等离子体平板显示器论文开题报告文献综述

等离子体平板显示器论文开题报告文献综述

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等离子体平板显示器论文文献综述写法

程航[1](2017)在《基于等离子体技术的平板显示器研究》一文中研究指出随着科技的迅速发展,一种基于等离子技术的平板显示器—等离子体显示器(PDP)成为平板显示领域的强大竞争者,其优良的性能也备受人们的关注。本文分析了等离子平板显示技术的基本原理和等离子显示器的基本构造,总结出等离子体离子体显示器在技术应用层面的优势和局限性;同时通过对等离子体显示器和其他平板显示器的各项参数指标的比较,综合评价了等离子体显示器在分辨率、清晰度、功耗和使用寿命等在用户体验层面的优点和不足;最后本文从市场运营的层面揭示了等离子体显示器目前存在的问题以及未来的发展前景。(本文来源于《中国战略新兴产业》期刊2017年08期)

杨兰兰[2](2003)在《等离子体平板显示器放电特性的数值模拟》一文中研究指出本论文从PDP(plasma display panel)的放电机理出发,利用流体模型编制了PDP放电的数值模拟软件。该软件可以对传统的对向放电式、表面放电式以及新型荫罩式PDP结构的放电过程进行数值模拟,从理论上对彩色PDP显示单元的放电特性进行分析研究。在本文中,分别使用本地场近似的LFA(local field approximation)流体模型和假设碰撞反应系数、传输系数和电子的平均能量相关的EME(electron meanenergy)流体模型对PDP放电过程进行模拟,比较分析模拟结果,得出EME模型和LFA模型对放电的繁流、起辉放电、熄灭等过程的描述的基本趋向是大致相同的,而从模拟工作电压与实际电压的接近程度和放电效率角度比较,EME模型的模拟结果跟理论和实验结果更为相符。使用EME模型模拟计算新型荫罩式结构和传统的表面放电式结构,对这两种结构的模拟结果进行比较分析。模拟结果表明,在相同的模拟工作电压下,荫罩式结构中的各种粒子的平均浓度均比表面放电式结构提前达到峰值,且平均浓度的最大值比表面放电式高,放电效率也高于表面放电式结构,这意味着新型荫罩式结构的亮度高,响应频率快。对新型荫罩式结构分析了单元结构的变化对电子平均温度和放电效率的影响,并观察了随压强的变化电子平均温度的变化趋势,模拟结果表明斜边或弧状的内斜式结构可提高放电效率,且电子温度随压强的变化趋势同文献相符。(本文来源于《东南大学》期刊2003-03-01)

屠彦,张雄,王保平[3](2002)在《新型等离子体平板显示器放电特性研究》一文中研究指出本文研究了具有响应频率快、亮度高、着火电压低以及成本低等特点的新型槽型结构等离子体平板显示放电单元的放电特性 ,并与传统的表面放电结构进行了比较 .给出了不同时刻两种结构放电单元中电场、各种粒子浓度的空间分布以及各种粒子的平均浓度随时间的变化关系 .在没有能量恢复电路的情况下 ,该结构 14″实验屏的发光效率达到 0 9lm/W ,功耗为 5 0W .(本文来源于《电子学报》期刊2002年02期)

单惠平[4](2002)在《42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究》一文中研究指出等离子体平板显示器(Plasma Display Panel,PDP)是利用气体放电发光进行显示的平面显示板,它具有厚度薄、重量轻、大平面、大视角、响应快、而且兼有存储特性等优点。由于我国PDP研究起步较晚,为了抢占国内市场,研究开发具有自主知识产权的PDP迫在眉睫。本论文的研究是42英寸彩色PDP整机电路研究的一部分,即存储处理与控制电路的研究。论文首先介绍了PDP的显示原理,然后给出了存储处理与控制电路的设计方案,并详细讨论了怎样使用可编程逻辑器件来实现电路,最后还对虚影的产生及解决办法进行了相应的探讨。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2002-01-01)

单惠平,陆光华[5](2001)在《等离子体平板显示器的新发展》一文中研究指出介绍了世界上等离子体平板显示器(PDP)技术的一些新发展以及中国PDP的研究现状,并针对中国情况提出了一些建议。(本文来源于《电视技术》期刊2001年12期)

