导读:本文包含了光致发光和电致发光论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:纳米,导热性,吸收光谱,结构,荧光粉,聚酰亚胺,可溶性。
光致发光和电致发光论文文献综述
欧凯[1]（2019）在《纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的光致发光及电致发光性能研究》一文中研究指出随着信息时代的快速发展,对发光材料和显示器件的要求越来越高。虽然目前显示领域有了很多新的突破和进展,但仍然面临一些问题需要解决。自从GaN基蓝光LED问世以后,蓝宝石衬底、SiC衬底以及Si衬底LED相继被报道,性能也得到很大提升。但是,Si衬底与GaN之间具有16.7%的晶格失配,同时Si的热膨胀系数与GaN之间也存在很大的差异,所以在Si衬底上外延生长得到的GaN薄膜容易产生缺陷、裂纹、位错或者弯曲等现象。虽然通过引入AlN作为缓冲层能够从技术领域基本克服这些问题,但是这会进一步增加制备工艺的难度。在有机发光二极管(OLEDs)领域,器件的寿命和有机材料的稳定性制约着OLEDs的发展。此外,基于量子点具有很好的光稳定性、发光效率高、发光光谱可调等优点,量子点器件也成为新的研究热点。在量子点的合成材料方面,目前研究成熟的主要是基于Cd。Cd本身的毒性,使得量子点和相关的量子点发光器件的应用领域受到限制,尤其是生物领域。所以制备出无毒高效的量子点和量子点器件是新的挑战。找到新的替代材料,制备出稳定、无毒、发光效率高和寿命长的电致发光器件对于显示行业的发展有着很重要的意义,尤其是蓝色发光。作为无毒、宽带隙的ZnSe(2.7eV),一直是研制蓝绿色发光器件的热门材料。ZnSe材料目前已经被广泛应用到激光、非线性光学、光电探测和发光等领域。本论文通过电子束蒸发技术制备了纳米结构的ZnSe/ZnS多层薄膜,并以此作为发光层,制备了蓝色电致发光器件。既利用了ZnSe本身的性质,又利用了纳米结构的优良特性。这为蓝色电致发光的研究提供了新思路,同时也对白光LED的研究做出贡献。本论文的研究工作主要得到以下成果:(1)单层ZnSe薄膜性质的研究。通过电子束蒸发沉积了单层的ZnSe薄膜,属于立方结构,更趋向于(111)晶向生长。首先,在氮气环境中退火处理,薄膜在蓝光区域有着强的吸收,但未得到ZnSe的蓝色发光。我们研究了退火温度对晶体结构、透射光谱、折射率、吸收系数与反射系数、光学带隙等参数的影响。其次,在氧气环境中退火处理,立方结构的ZnSe薄膜被完全氧化成六方纤锌矿结构的ZnO薄膜。ZnO薄膜的PL光谱由370 nm的强发射峰和525 nm的弱发射峰组成,这分别对应于ZnO的带间发射和缺陷相关的发射。通过优化处理退火温度和时间,得到ZnSe氧化成ZnO的最优条件。此外,我们还研究了低温环境对于ZnO薄膜光致发光的影响。(2)通过电子束蒸发法制备了纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜,得到蓝色光致发光。薄膜晶体结构为立方结构的ZnSe和纤锌矿结构的ZnS。纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的激发峰位于350 nm处,光致发光光谱包含两个发射峰:441nm处强且窄的发射峰源于ZnSe的近带边发射;550nm处弱且宽的发射峰是与缺陷相关的发射,例如填隙,空位,晶格畸变和结构缺陷。从不同方面对纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的光致发光性能进行优化,包括ZnS层厚度、ZnSe层厚度、退火温度、退火时间、退火气流量等。此外,对纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜薄膜的低温光谱和稳定性也进行了表征测试。(3)将纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜作为发光层,制备出多层结构(ITO/PEDOT:PSS/EML/MgO/n-Si/Ag)的有机/无机复合的蓝色电致发光器件。