导读:本文包含了纳米孔阵列论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:纳米,阵列,表面,传感器,结构,光纤,激光。
纳米孔阵列论文文献综述
余智勇[1]（2019）在《基于金纳米盘和纳米孔阵列结构的表面等离激元生物传感器研究》一文中研究指出表面等离激元(Surface Plasmon Polaritons,SPPs)是一种在介电常数相异的界面上出现的电磁波。由于其具有短波长、近场增强、表面局域的特性而被人们广泛应用于高灵敏度的传感器件设计。如集成化的纳米光学传感器、高分辨率显微镜、生物和医学中的高灵敏度集成化精细平台的设计等。随着微纳加工技术的发展,表面等离激元器件制备的手段也越来越多,根据SPR原理制成的元件被科研者广泛的关注与研究。目前,利用SPR原理形成的传感器件中很多都是以平面基底利用自顶而下的光刻技术设计加工得到的,其制作的成本高、耗时长、步骤复杂。所以在此基础上,我们提出了一种能够大面积、低成本的方法来制作厘米级别的等离子体纳米结构传感器。大面积的微纳图案结构使得角度敏感的探究成为了可能。该方法主要是以超薄氧化铝模板为基础,采用纳米转移的方法来制备了一个厘米级别、高灵敏度、低成本、高效率的传感平台。在非零入射角下,观察到该等离子体纳米盘结构的两种与角度有关的共振模式。并且系统的研究了这两种模式下的体积灵敏度和表面灵敏度与入射角度的关系。通过功能化等离子纳米结构,在不同入射角度下实时监测其在生物蛋白分子特异性结合过程中的共振峰偏移灵敏度。发现在入射角为10°时,该纳米盘结构生物传感器的特异性无标记生物检测极限可达1.8nM,这已经赶超了商用化的棱镜型表面等离激元传感器。将纳米结构集成于光纤上,从而使得光纤型的等离子体纳米结构传感器有良好的集成性、便携性和可远程操控测量性。然而将纳米结构集成在微小的光纤探针上的技术固有成本高、耗时长、产率低。在本文第二章节中我们利用纳米小球光刻技术研制出一种加工成本低廉、工艺流程短的纳米孔多模光纤探针传感器。多模光纤具有尖端面积大、数值孔径大的特点,不仅降低了加工的难度和入射光源的成本,还便于系统集成。我们对纳米孔光纤传感器的体积灵敏度和表面灵敏度进行了探究,其体积灵敏度可达432nm/RIU。此外,我们还探究演示了该小型化、便携性的光纤传感平台用来实时监测蛋白质特异性结合的实际应用。研究结果表明该种方法制作的传感器有望成为生物传感系统的新选择。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-01）
王志权[2]（2019）在《MaCE法磁电耦合作用下制备单晶硅纳米孔阵列的研究》一文中研究指出单晶硅纳米结构在21世纪逐渐成为科研人员的研究热点。其在太阳能电池、电化学储能、光学传输系统、光电探测器等高新技术产业具有广泛且急迫的应用。单晶硅与纳米技术结合,使其表现出表面效应,量子限域效应、热稳定性等特殊物理特性,大大增加了单晶硅纳米结构在众多领域的研究价值与研究人员的研究热情。其中,金属辅助化学刻蚀法(MaCE)由于具有工艺简单、成本低、效率高、便于过程控制等优点逐步成为了纳米结构制备的主流工艺。金属辅助化学刻蚀法制备单晶硅纳米孔阵列是Si-H2O2-贵金属(Ag、Au、Pd)等构成的原电池反应体系。化学体系中各项因素(贵金属尺寸与类型、刻蚀剂溶液配比、单晶硅特性、温度与光照)等都会对纳米结构形貌产生影响,这也使该方法制备的硅纳米孔阵列结构存在质量差、可重复性低等特点。