导读:本文包含了电流增益论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:增益,电流,晶体管,单相,双峰,基极,集电极。
电流增益论文文献综述写法
宋旭波,吕元杰,刘晨,魏碧华,房玉龙[1]（2017）在《电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/GaN高频HEMT》一文中研究指出研制了高电流增益截止频率(f_T)的In Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n~+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅。此外,还讨论了寄生效应对器件f_T的影响。测试结果表明,器件的栅漏电为3.8μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,f_T达到236 GHz。延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果。(本文来源于《半导体技术》期刊2017年04期）
邹学锋,吕元杰,宋旭波,郭红雨,张志荣[2]（2017）在《高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制》一文中研究指出基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEMT器件。器件尺寸的缩小大幅提升了器件的直流和射频特性。漏偏压为5V下,器件的最大直流峰值跨导达到440mS/mm;栅偏压为1V时,最大漏源饱和电流密度达到1.68A/mm。根据射频小信号测试结果得到器件的fT达到175GHz,最大振荡频率(fmax)达到76GHz,研究了干法刻蚀对再生长n+GaN欧姆接触电阻的影响,同时对比分析了60nm直栅和T型栅对器件频率特性的影响。(本文来源于《半导体技术》期刊2017年02期）
张林,谷文萍,徐小波,李清华,高云霞[3]（2016）在《高电流增益SiC BMFET功率特性的优化研究》一文中研究指出研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响。仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显着下降。沟道掺杂浓度越低,沟道宽度越窄,双极模式调制器件开态电阻的效果越明显,但同时电流增益会降低。相比于单极模式SiC结型场效应晶体管(JFET),SiC BMFET可以显着提升器件的FOM优值,降低器件功率特性对结构参数的敏感度,同时降低了常关型器件的设计难度。(本文来源于《微电子学》期刊2016年04期）
金冬月,胡瑞心,张万荣,高光渤,王肖[4]（2015）在《具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGe HBT》一文中研究指出为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGe HBT相比,新器件的电流增益和击穿电压均得到显着改善,其优值β·V_(CEO)。改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.(本文来源于《北京工业大学学报》期刊2015年09期）
高胜[5]（2014）在《双极性晶体管电流增益的研究》一文中研究指出在传统双极性晶体管(简称BJT)的Gummel曲线中电流增益β都只有一个波峰(简称单峰),然而现在实验室实测数据得到BJT的增益特征曲线出现了两个波峰的现象(简称双峰),针对双峰现象建立器件模型,并分别从器件的结构和基极发射极和集电极的掺杂浓度上进行分析,得到基极的掺杂浓度和掺杂位置影响器件产生双峰现象。(本文来源于《数字技术与应用》期刊2014年10期）
陈会[6]（2014）在《双极管电流增益的匹配互补电路》一文中研究指出对于使用互补双极晶体管的电路设计，有时需要筛选出与直流增益(β)相匹配的NPN和PNP晶体管。这种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。图1的电路可以方便地测试和匹配两只互补双极管的电流增益，晶体管匹配时，电压表读数为0。 在图1中，晶体管(本文来源于《电子报》期刊2014-07-13）
吴云,霍帅,周建军[7]（2014）在《电流增益截止频率为40GHz的柔性衬底石墨烯FET》一文中研究指出石墨烯自问世以来,因其优异的性能已在电子领域取得了显着的成果,成为全球研究的热点。兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的应用进程。南京电子器件研究所在柔性衬底PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)上成功制备了高性能的石墨烯FET器件。该器件可在外力作用下发生较大幅度的形变[见图1(a)左上角]。在0.5 V漏压下,源漏间电阻为1800Ω·μm,电流密度为0.3 A/mm。小信号特性测结果显示,器件具有优良的频率性能。图1(b)为以OPEN-SHORT法除去PAD寄生电阻、电容后的频率性能,最大电流增益截止频率f_T和最大功率增益截止频率f_(max)分别达到41.4 GHz和17.7 GHz。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2014年03期）
赵利,张小玲,陈成菊,谢雪松,齐浩淳[8]（2014）在《双极型晶体管电流增益温度特性的研究》一文中研究指出修正了电流增益表达式。对样品3DK105B在不同温度点下进行测试分析。考虑样品理想因子n随温度的变化、VBE随温度的变化,以及禁带宽度随温度变化对电流增益的影响,对电流增益表达式进行了修正,使修正后的结果更加接近实际测试结果。(本文来源于《微电子学》期刊2014年02期）
陈昊,王玉荣,周永荣[9]（2014）在《考虑线路参数非线性特征的零序电流增益分析》一文中研究指出单相接地是电网的常见故障,线路发生单相接地故障时,保护动作叁相跳闸后,后跳开侧零序电流有时出现突变的现象。故障波形分析表明,这种零序电流增益在一定程度上受线路参数非线性特征的影响。为此,在考虑线路参数非线性特征基础上,分析线路非线性参数和故障点位置参数与零序电流的定量关系,为更好地解释故障过程及理解故障后的保护行为提供依据,仿真结果表明了该理论分析的准确性。(本文来源于《中国电力》期刊2014年01期）
陈昊,李颖,张钊,王玉荣[10]（2013）在《单相接地故障时零序电流增益分析》一文中研究指出输电线路发生单相故障时,两侧断路器断开时间不完全一致,这将直接导致后跳开侧零序电流的变化。本文依据零序电流增益和线路参数的定量关系,推导了后跳开侧零序电流增益最大值出现的条件,并将分析拓展到不同故障发生点的情形;进一步分析了线路零序阻抗的校核方法及故障测距的测定方法;结合所绘制的零序电流增益曲面,得出了故障点发生于不同位置时零序电流增量的变化规律。(本文来源于《现代电力》期刊2013年05期）
电流增益论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEMT器件。器件尺寸的缩小大幅提升了器件的直流和射频特性。漏偏压为5V下,器件的最大直流峰值跨导达到440mS/mm;栅偏压为1V时,最大漏源饱和电流密度达到1.68A/mm。根据射频小信号测试结果得到器件的fT达到175GHz,最大振荡频率(fmax)达到76GHz,研究了干法刻蚀对再生长n+GaN欧姆接触电阻的影响,同时对比分析了60nm直栅和T型栅对器件频率特性的影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电流增益论文参考文献
[1].宋旭波,吕元杰,刘晨,魏碧华,房玉龙.电流增益截止频率为236GHz的InAlN/GaN高频HEMT[J].半导体技术.2017
[2].邹学锋,吕元杰,宋旭波,郭红雨,张志荣.高电流增益截止频率的AlGaN/GaNHEMT器件研制[J].半导体技术.2017
[3].张林,谷文萍,徐小波,李清华,高云霞.高电流增益SiCBMFET功率特性的优化研究[J].微电子学.2016
[4].金冬月,胡瑞心,张万荣,高光渤,王肖.具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT[J].北京工业大学学报.2015
[5].高胜.双极性晶体管电流增益的研究[J].数字技术与应用.2014
[6].陈会.双极管电流增益的匹配互补电路[N].电子报.2014
[7].吴云,霍帅,周建军.电流增益截止频率为40GHz的柔性衬底石墨烯FET[J].固体电子学研究与进展.2014
[8].赵利,张小玲,陈成菊,谢雪松,齐浩淳.双极型晶体管电流增益温度特性的研究[J].微电子学.2014
[9].陈昊,王玉荣,周永荣.考虑线路参数非线性特征的零序电流增益分析[J].中国电力.2014
[10].陈昊,李颖,张钊,王玉荣.单相接地故障时零序电流增益分析[J].现代电力.2013