论文摘要
利用分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点,采用梯度生长法实现了量子点的成岛参数和量子点密度精确可控。通过在GaAs衬底上生长InGaAs组分渐变缓冲层进而自组织外延InAs量子点的方法,将GaAs衬底的InAs量子点发光波长拓展到了1 550 nm通讯波段,并研究了渐变层中最大In组分、以及InAs淀积量等因素对于量子点发光性能的影响。结果显示,渐变层最上层In组分越大,与InAs量子点的失配越小生长尺寸越大,量子点的发光波长越长,光致荧光谱呈现整体红移的趋势。在渐变缓冲层上外延InAs的淀积量为1.65 ML时可以得到线宽较窄强度较高的单量子点发光峰。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 池振昊,王海龙,倪海桥,牛智川
关键词: 自组织量子点,分子束外延,通信波段
来源: 通信技术 2019年06期
年度: 2019
分类: 信息科技,基础科学
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
基金: 国家自然科学基金(No.61674096)~~
分类号: O471.1
页码: 1311-1315
总页数: 5
文件大小: 1645K
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