因此,本论文提出磁电耦合制备单晶硅纳米孔阵列,在MaCE法的基础上,结合外加磁电耦合物理场,突破化学反应体系局限性,为制备单晶硅纳米孔阵列提供了一种新思路,并取得了一定的成果。本文主要研究内容如下:(1)从单晶硅纳米孔阵列的应用及制备方法两方面介绍了该研究课题的背景与意义,并分析总结了国内外研究现状。(2)详细地叙述分析了 MaCE反应机理,从质量传递方式、电荷转移过程、空穴转移过程进行了详细分析。并详细叙述了 MaCE调控机理,重点在纳米结构刻蚀方向、刻蚀速率、结构质量等方面进行了叙述。(3)结合ANSYS分析了磁电耦合稳定性,证明了实验范围内电生磁、磁生电不会产生涡流,耦合场稳定,不会对实验产生干扰。并且为了实验可重复性,设计了实验平台、实验步骤及实验规范。(4)通过本论文所述方法成功制备了形貌结构优异的单晶硅纳米孔阵列。并根据不同实验结果,探究不同因素对单晶硅纳米孔阵列制备的影响。详细分析了磁电耦合场对金属催化剂方向、刻蚀速率的影响。还分析了在磁电场效应下刻蚀时间和催化剂横向尺寸对刻蚀深度的影响及分析了影响单晶硅纳米孔阵列孔隙率的因素。并通过不同温度下对刻蚀过程施加不同的电流密度,生成金属辅助化学刻蚀法过程速率的阿伦尼乌斯(Arrhenius)图,计算出不同电流密度下的活化能。同时,在磁电场效应制备叁维维纳结构的实验中,我们发现可以通过改变磁电耦合力的方向控制金属催化剂的运动来实现多维度复杂的硅纳米结构形貌,为复杂叁维微纳结构的制备提供了一种可行性方案。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2019-03-16）
张晓虎[3]（2018）在《基于纳米孔阵列超表面的全息显示技术研究》一文中研究指出计算全息技术能够方便地实现任意物体的叁维显示,是一种理想的虚拟现实技术。但是最终全息图的能量利用率、偏振响应、全息成像的清晰度、衍射角、视场角等参量受到了编码计算全息图的设备或者材料的限制。超表面结构是一种新型的二维人造材料,能够通过改变结构的取向或者尺寸来控制电磁波的振幅和相位。超表面结构亚波长尺度范围内的电磁波调控能力以及相对方便的加工使得其成为了计算全息图的一种理想编码材料。自超表面全息技术提出以来,已经有许多关于该技术的报道,包括宽带全息成像、彩色显示、偏振切换以及动态显示等等。然而,超表面全息样品加工费用昂贵、彩色全息成像质量差、全息成像视场受限以及全息像测量光路复杂等等问题仍然制约着超表面全息技术的进一步发展,使得超表面全息的实用化难以实现。本文主要是针对超表面全息技术存在的上述问题进行研究。论文研究内容主要包括:1.利用矩形纳米孔阵列编码纯相位全息图,实现了可见光及近红外的宽波段超表面全息显示。仿真分析了加工矩形孔的长度、宽带、转角以及加工面型误差的影响,表明了PB相位(几何相位)编码的纯相位全息图具备容忍10%加工误差的特征,为超表面全息样品加工方式的选择提供了新的自由度。2.基于超表面结构深度亚波长尺度范围内的电磁波调控能力,提出了离轴照明提升深度亚波长超表面全息图可用信息容量的方法。二维全息显示方面,如果把全息图编码的传输波区域信息作为基础可用信息容量,离轴照明能够提升可用信息容量至4倍;如果把非畸变区的信息容量当作基础可用信息容量,实验证明离轴照明能够提升可用信息容量至11.5倍。叁维全息显示方面,实验上以两幅全息图迭加的方式验证了离轴照明提升可用信息容量的可行性。3.提出了离轴照明实现彩色全息显示的方法。探究了全息图频谱移动与离轴照明角度之间的关系,然后使用频谱分区域的技术实现了彩色全息图的设计。