论文摘要
采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准。采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为变化的参数。结果表明生长温度对HgCdTe缺陷影响最大,生长速率次之,Hg/Te比最小。使用正交试验获得的生长参数进行试验即生长温度212℃,Hg流量61 sccm,生长速率为1.5μm/h,获得的HgCdTe材料缺陷密度控制在500 cm-2以内,平均缺陷直径小于3.5μm。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 葛玉斌,高达,王经纬,王丛
关键词: 碲镉汞,正交试验,分子束外延
来源: 激光与红外 2019年02期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 华北光电技术研究所
分类号: TB34
页码: 209-212
总页数: 4
文件大小: 189K
下载量: 46
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