铜掺杂TiO2纳米管阵列薄膜的制备及表征

铜掺杂TiO2纳米管阵列薄膜的制备及表征

论文摘要

提出了一种磁控溅射和阳极氧化相结合制备Cu掺杂TiO2纳米管(Cu-TNT)阵列的方法。掺杂后的样品通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对其结构和光电性能做了研究与分析。结果表明:Cu以离子形态均匀地掺杂进入TiO2纳米管中,且为取代掺杂;Cu掺杂对TiO2纳米管(TNT)的生长具有抑制作用,对TNT的形貌有明显影响;Cu掺杂对TNT晶体生长取向也有明显影响,抑制锐钛矿(101)晶面的生长,使(101)晶面产生晶格畸变、晶面间距变宽并促进锐钛矿(004)晶面的择优生长。瞬态光电流响应分析表明Cu掺杂TNT有利于抑制光生电子-空穴对的复合速率,提高太阳能利用率。

论文目录

  • 1 实验
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 X射线衍射分析
  •   2.2 形貌分析
  •   2.3 TEM分析
  •   2.4 XPS分析
  •   2.5 瞬态光电流响应分析
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 孙研豪,刘一鸣,张王刚,温婧,牛晓峰,王红霞

    关键词: 掺杂,纳米管,阳极氧化,磁控溅射,光生电子空穴

    来源: 稀有金属材料与工程 2019年08期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工,材料科学

    单位: 太原理工大学

    基金: 山西省优秀人才科技创新项目(201705D2011007)

    分类号: TQ134.11;TB383.1

    页码: 2568-2573

    总页数: 6

    文件大小: 1034K

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