该技术相对于像素分区域的彩色全息技术,能够提升成像的信噪比,实验获得了信噪比126.3的彩色全息成像。4.利用超表面结构的偏振响应性质,提出了反透射全空间可视的超表面全息成像技术。通过研究超表面结构对于入射左右旋圆偏振态的响应性质以及全息成像随全息图相位变化的规律,设计了在反射空间和透射空间独立调控的超表面全息技术。并进一步使用离轴照明的方法,获得了彩色全息显示的效果。5.提出了偏振态复用的超表面全息技术和偏振无关超表面全息技术。偏振态复用超表面全息技术同时实现了偏振彩色与偏振加密的功能。偏振无关超表面全息技术无论何种偏振态的激光入射到样品上,透射区域总能得到一致的全息成像,解决了超表面全息样品对于入射光束的偏振依赖问题。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院光电技术研究所)》期刊2018-06-01）
范连斌,张琛,李红福,王凯歌,冯晓强[4]（2018）在《基于聚合物低单光子吸收连续激光直写技术研制亚衍射极限纳米孔阵列（英文）》一文中研究指出基于单光子吸收激光直写技术,成功地制备了大面积阵列分布、一致性可控的纳米孔复合结构。通过一种涡旋相位板的调制,532 nm波段的连续激光在高数值孔径物镜的焦点处形成了一个圆环形光斑,作用于均匀的SU8光刻胶薄膜上,进而制备出形状与大小可控的、具有高深宽比、直径突破阿贝衍射极限的纳米孔结构。通过逐点扫描方法,最终制备出内径仅为入射波长约1/10的纳米孔阵列结构。此外,利用SEM技术研究了曝光光强和曝光时间对纳米孔尺寸和形貌的影响。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2018年01期）
刘鹏杰[5]（2018）在《磷化镓纳米孔阵列光阳极材料的制备及其光电化学性能研究》一文中研究指出光电化学制氢是利用太阳能的有效方式之一。在各种光电催化活性材料中,Ga P具有合适的能带位置和较小的带隙宽度等优点,是非常有前景的太阳光电催化制氢光电极材料。然而,实现优良和稳定的光电化学性能,平面块体Ga P材料仍然存在一些缺点:1)稳定性差;2)光吸收率低;3)光生载流子扩散距离短。通过微纳结构调控,可以有效地改善这些问题。但传统的Ga P纳米结构的制备方法过程繁琐,且用到强酸等危险试剂,限制了Ga P光电极的大规模生产、应用。在本论文的研究中,我们使用中性Na Br溶液为电解液,在电化学刻蚀过程中采用线性扫描的刻蚀电压,可以使得Ga P多孔层表面的无序层在刻蚀过程中直接被去除,一步法直接制备大面积、高度有序的Ga P纳米孔阵列。Ga P纳米孔表面呈叁角形状,内部孔壁为起伏的锯齿形,进一步增加了纳米结构的比表面积和对光的吸收。通过改变Na Br溶液的浓度和刻蚀电压的扫描速率,可以调节纳米孔的尺寸。将所制备的叁维Ga P纳米孔阵列用于光电化学产氢体系的光阳极,表现出良好的光电化学性能。最大光电流密度为5.65 m A·cm-2,是之前研究成果2.3倍,是平面Ga P光电极的58.3倍,表明叁维Ga P纳米孔阵列有助于提升Ga P光电极的光电化学产氢性能。电化学阻抗谱和光致发光谱分析表明,与酸性刻蚀溶液相比,中性溶液能够有效钝化纳米孔表面态,促进纳米结构光电化学性能的提高。(本文来源于《上海交通大学》期刊2018-01-01）