对器件性能进行表征测试,如XRD、SEM、PL、EL、Ⅰ-Ⅴ测试,并对其发光机理进行研究。器件的电致发光机理是电子和空穴注入式复合发光。引入MgO层能够明显改善器件的性能:其一,改善发光层的结晶质量,提升发光层的发光强度;其二,作为空穴阻挡层,提升空穴浓度,降低载流子的猝灭,提升器件的电致发光性能。最后,我们从退火温度、硅片电阻率、MgO厚度、P型层厚度等方面对器件性能进行了进一步的改善。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-05-31）
丁远飞[2]（2018）在《多色碳量子点的制备及其电致发光与光致发光性能的调控》一文中研究指出碳量子点(CQDs)是一种粒径小于10 nm的准零维碳纳米颗粒,拥有碳材料的环境友好的特征,对环境和人体几乎没有毒性,同时又具有半导体量子点优异的光学特性。其优异的光学性质及环境友好的特点使其在量子点基电致发光二极管(QLEDs)和白光发光二极管(WLEDs)领域拥有潜在的应用价值。一方面,对于QLEDs,针对CQDs发光层存在的固态猝灭、荧光量子产率较低、成膜能力差及电导能力差的问题,本文旨在通过选择合适的碳源及表面修饰添加剂来控制合成具有固态防猝灭能力、高荧光量子产率、良好的电导特性和成膜能力的CQDs。另一方面,对于WLEDs,为了满足人们对环境友好型高显色指数(CRI)和相关色温(CCT)可调的需求,本文旨在通过选择合适的芯片和CQDs荧光粉,开发低耗、简单的可控制作WLEDs的工艺;并针对长波长CQDs荧光粉稀少的问题,本文旨在通过高效合成及分离纯化手段获得多色长波长CQDs,并通过分析其荧光性能,以获得对所制备多色长波长CQDs的发光机制的认识。具体的研究内容及结果如下:1、CQDs作为发光层在QLEDs中的应用。首先,以含苯环共轭结构的邻苯二甲酸为碳源、十六烷胺为修饰添加剂,一步溶剂热法合成了平均粒径为6.7 nm的长链钝化CQDs(L-CQDs),L-CQDs的石墨结构使其有利于电子传输。L-CQDs在紫外激发下发出明亮的蓝光,量子产率为13%,具有激发独立特性;同时L-CQDs具有固态防猝灭的能力及良好的成膜能力。最后,将L-CQDs作为发光层材料制作了QLEDs,器件在4–8 V电压下发出蓝光,具有良好的光稳定性,器件的启亮电压为5 V,最大亮度为5.4 cd/m~2。2、CQDs作为荧光粉在WLEDs中的应用。采用柱层析法分离以邻苯二甲酸和邻苯二胺为原料一步溶剂热法制备的CQDs混合溶液,得到发光颜色为绿光(G-CQDs)、黄光(Y-CQDs)和橙光(O-CQDs)的CQDs。叁种CQDs都只有一种发光中心,G-和Y-CQDs的不同PL发射主要由量子尺寸效应决定;而O-CQDs的PL发射过程与G-和Y-CQDs不同,其PL发射主要来源于其表面氧化形成的表面缺陷态。另外,在不需要固化剂和分散剂的情况下,通过红光、绿光和蓝光CQDs溶液的简单混合制作了固态发光的红绿蓝CQDs荧光膜,并通过调控叁种CQDs溶液的体积比制作出高CRI(83–88)、CCT可调(3466–7368K)的WLEDs。(本文来源于《太原理工大学》期刊2018-06-01）
徐秋蕾[3]（2013）在《新型铱配合物的合成和光致发光、电致发光性能研究》一文中研究指出通过在经典铱的叁元配合物Ir(ppy)3和Ir(piq)3(ppy:2-苯基吡啶,piq:2-苯基异喹啉)中的配体上分别加入具有空穴传输性能的咔唑基团和具有电子传输性能的恶二唑基团,利用一种新的合成方法制备并表征了几种新的铱磷光配合物。实验结果表明,基于Ir(ppy)3的铱的叁元衍生物Ir(L1)3-Ir(L3)3在503-540 nm处发绿光和黄绿光。而基于Ir(piq)3的叁元化合物Ir(L4)3-Ir(L6)3在611-631 nm处发红光。在配合物中加入咔唑和恶二唑基团后,Ir(L1)3-Ir(L3)3的发射强度较大,量子效率较高,磷光寿命较短,这些都表明它们有可能应用于OLEDs。