电池中的应用[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[5].杨文军.氧空位对六方叁氧化钨纳米线阻变行为的影响[D].湖南师范大学.2019
[6].黎晏彰,李艳,许晓明,丁聪,陈宁.无序度与氧空位对锌铁尖晶石能带结构调控研究[C].中国矿物岩石地球化学学会第17届学术年会论文摘要集.2019
[7].孙艳娟,王红,邢倩,崔雯,李解元.氧空位对Bi_2MoO_6的关键作用:促进可见光光催化活性和反应机理（英文）[J].催化学报.2019
[8].彭玉辉.氧空位对埋嵌型氧化锌量子点增强非线性光学性质的影响[D].江西师范大学.2018
[9].张华喜.氧空位对二氧化钛纳米管场发射性能及石墨烯/二氧化钛复合物界面电荷转移的影响[D].吉林大学.2017
[10].兰苑培.纳米二氧化铈颗粒的制备及氧空位对其性能的影响研究[D].重庆大学.2017