李涵阳[6]（2018）在《基于金属纳米孔阵列结构光纤传感器设计及特性研究》一文中研究指出自从在具有亚波长小孔阵列结构的光学金属薄膜上发现异常透射现象以来,由于其独特的光学现象,激起了研究人员对基于光学纳米孔阵列结构的等离子体激元传感领域的研究。然而,等离子体激元器件通常被限制在平面基板上,并且依赖于庞大的光学设备,因此限制了等离子体光学器件的广泛应用。光纤由于具有轻便,小尺寸,成本低,效益高,灵活性高等优点,使得光纤上的等离子体的激发的实现可以显着简化光学设计并减少它们对某些复杂光学元件的依赖性,使得纳米等离子体传感器具有极大的通用性和实用性。为了解决光纤纳米孔阵列结构传感器存在的灵敏度低、实现角度调节困难以及制造工艺复杂等问题,本文提出了应用模板转移法在光纤端面集成周期性金属纳米结构来制造纳米孔阵列结构光纤传感器。这种方法实现了在光纤基体上高质量、大面积制作周期纳米结构,很好地解决了其他方法容易产生金膜褶皱,纳米结构容易脱离等问题。本文应用模板转移法设计了两种光纤纳米孔阵列结构传感器,一种是平端面金属纳米孔阵列结构光纤传感器,一种是斜端面金属纳米孔阵列结构光纤传感器,并对两种传感器的传感性能进行了仿真与实验研究。结果表明两种传感器都具有很好的传感特性,平端面金属纳米孔阵列结构光纤传感器透射谱中信号峰的移动与周围环境折射率的变化成线性关系,传感器的最高灵敏度达到594.45nm/RIU,品质因数(figure of merit,FOM)值达到33.12。斜端面金属纳米孔阵列结构光纤传感器的灵敏度与FOM值随着光纤磨锥角的变化而呈规律改变,在光纤磨锥角为7°时传感器的传感特性达到最优值,此时灵敏度为487nm/RIU,FOM值为29,且传感器信号峰值与液体折射率的变化成线性关系,线性拟合度达到了99.12%。本文的实验结果与Comsol Multiphysics有限元仿真软件模拟得到的结果完全吻合。综上所述,本文应用模板转移法设计的平端面及斜端面金属纳米孔阵列结构光纤传感器具有较高的传感灵敏度,其中斜端面金属纳米孔阵列光纤结构传感器首次在光纤基体上研究了角度对局域表面等离子体共振传感器传感性能的影响,对于光纤等离子体激元传感器的发展具有积极的作用。(本文来源于《哈尔滨工程大学》期刊2018-01-01）
周紫薇,张刚[7]（2017）在《多层同轴纳米孔阵列及其大范围电调控的法诺共振性质》一文中研究指出贵金属纳米结构能够与光相互作用形成独特的表面等离子体共振效应,引起局域电磁场强度的大幅提升,使贵金属纳米结构可有效应用于传感、痕量检测、微型光学器件以及生物诊疗等领域。本文中,我们基于胶体刻蚀手段制备出大面积有序的金属-电介质-金属多层纳米孔阵列。这种纳米级面状间隙层的存在能够引起上、下两层纳米孔阵列间强烈的电磁耦合,通过对纳米结构参数的精确优化可以激发出基于磁模式的强烈的多重法诺共振,进而得到窄线宽的等离子体法诺特征峰。进一步在多层纳米孔阵列上旋涂电致变色聚合物薄膜,通过电压实时控制薄膜的折射率变化,可实现对多层纳米孔阵列法诺特征峰的大范围可逆调控。正是得益于窄峰宽法诺共振的超高传感灵敏度,其纯电控等离子体共振峰位移动可高达72 nm,超过目前文献中报道的最大调控范围。(本文来源于《中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题H：光电功能高分子》期刊2017-10-10）