四苯基膦酰亚胺(Htpip)具有P=O键和四个苯环,能够有效提高铱配合物的电子传输能力,以不同位置不同数量的叁氟甲基取代的2-苯基吡啶为主配体,Htpip为辅助配体合成了六个铱配合物,并且以它们为发光材料制备了一系列的器件:ITO/TAPC(30 nm)/Ir-complex(x wt%):mCP(15 nm)/TPBi(45 nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),具有良好的器件性能。研究表明,叁氟甲基引入到苯环的不同位置和不同数量可以调节配合物的发光颜色和电子传输等性能,从而影响其器件的性质。其中以配合物2-(4-(叁氟甲基)苯基)吡啶为主配体的铱配合物为发光中心,掺杂浓度为8 wt%的器件G4的性能最为良好,其最大亮度超过40000 cd m-2,最大电流效率为50.8 cd A-1,最大功率效率为29.01m W-1。对辅助配体Htpip进行了不同的基团修饰,如通过在Htpip的苯环上引入氟原子、甲氧基、叁氟甲基和萘基团,合成了四个配体F-Htpip、MeO-Htpip、3,5-CF3-Htpip和NA-Htpip。然后我们以4-CF3-ppy作为主配体,R-tpip作为辅助配体合成了四个配合物,表征并详细研究了其中(4CF3-ppy)2Ir(F-tpip)、(4CF3-ppy)2Ir(MeO-tpip)和(4CF3-ppy)2Ir(NA-tpip)叁个配合物的光致发光和电化学性能。以氟和叁氟甲基修饰的2,3-联吡啶、2,4-联吡啶dfpypy、2',6'-dtfm-2,4'-bpy和2',6'-dtfm-2,3'-bpy为主配体,tpip或Ftpip为辅助配体合成了两组配合物Ir1((dfpypy)2Ir(tpip))、Ir2((dfpypy)2Ir(Ftpip))和 Ir3((2',6'-dtfm-2,3'-bpy)2Ir(tpip))、Ir4((2',6'-dtfm-2,4'-bpy)2Ir(tpip)),对它们的一系列性质进行了研究,并初步研究了以Ir3为发光中心的电致发光性能。Ir3的电子迁移率比常用的电子传输材料Alq3还高,器件最大亮度超过40000 cd m-2,在2200 cd m-2的亮度时达到90 cd A-1的电流效率,并且在24000 cd m-2的亮度时仍然可以保持在80 cdA-1以上的电流效率。为了进一步通过氮杂环提高配合物的电子迁移率及相应的器件性能,以嘧啶为基础设计合成了新的主配体2-(叁氟甲基)嘧啶基吡啶(NTN),然后分别和经典辅助配体乙酰丙酮,吡啶甲酸和本组常用的辅助配体tpip合成了叁个配合物(NTN)2Ir(acac)(NTN)2Ir(pic)和(NTN)2Ir(tpip),,均具有良好的热稳定性和光电性质,有可能显示良好的器件性能。(本文来源于《南京大学》期刊2013-11-01）
陈栋,张学强,王晨光,王凯,叶开其[4]（2013）在《吖啶衍生物的合成、表征、光致发光及电致发光性质研究》一文中研究指出本文设计合成了一系列以吖啶为核的荧光小分子发光化合物(1～4),通过在分子两侧引入不同的取代基来调节化合物的能级、载流子传输性质.对这些材料的光物理、电化学、热力学和能量转移性能进行了系统表征.结果表明这些材料具有高的发光效率、合理的能级结构和良好的主/客体能量转移特性.以这些材料为发光层的器件显示了优良的性能,电致发光器件的开启电压为2.4V,最高效率可达到13.3lm/W和11.8cd/A.(本文来源于《中国科学:化学》期刊2013年04期）
刘小琛,刘志伟,卞祖强,黄春辉[5]（2013）在《亚铜配合物的光致发光与电致发光研究》一文中研究指出亚铜[Cu(Ⅰ)]配合物因其低廉的价格、多样化的结构和独特的光物理性质一直备受关注.本文综述了常见磷光Cu(Ⅰ)配合物[Cu(NN)2]+、[Cu(NN)(PP)]+和(CuX)mLn(其中NN表示双齿二胺配体,PP表示二膦配体,X表示卤素,L表示含N或P配体)的光致发光与电致发光研究,揭示配合物结构与光学性质的关系,探讨近年来Cu(I)配合物在有机发光二极管(OLED)领域的应用研究新进展.(本文来源于《中国科学:化学》期刊2013年04期）
