论文摘要
文章基于分子束外延法（molecular beam epitaxy,MBE）制备高质量的硒化铋（Bi2Se3）薄膜,运用反射式高能电子衍射仪（reflection high-energy electron diffraction,RHEED）表征样品的生长质量。在Bi2Se3和Ge上将蒸镀铟（In）电极和银（Ag）电极分开,并将其制成肖特基结光电探测器,据此测量了样品在不同波长激光和不同温度下的光响应特性及低温对样品的影响,并通过计算样品的响应度、开关比、探测率等参数分析了拓扑绝缘体在光电探测方面的应用前景。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 周勇,仇怀利,王朝东,徐伟,陈实,李中军
关键词: 拓扑绝缘体,硒化铋,分子束外延,光响应
来源: 合肥工业大学学报(自然科学版) 2019年10期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 物理学,化学
单位: 合肥工业大学电子科学与应用物理学院
基金: 国家自然科学基金资助项目(21503061),安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME122)
分类号: O469;O614.532
页码: 1353-1356
总页数: 4
文件大小: 824K
下载量: 200
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