陈智飞[8]（2017）在《铝纳米孔阵列的二次谐波特性研究》一文中研究指出二次谐波是一种重要的二阶光学非线性效应,在探测、传感、成像领域有广泛的应用价值,同时可以作为一种基础的频率变换手段。金属表面自由电子在入射光场影响下形成集体震荡可以产生等离子体。表面等离子体可以将光局域在界面附近,形成很强的局域电场,从而增强各种非线性效应,研究金属的二次谐波具有一定的意义。激光扫描成像技术可以对微纳结构的线性或非线性光学响应进行测试,获得其整体图像,对于纳米线、纳米带、二维层状材料的研究有重要意义。本文主要研究了光刻制备的铝纳米圆孔阵列的二次谐波特性,并搭建了一套激光扫描成像系统,完成了对二硫化钼层状材料的扫描成像测试。主要工作内容如下:1.阐述了二次谐波、表面等离子体的相关原理和研究现状。使用有限差分法仿真了纳米铝孔阵列的透射、反射、吸收光谱。计算表明,铝纳米孔阵列的圆孔直径和铝膜厚度对于线性光谱峰值的位置影响不大,只会对透射率、反射率和吸收率的数值产生影响。而铝纳米孔阵列的周期对线性光谱峰值位置的影响较大,线性光谱峰位会随阵列周期的增大而红移。当阵列周期为540 nm时,阵列的吸收峰和透射峰处于800 nm,与激光峰位相应。2.使用电子束蒸发镀膜方法在石英基片上制备了100 nm厚的铝膜,通过聚焦离子束刻蚀在铝膜上刻蚀了周期分别为540 nm,580 nm和620 nm的圆孔阵列。对阵列透射光谱的测试表明,周期为540 nm的样品透射峰位于800 nm,其余两个样品的透射峰则相对于周期为540 nm的样品红移。二次谐波实验测试也表明周期为540 nm的阵列具有最强的二次谐波。3.结合Labview搭建了自动化的激光扫描成像系统,使用该系统测试获得了二硫化钼以及二硫化钼与金纳米棒复合结构的二次谐波扫描成像图片。结果比较清楚可靠,而且可以分辨出在普通光学显微镜下观察不到的金纳米棒。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-05-01）
马海光[9]（2017）在《高深宽比金纳米孔阵列的构筑及量子点补偿等离激元阻尼的研究》一文中研究指出表面等离激元具有对环境折射率改变极度敏感、在衍射极限下聚集光、超快响应和增强物质之间的相互作用等诸多优良光学特性,并且具有较高的结构设计自由度(可通过调控结构控制性质)。因此具有表面等离激元特性的纳米结构在太阳能电池、生物传感、医疗和国防安全等多个领域受到广泛关注。但是表面等离激元的辐射衰减损耗和非辐射衰减损耗(形成电子空穴对)。目前减小光损耗的方法主要包括:1)发展低损耗材料,例如石墨烯、半导体掺杂材料和金属合金等;2)利用增益介质与金属纳米结构之间的有效结合补偿金属纳米结构的光损耗。其中增益介质与特定模式的表面等离激元之间能够建立一种有效的选择反馈机制,在这种机制下能够选择特定的(或几个)表面等离激元振荡模式最终形成等离激元受激辐射放大,处于受激辐射状态的表面等离激元会形成较高的局域电场,从而可以用于高性能传感器的制备。在这种机制中,要产生表面等离激元受激辐射,需要能够有效调控增益介质与局域表面等离激元热点之间的间距,达到共振能量转移条件。另外纳米孔阵列结构可以实现器件的集成化而成为备受关注的具有表面等离激元特性的纳米阵列结构之一。目前在其制备方面还需要进一步提升制备效率和质量。因此构筑大面积高度有序的金纳米阵列结构,有效调控其结构控制热点分布,并增益介质有效结合减少其光学损耗,是本论文开展研究的重要依据。本文主要关注金纳米孔阵列结构的制备以及如何减少金纳米孔阵列中结构损耗和本征损耗方面。具体通过自制装置改进胶体球模板的制备方法,有效提高胶体球模板的制备效率和制备质量,为减小金纳米孔阵列中结构缺陷打下良好基础。利用PMMA对周期结构进行转移,实现了对纳米结构的可控构筑,并研究了几何结构对纳米孔阵列光损耗的影响。利用量子点作为增益介质,研究其对金纳米材料固有损耗的补偿作用。