陈永彬[6]（2011）在《硅纳米晶光致发光调制及电致发光研究》一文中研究指出微观的光信息传输要求有微纳尺度的光发射器。镶嵌于二氧化硅中的硅纳米晶(nc-Si:SiO2)作为一种具备稳定结构、较高发光效率的材料,是实现微纳激光器的良好选择。本文从nc-Si:SiO2的制备入手,重点探讨了硅纳米晶(nc-Si)的光致发光(PL)的调制和电致发光(EL)的增强,主要包含以下内容：1.用CO2激光预退火的方式,往SiOx薄膜中引进nc-Si的额外成核点,在后续的高温相分离过程中,抑制了大颗粒Si的形成,产生了更多可以发光的硅纳米晶,PL大致增强了一倍左右。先后用石英和高掺杂的P-Si作为衬底,前者的导热性远小于后者,在同样功率和密度的激光辐射下,石英衬底的样品的SEM(扫描电子显微镜)图像和PL map(通过共焦显微镜观测)被明显调制,而P-Si衬底的样品的表面图像变化较小,说明了衬底的导热性在实验过程中扮演着非常重要的作用,但无论哪一种衬底,PL提高的幅度都是一倍左右。2.在确立硅纳米晶电致发光器件的结构之后,重点探索nc-Si:SiO2薄膜。在合适的真空条件下,引进SiO/Si多层结构代替原先的单层SiOx薄膜,由于Si原子和O原子的互相扩散,形成了更多的硅纳米晶,并减少了SiO2中氧缺陷的数量。CO2激光预退火的引入,与SiO/Si多层结构互相作用,最终使nc-Si:SiO2薄膜的PL和EL强度分别提高了3倍和2倍以上。纳晶硅的PL和EL发光机制的不同,导致二者强度和峰位变化不完全一致,但是PL和EL强度的整体变化趋势都是随着激光密度和功率的提高先增后减,说明二者对额外成核点的依赖是一致的。(本文来源于《复旦大学》期刊2011-05-16）
白青龙,张春花,程传辉,李万程,申人升[7]（2011）在《新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质》一文中研究指出以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发光层制备了电致发光器件,研究其电致发光性质.结果表明,固态酞菁材料与其溶液的荧光发射波长相比均向长波方向移动了145nm以上,而且都有不同程度的宽展.在固态下β-位取代酞菁荧光发射波长红移的程度比α-位取代酞菁大.电致发光光谱的发射波长和其旋涂膜的光致发光光谱的发射波长基本一致,大约在856和862nm左右.在固态下酞菁分子排列紧密,分子间相互作用增强导致了荧光发射波长的巨大红移.(本文来源于《物理化学学报》期刊2011年05期）
李彩霞,林家齐,倪海芳[8]（2011）在《聚酰亚胺薄膜的电致发光和光致发光》一文中研究指出测量了氙灯辐照后聚酰亚胺(PI)薄膜的光致发光(PL)强度、PL谱和氙灯辐照后直流高电场下PI薄膜的电致发光(EL)强度、EL谱、XRD谱和吸收光谱,研究了其EL、PL特性与微观结构的关系。结果表明:PI薄膜的PL强度随测量时间呈指数衰减,EL强度随场强呈指数增长;辐照39 h后,PI的预击穿场强为2.56MV/cm,低于原始PI的2.8 MV/cm;EL和PL光谱均在320,395,443,585,656,752 nm附近出现发光峰;辐照时间增长,PL强度明显增大,衰减变慢,PL峰数减少且红移,吸收边的最大吸收波长红移;场强增加,EL峰数减少且发生蓝移;由吸收边算得PI的光能隙约为2.76 eV,比由PL光谱算得的结果小0.38 eV。这些结果由光老化和电老化的综合作用所致。(本文来源于《发光学报》期刊2011年03期）