胡凤忠[6](1999)在《等离子体平板显示器驱动电路设计》一文中研究指出等离子体平板显示器是一种新型的模拟指示器。本文简要介绍了其工作特性和驱动原理,并给出了一种实用的驱动电路,可用于各种采用等离子体平板显示器构成的仪表。(本文来源于《电测与仪表》期刊1999年12期)

徐永健,陆光华[7](1999)在《等离子体平板显示器驱动电路的研制》一文中研究指出从等离子体发光机理出发,分析了等离子体平板显示屏的基本原理.在此基础上,将整个驱动电路分成接口、存贮控制及高压驱动3部分,并对每部分进行了专门的研究和设计.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊1999年02期)

赵英,王业伟,马江,温长英[8](1997)在《等离子体平板显示器发展展望》一文中研究指出介绍了等离子体平板显示器的关键技术和特点;叙述了其研制情况及应用领域;着重介绍了等离子体平板显示器的发展方向。(本文来源于《黑龙江电子技术》期刊1997年01期)

薛风[9](1992)在《PDU41B型等离子体平板显示器通过部级鉴定》一文中研究指出机电部南京55所研制的 PDU41B 型等离子体平板显示器,于1991年12月25日由中电总公司军工基础局主持在南京通过了部级设计定型鉴定。该显示器为国内象素最多的交流等离子体矩阵型显示终端,具有显示清晰、稳定性好、功耗低、功能强、工作温度范围宽、环境适应性较强等优点,属国内首创。它为研制更多象素的等离子体显示器奠定了坚实的基(本文来源于《光电子技术》期刊1992年02期)

张福康[10](1991)在《交流等离子体平板显示器的几个问题及我们的建议》一文中研究指出本文叙述了交流等离子体显示器(AC-PDP)的发展状况,分别从等离子体显示器的灰度等级,大面积等离子体显示器及彩色等离子体显示器叁个方面进行了论述。在综合评述的基础上提出了我们的建议。(本文来源于《光电子技术》期刊1991年04期)

等离子体平板显示器论文开题报告范文

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本论文从PDP(plasma display panel)的放电机理出发,利用流体模型编制了PDP放电的数值模拟软件。该软件可以对传统的对向放电式、表面放电式以及新型荫罩式PDP结构的放电过程进行数值模拟,从理论上对彩色PDP显示单元的放电特性进行分析研究。在本文中,分别使用本地场近似的LFA(local field approximation)流体模型和假设碰撞反应系数、传输系数和电子的平均能量相关的EME(electron meanenergy)流体模型对PDP放电过程进行模拟,比较分析模拟结果,得出EME模型和LFA模型对放电的繁流、起辉放电、熄灭等过程的描述的基本趋向是大致相同的,而从模拟工作电压与实际电压的接近程度和放电效率角度比较,EME模型的模拟结果跟理论和实验结果更为相符。使用EME模型模拟计算新型荫罩式结构和传统的表面放电式结构,对这两种结构的模拟结果进行比较分析。模拟结果表明,在相同的模拟工作电压下,荫罩式结构中的各种粒子的平均浓度均比表面放电式结构提前达到峰值,且平均浓度的最大值比表面放电式高,放电效率也高于表面放电式结构,这意味着新型荫罩式结构的亮度高,响应频率快。对新型荫罩式结构分析了单元结构的变化对电子平均温度和放电效率的影响,并观察了随压强的变化电子平均温度的变化趋势,模拟结果表明斜边或弧状的内斜式结构可提高放电效率,且电子温度随压强的变化趋势同文献相符。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

等离子体平板显示器论文参考文献

[1].程航.基于等离子体技术的平板显示器研究[J].中国战略新兴产业.2017

[2].杨兰兰.等离子体平板显示器放电特性的数值模拟[D].东南大学.2003

[3].屠彦,张雄,王保平.新型等离子体平板显示器放电特性研究[J].电子学报.2002

[4].单惠平.42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究[D].西安电子科技大学.2002

[5].单惠平,陆光华.等离子体平板显示器的新发展[J].电视技术.2001

[6].胡凤忠.等离子体平板显示器驱动电路设计[J].电测与仪表.1999

[7].徐永健,陆光华.等离子体平板显示器驱动电路的研制[J].西安电子科技大学学报.1999

[8].赵英,王业伟,马江,温长英.等离子体平板显示器发展展望[J].黑龙江电子技术.1997

[9].薛风.PDU41B型等离子体平板显示器通过部级鉴定[J].光电子技术.1992

[10].张福康.交流等离子体平板显示器的几个问题及我们的建议[J].光电子技术.1991

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