主要研究内容分为以下叁个方面:(1)大面积胶体球掩膜板的高效制备。本章根据已有的固体表面胶体球自组装和气液界面自组装方法,改进了聚苯乙烯微球在气液界面自组装装置,并研究了温度和pH值对成膜质量的影响,实现了大粒径跨度的聚苯乙烯微球自组装。分别获得了100、300、870和1370 nm大面积聚苯乙烯单层膜以及100-870 nm和100-1370 nm两种PS球自组装形成的二元结构单层膜。自组装膜的大小约100 cm~2,其面积大小主要受水槽面积限制。另外通过调节温度和pH值,可以得到具有大面积宏观尺度(0.5 mm~2)的单畴结构。(2)高深宽比金纳米孔阵列结构的制备及其光学性能的研究。利用PMMA对高度有序的聚苯乙烯微球阵列结构进行转移后,得到纳米柱阵列结构。以纳米柱阵列为掩模板,可以突破纳米球刻蚀技术对粒径和厚度的限制,实现对高深宽比纳米孔阵列的可控制备。纳米结构的特征不同,形成的热点的位置也会有很大变化,利用FDTD模拟发现,厚度为30 nm的纳米孔阵列结构的局域表面等离激元处场强分布较大,且集中在基底与金纳米孔边沿接触的位置。厚度为120 nm的纳米孔阵列,表面等离激元处场强分布较大。纳米孔阵列的灵敏度与场强大小成正比,因此不同厚度的金纳米孔阵列其表面等离激元的灵敏都有很大差别。模拟和实验都证实了高折射率介质对表面等离激元的电场束缚较强,可利用这种特性制备多层膜结构,获得灵敏度较高的纳米孔阵列结构。(3)金纳米孔复合阵列结构的构筑及其光学性能研究。表面等离激元极易损耗,大大影响了其在相关应用方面的发展。本文利用量子点作为增益介质,根据纳米孔阵列结构中热点分布特点和折射率对热点分布的影响,设计并构筑表面具有热点的金纳米孔阵列结构,并初步研究了其光学增益性质。研究结果表明,金-量子点-金多层膜纳米孔阵列结构会减小表面等离激元透过峰的半峰宽,有效减小其光学损耗,可增加其在生物检测方面的灵敏度。通过软件模拟发现多层膜结构的场强不像单层膜一样集中分布在某一区域,具有更明显的传导特性而不是局域特性。由于结构的特异性,造成局域表面等离激元的振荡模式较多,能够被耦合的光子的频率较宽,造成透光峰半高宽较大。(本文来源于《河南大学》期刊2017-05-01）
尹洪峰,何晨,侯琴,袁蝴蝶[10]（2016）在《阳极氧化Ti_3SiC_2制备纳米孔阵列》一文中研究指出以NH4F和乙二醇为电解液,采用阳极氧化法在Ti_3SiC_2表面制备纳米多孔结构,研究阳极氧化电压、电解液浓度和氧化时间对纳米多孔结构形成的影响。利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对纳米多孔结构进行表征。结果表明:孔径随着氧化电压的升高而增大,且延长氧化时间有利于制备孔径均匀的纳米孔;Ti_3SiC_2试样经阳极氧化后除含有Ti、Si、C元素外,还含有O元素,且以TiO_2的形态存在。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2016年12期）
纳米孔阵列论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