王晨[9]（2011）在《低温下PET薄膜电致发光与光致发光的联合测量》一文中研究指出聚对苯二甲酸乙二脂[poly(ethylene terephthalate)-PET]广泛地应用于电气绝缘材料,作为聚合物绝缘材料,当其在高压下受到长时间应力作用时,会由于多种原因发生击穿,导致其绝缘寿命终止。电致发光(electroluminescence-EL)是将电能直接转换成光能的现象,它与空间电荷有密切联系,也是研究聚合物中陷阱、空间电荷的存贮和输运特性以及结构转变和分子运动的重要工具。它既可以用于研究高聚物在高电场下的老化机理,也可以用于分析高聚物材料的电学以及光学性质。光致发光(Photoluminescence-PL)是用光激发发光体引起的发光现象,用于研究绝缘聚合物结构并不常见。采用电致发光和光致发光的手段对低温下PET薄膜进行光电联合测量,对理解其结构、性能等问题有着十分重要的意义。本文对PET薄膜进行了低温下电致发光和光致发光的联合测量,并与常温时的击穿场强做了对比。实验结果表明:PET薄膜的EL光谱在350~450nm,500~600nm,700nm附近有峰值;当外加电场强度大于约2.4MV/cm时,EL强度随着外加电场强度的增大而逐渐增大,当场强大于3.3MV/cm时,EL强度迅速增加,继续增加场强则出现击穿现象。这个击穿阈值与之前常温下所测得的EL阈值3.5MV/cm相比几乎没有变化。这说明低温对聚对苯二甲酸乙二酯的击穿阈值基本没有影响。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2011-03-01）
倪海芳[10]（2010）在《PET的电致发光与光致发光联合测量及其模拟仿真》一文中研究指出聚对苯二甲酸乙二脂[poly(ethylene terephthalate)-PET]是乳白色或浅黄色、表面平滑有光泽,高度结晶的聚合物,广泛的应用于电气绝缘材料。电致发光(Electroluminescence-EL)是将电能直接转换成光能的现象,它与空间电荷有密切联系。电致发光有助于对绝缘聚合物中电荷注入、传输和存储的理解,解释了电老化的阈值和耗散机制的原理提。光致发光(Photoluminescence-PL)是物质吸收了一定的光能所引起的发光现象,用于绝缘聚合物结构研究并不多见。PET是电气绝缘材料,当其受到长时间强电应力作用时,会由于多种原因发生击穿,导致其绝缘寿命终止。而聚合物的电老化和击穿涉及到许多因素,且与物质结构之间存在着密切的关系。电致发光和光致发光的联合测量,并结合计算机模拟对理解PET的结构、性能等问题有着十分重要的意义。本文对PET薄膜进行光致发光、光致发光和电致发光的联合测量,并测量了相应激励后的紫外吸收光谱;然后基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的赝势平面波方法,对PET的电子结构和光学性质进行模拟仿真计算,并与实验结果比较。测量结果表明:前期EL测量的累积光谱在300 ~400 nm、400 ~460 nm、500~600 nm和680 nm附近存在发射峰。PL的累积的衰减光强随着时间的变化规律满足指数衰减率,且光照时间越长衰减速率越慢;PL累积光谱在300 ~400 nm、500~600 nm和700nm左右存在峰值。PL和EL联合测量的累积光谱在300 ~400 nm、400 ~460 nm、500~600 nm和650 nm处存在峰值,在450nm附近有一个明显的负场效应与前期的EL测量的结果相符。由PET薄膜的吸收光谱的吸收边计算可得光能隙约为3.96eV;而由PL、PL和EL联合测量光谱计算所得的光能隙分别3.45eV、3.57eV。模拟结果表明:PET分子的轨道贡献主要是由O原子的2P轨道和C原子的2P轨道组成,而由不同聚合度的能带结构计算得到的能隙约为2.7eV比实验值3.96eV要偏小,其偏差在40%范围之内。对于最高占据轨道,电荷密度主要分布在苯环两侧;而最低未占据轨道,最高的电荷密度主要分布在苯环上。由吸收光谱得出的能隙与计算能带结构得到的结果一致,并解释介电函数峰的形成和其它光谱特性的联系。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2010-01-01）
