退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg2Si薄膜的影响

论文摘要

采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,制备出一系列Mg2Si薄膜样品.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg时间对制备Mg2Si薄膜的影响.结果表明,采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg薄膜,通过原位退火方式成功制备出单一相的Mg2Si薄膜,溅射Si/Mg/Si/Mg的时间为12.5/9/12.5/9min,退火温度为550℃时,制备的Mg2Si薄膜结晶度最好,连续性和致密性最强.这对后续Mg2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.

论文目录

• 1 引言
• 2 实验
• 3 结果与讨论
•   3.1 退火温度对溅射两层Si、Mg制备Mg2Si的影响
•     3.1.1 退火温度对Mg2Si晶体结构的影响
•     3.1.2 退火温度对Mg2Si表面形貌的影响
•   3.2 溅射两层不同厚度Si、Mg对制备Mg2Si的影响
•     3.2.1 双层膜溅射厚度对Mg2Si薄膜晶体结构的影响
•     3.2.2 双层膜溅射厚度对Mg2Si薄膜表面形貌的影响
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 陈茜,马新宇,廖杨芳,肖清泉,谢泉

关键词: 磁控溅射,原位退火,交替溅射,退火温度,溅射时间

来源: 低温物理学报 2019年02期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

单位: 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所

基金: 贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]0009),贵州省科技计划项目(黔科合平台人才[2017]5788号)资助的课题

分类号: TQ132.2;TB383.2

DOI: 10.13380/j.ltpl.2019.02.008

页码: 129-134

总页数: 6

文件大小: 1310K

下载量: 90