SiC MOSFET驱动及保护电路设计

SiC MOSFET驱动及保护电路设计

论文摘要

SiC MOSFET器件具有高耐压、低导通电阻、高频等优良特性,工业应用中具有明显优势,发展快速。本文首先阐述了SiC MOSFET主要特性,分析了驱动电路的特点,并给出了基于分立器件的驱动及保护电路设计。基于CREE公司最新第三代器件,设计了驱动电路,并通过双脉冲电路及桥臂直通电路测试验证所设计的SiC器件门极驱动电路参数及短路保护电路参数的准确性和合理性。

论文目录

  • 0 引 言
  • 1 SiC MOSFET的基本特性
  •   1.1 门极驱动电压
  •   1.2 Vds/Id特性
  •   1.3 低开关损耗
  • 2 SiC MOSFET的驱动电路设计
  •   2.1 信号隔离电路设计
  •   2.2 驱动放大电路设计
  •   2.3 保护电路设计
  • 3 实验结果
  • 4 结 语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 柳舟洲

    关键词: 门极参数,双脉冲测试,桥臂直通短路

    来源: 微电机 2019年12期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技

    专业: 无线电电子学

    单位: 西安微电机研究所

    分类号: TN386

    DOI: 10.15934/j.cnki.micromotors.2019.12.014

    页码: 70-73

    总页数: 4

    文件大小: 1498K

    下载量: 389

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