光致发光和电致发光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
碳量子点(CQDs)是一种粒径小于10 nm的准零维碳纳米颗粒,拥有碳材料的环境友好的特征,对环境和人体几乎没有毒性,同时又具有半导体量子点优异的光学特性。其优异的光学性质及环境友好的特点使其在量子点基电致发光二极管(QLEDs)和白光发光二极管(WLEDs)领域拥有潜在的应用价值。一方面,对于QLEDs,针对CQDs发光层存在的固态猝灭、荧光量子产率较低、成膜能力差及电导能力差的问题,本文旨在通过选择合适的碳源及表面修饰添加剂来控制合成具有固态防猝灭能力、高荧光量子产率、良好的电导特性和成膜能力的CQDs。另一方面,对于WLEDs,为了满足人们对环境友好型高显色指数(CRI)和相关色温(CCT)可调的需求,本文旨在通过选择合适的芯片和CQDs荧光粉,开发低耗、简单的可控制作WLEDs的工艺;并针对长波长CQDs荧光粉稀少的问题,本文旨在通过高效合成及分离纯化手段获得多色长波长CQDs,并通过分析其荧光性能,以获得对所制备多色长波长CQDs的发光机制的认识。具体的研究内容及结果如下:1、CQDs作为发光层在QLEDs中的应用。首先,以含苯环共轭结构的邻苯二甲酸为碳源、十六烷胺为修饰添加剂,一步溶剂热法合成了平均粒径为6.7 nm的长链钝化CQDs(L-CQDs),L-CQDs的石墨结构使其有利于电子传输。L-CQDs在紫外激发下发出明亮的蓝光,量子产率为13%,具有激发独立特性;同时L-CQDs具有固态防猝灭的能力及良好的成膜能力。最后,将L-CQDs作为发光层材料制作了QLEDs,器件在4–8 V电压下发出蓝光,具有良好的光稳定性,器件的启亮电压为5 V,最大亮度为5.4 cd/m~2。2、CQDs作为荧光粉在WLEDs中的应用。采用柱层析法分离以邻苯二甲酸和邻苯二胺为原料一步溶剂热法制备的CQDs混合溶液,得到发光颜色为绿光(G-CQDs)、黄光(Y-CQDs)和橙光(O-CQDs)的CQDs。叁种CQDs都只有一种发光中心,G-和Y-CQDs的不同PL发射主要由量子尺寸效应决定;而O-CQDs的PL发射过程与G-和Y-CQDs不同,其PL发射主要来源于其表面氧化形成的表面缺陷态。另外,在不需要固化剂和分散剂的情况下,通过红光、绿光和蓝光CQDs溶液的简单混合制作了固态发光的红绿蓝CQDs荧光膜,并通过调控叁种CQDs溶液的体积比制作出高CRI(83–88)、CCT可调(3466–7368K)的WLEDs。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光致发光和电致发光论文参考文献
[1].欧凯.纳米结构ZnSe/ZnS多层薄膜的光致发光及电致发光性能研究[D].北京交通大学.2019
[2].丁远飞.多色碳量子点的制备及其电致发光与光致发光性能的调控[D].太原理工大学.2018
[3].徐秋蕾.新型铱配合物的合成和光致发光、电致发光性能研究[D].南京大学.2013
[4].陈栋,张学强,王晨光,王凯,叶开其.吖啶衍生物的合成、表征、光致发光及电致发光性质研究[J].中国科学:化学.2013
[5].刘小琛,刘志伟,卞祖强,黄春辉.亚铜配合物的光致发光与电致发光研究[J].中国科学:化学.2013
[6].陈永彬.硅纳米晶光致发光调制及电致发光研究[D].复旦大学.2011
[7].白青龙,张春花,程传辉,李万程,申人升.新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质[J].物理化学学报.2011
[8].李彩霞,林家齐,倪海芳.聚酰亚胺薄膜的电致发光和光致发光[J].发光学报.2011
[9].王晨.低温下PET薄膜电致发光与光致发光的联合测量[D].哈尔滨理工大学.2011
[10].倪海芳.PET的电致发光与光致发光联合测量及其模拟仿真[D].哈尔滨理工大学.2010
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