导读:本文包含了高频功率晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体管,功率,步进,电子器件,参量,电源,电力。
高频功率晶体管论文文献综述
[1]（2017）在《宜普电源转换公司(EPC)推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管》一文中研究指出宜普电源转换公司(EPC)宣布推出30V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2111)。透过集成两个eGaN TM功率场效应晶体管形成单个元件,可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度,而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12V转至负载点DC/DC转换的理想元件。(本文来源于《半导体信息》期刊2017年04期）
郑畅[2]（2015）在《宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向高频应用的450V增强型氮化镓功率晶体管》一文中研究指出宜普电源转换公司(EPC)宣布推出450V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管(EPC2027),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。EPC2027器件具备450V额定电压、400mΩ最高导通电阻(RDS(on))及(本文来源于《半导体信息》期刊2015年01期）
张文凯,王宏伟,齐臣杰[3]（2012）在《NPN型超高频小功率晶体管阵列的设计》一文中研究指出采用硅平面外延工艺,选定集成电路芯片电性能参数指标,运用集成电路设计的原则,设计NPN型超高频小功率晶体管阵列。由6个完全一致的超高频小功率晶体管组成。外形封装可根据设计需要,用DIP14或DIP16等外壳封装,具有频率高、对称性好,体积小、质量轻的特点,可应用在放大电路、开关电路中。(本文来源于《北京信息科技大学学报(自然科学版)》期刊2012年02期）
郭本青,张庆中[4]（2004）在《一种提高微波功率晶体管高频增益的新方法》一文中研究指出利用旁路电容来补偿为了获得器件高可靠性,而引入的大整流电阻所导致的高频增益低落问题。在大于共发射极截至频率fβ的较宽频带内表现出明显的效果。最终使器件具备更高的可靠性,更优的增益特性。(本文来源于《电子质量》期刊2004年09期）
李拂晓,蒋幼泉,张少芳,高建峰,黄念宁[5]（2002）在《用于移动通信的砷化镓高频PHEMT小功率晶体管》一文中研究指出砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率增益高等特点。我们研制的0.5μm栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下最大可用增益为8dB,X波段输出功率为0.8W/mm,可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功率放大器。(本文来源于《电子元器件应用》期刊2002年04期）
高正新[6]（2000）在《3～5km无线通信用高频功率晶体管的设计方案》一文中研究指出本文通过对 ３～５ｋｍ无绳电话和对讲机要求的分析，介绍了一种工作于１７５ＭＨｚ的高频功率晶体管的设计参数选择、物理参数选择、版图设计、组装方式及可靠性设计的方法。(本文来源于《微电子技术》期刊2000年06期）
[7]（1999）在《中外发射用高频功率晶体管置换表》一文中研究指出中外发射用高频功率晶体管置换表(本文来源于《国外电子元器件》期刊1999年12期）
仲里,郝文建,苍梧[8]（1999）在《高频和微波小功率晶体管计量标准中测试夹具误差模型的建立及误差修正理论和方法的应用》一文中研究指出：介绍在建立高频和微波小功率晶体管计量标准的过程中，测试夹具误差模型的建立，并使用ＴＲＬ校准技术对测试夹具进行误差修正的理论方法和应用的研究。(本文来源于《现代计量测试》期刊1999年03期）
吕长志,高国,杜金玉,殷梅竹[9]（1988）在《低失真超高频线性中功率晶体管》一文中研究指出叙述了主要用于UHF频段CATV主电榄放大器的高增益、低失真、线性中功率晶体管的设计和实践。在对晶体管失真及增益与器件参数研究的基础上,给出了低失真晶体管的最佳设计,并使3DA300晶体管在IM_3=-60dB时Pout≥110dBμv,在500MHz时|S_(21e)|~2(?)10dB。(本文来源于《北京工业大学学报》期刊1988年03期）
赵国柱,孙山东[10]（1987）在《高频VVMOS功率晶体管及应用》一文中研究指出本文简单介绍了高频VVMOS功率器件结构、性能方面的主要优点.并对该器件应用方向提出看法.指出此类器件比双极型器件优越所在.最后以VVMOS器件应用到步进马达驱动电路的实例说明了问题.但只是管中窥豹只见一斑.(本文来源于《半导体技术》期刊1987年03期）
高频功率晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出450V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管(EPC2027),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。EPC2027器件具备450V额定电压、400mΩ最高导通电阻(RDS(on))及
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高频功率晶体管论文参考文献
[1]..宜普电源转换公司(EPC)推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管[J].半导体信息.2017
[2].郑畅.宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向高频应用的450V增强型氮化镓功率晶体管[J].半导体信息.2015
[3].张文凯,王宏伟,齐臣杰.NPN型超高频小功率晶体管阵列的设计[J].北京信息科技大学学报(自然科学版).2012
[4].郭本青,张庆中.一种提高微波功率晶体管高频增益的新方法[J].电子质量.2004
[5].李拂晓,蒋幼泉,张少芳,高建峰,黄念宁.用于移动通信的砷化镓高频PHEMT小功率晶体管[J].电子元器件应用.2002
[6].高正新.3～5km无线通信用高频功率晶体管的设计方案[J].微电子技术.2000
[7]..中外发射用高频功率晶体管置换表[J].国外电子元器件.1999
[8].仲里,郝文建,苍梧.高频和微波小功率晶体管计量标准中测试夹具误差模型的建立及误差修正理论和方法的应用[J].现代计量测试.1999
[9].吕长志,高国,杜金玉,殷梅竹.低失真超高频线性中功率晶体管[J].北京工业大学学报.1988
[10].赵国柱,孙山东.高频VVMOS功率晶体管及应用[J].半导体技术.1987
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