单晶硅纳米结构在21世纪逐渐成为科研人员的研究热点。其在太阳能电池、电化学储能、光学传输系统、光电探测器等高新技术产业具有广泛且急迫的应用。单晶硅与纳米技术结合,使其表现出表面效应,量子限域效应、热稳定性等特殊物理特性,大大增加了单晶硅纳米结构在众多领域的研究价值与研究人员的研究热情。其中,金属辅助化学刻蚀法(MaCE)由于具有工艺简单、成本低、效率高、便于过程控制等优点逐步成为了纳米结构制备的主流工艺。金属辅助化学刻蚀法制备单晶硅纳米孔阵列是Si-H2O2-贵金属(Ag、Au、Pd)等构成的原电池反应体系。化学体系中各项因素(贵金属尺寸与类型、刻蚀剂溶液配比、单晶硅特性、温度与光照)等都会对纳米结构形貌产生影响,这也使该方法制备的硅纳米孔阵列结构存在质量差、可重复性低等特点。因此,本论文提出磁电耦合制备单晶硅纳米孔阵列,在MaCE法的基础上,结合外加磁电耦合物理场,突破化学反应体系局限性,为制备单晶硅纳米孔阵列提供了一种新思路,并取得了一定的成果。本文主要研究内容如下:(1)从单晶硅纳米孔阵列的应用及制备方法两方面介绍了该研究课题的背景与意义,并分析总结了国内外研究现状。(2)详细地叙述分析了 MaCE反应机理,从质量传递方式、电荷转移过程、空穴转移过程进行了详细分析。并详细叙述了 MaCE调控机理,重点在纳米结构刻蚀方向、刻蚀速率、结构质量等方面进行了叙述。(3)结合ANSYS分析了磁电耦合稳定性,证明了实验范围内电生磁、磁生电不会产生涡流,耦合场稳定,不会对实验产生干扰。并且为了实验可重复性,设计了实验平台、实验步骤及实验规范。(4)通过本论文所述方法成功制备了形貌结构优异的单晶硅纳米孔阵列。并根据不同实验结果,探究不同因素对单晶硅纳米孔阵列制备的影响。详细分析了磁电耦合场对金属催化剂方向、刻蚀速率的影响。还分析了在磁电场效应下刻蚀时间和催化剂横向尺寸对刻蚀深度的影响及分析了影响单晶硅纳米孔阵列孔隙率的因素。并通过不同温度下对刻蚀过程施加不同的电流密度,生成金属辅助化学刻蚀法过程速率的阿伦尼乌斯(Arrhenius)图,计算出不同电流密度下的活化能。同时,在磁电场效应制备叁维维纳结构的实验中,我们发现可以通过改变磁电耦合力的方向控制金属催化剂的运动来实现多维度复杂的硅纳米结构形貌,为复杂叁维微纳结构的制备提供了一种可行性方案。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纳米孔阵列论文参考文献
[1].余智勇.基于金纳米盘和纳米孔阵列结构的表面等离激元生物传感器研究[D].南京大学.2019
[2].王志权.MaCE法磁电耦合作用下制备单晶硅纳米孔阵列的研究[D].杭州电子科技大学.2019
[3].张晓虎.基于纳米孔阵列超表面的全息显示技术研究[D].中国科学院大学(中国科学院光电技术研究所).2018
[4].范连斌,张琛,李红福,王凯歌,冯晓强.基于聚合物低单光子吸收连续激光直写技术研制亚衍射极限纳米孔阵列（英文）[J].稀有金属材料与工程.2018
[5].刘鹏杰.磷化镓纳米孔阵列光阳极材料的制备及其光电化学性能研究[D].上海交通大学.2018
[6].李涵阳.基于金属纳米孔阵列结构光纤传感器设计及特性研究[D].哈尔滨工程大学.2018
[7].周紫薇,张刚.多层同轴纳米孔阵列及其大范围电调控的法诺共振性质[C].中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题H：光电功能高分子.2017
[8].陈智飞.铝纳米孔阵列的二次谐波特性研究[D].华中科技大学.2017
[9].马海光.高深宽比金纳米孔阵列的构筑及量子点补偿等离激元阻尼的研究[D].河南大学.2017
[10].尹洪峰,何晨,侯琴,袁蝴蝶.阳极氧化Ti_3SiC_2制备纳米孔阵列[J].中国有色金属学报.2016
论文知识图
