导读:本文包含了非线性放大器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:偏导射流,流量增益,非线性
非线性放大器论文文献综述
左哲清,程相,郑悫,陈祖希,王书铭[1]（2019）在《偏导射流液压放大器流量增益非线性研究》一文中研究指出偏导射流液压放大器是偏导射流伺服阀中的核心组件,其性能一定程度上决定了整阀性能,流量增益是偏导射流液压放大器的一项关键特性。通过定性分析及理论推导相结合的方式,得出了偏导射流液压放大器流量增益非线性模型,该非线性与偏导板喷射口宽度及分流劈尖宽度有关。当偏导板位移较小时,流量增益为恒值;当偏导板位移达到喷射口宽度及分流劈尖宽度之和的一半时,偏导射流液压放大器的流量特性达到饱和。最后,通过对实物进行测试验证了模型的正确性。(本文来源于《液压与气动》期刊2019年10期）
周二风[2]（2019）在《氮化镓功率放大器功率增益非线性的预失真电路设计》一文中研究指出提供一种可实现氮化镓(GaN)功率放大器功率增益非线性预失真校正电路,克服了现有的氮化镓功率放大器的功率增益非线性或线性输出功率低的问题,使其在功率增益特性方面与砷化镓(GaAS)功放性能相似。该预失真电路具有性能优越、通用性强和灵活性好等特点。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2019年18期）
庞子鸿[3]（2019）在《无线通信射频功率放大器非线性失真优化设计》一文中研究指出宽带无线通信系统中,功率放大器是重要组件,想要提高功率放大器功率就要选择高功率放大器(HPA)。HPA固有非线性特点,信号产生非线性失真,产生的非线性导致信号带失真、带外频谱扩大影响传输信号。因此,通过线性优化提升功率放大器的非线性失真具有重要作用,保证信号稳定、结构简单。鉴于此,笔者结合实践研究,就无线通信射频功率放大器非线性失真优化设计进行简要分析。(本文来源于《信息通信》期刊2019年06期）
郭瑾颐,徐润亲,范路遥,许昌兴,田金荣[4]（2019）在《非线性掺镱光纤放大器产生宽光谱机理》一文中研究指出系统地研究了在非线性掺镱光纤放大器中产生宽带光谱的特性,对不同种子脉冲激光的中心波长、放大器增益光纤长度对光谱输出特性的影响进行系统实验及分析。实验中采用非线性偏振旋转锁模技术获得非线性放大器的种子光,输出为耗散孤子脉冲。当种子脉冲激光中心波长为1041 nm、放大器的增益光纤长度为8 m时,获得了较好的平坦宽光谱,波长范围为1040～1600 nm时,其平坦度约为10 dB,其中1040～1250 nm波长范围的宽光谱平坦度小于1.5 dB。(本文来源于《中国激光》期刊2019年09期）
张俊飞[5]（2018）在《GaN HEMT功率器件非线性建模研究及功率放大器设计》一文中研究指出近些年来,随着科学技术的快速发展,人们对于晶体管在高温、大功率、抗辐射和高频率等方面的性能提出了越来越高的要求。而GaN HEMT作为第叁代半导体材料器件,正是由于其在高频、高温、大功率等方面的优越性能,才使其逐渐的成为了当前研究的热点。然而,尽管GaN HEMT器件目前已经逐渐成为了行业的主流,但在功率放大电路的设计软件中,却并没有较为准确的GaN HEMT器件模型用于模拟仿真,所以对于GaN HEMT器件模型的研究变得越来越迫切。本文围绕GaN HEMT器件的大信号等效电路模型进行相应的研究,通过分析GaN HEMT大信号等效电路中的非线性元件,将GaN HEMT非线性元件模型分为非线性I-V模型和非线性C-V模型两个部分进行研究和探讨。本文在对GaN HEMT器件的内部结构和工作原理进行了详细的探讨分析后,又针对GaN HEMT器件的大信号等效电路模型进行了相应的研究,并简要介绍了几种常见的非线性模型。其中,在对GaN HEMT器件多种非线性模型的对比分析中,本文针对GaN HEMT大信号等效电路中的非线性电流源_(ds)和非线性电容_(gs)和_(gd)进行研究,并选择了Angelov非线性I-V模型对非线性直流模型进行研究,选择了Curtice非线性C-V模型对非线性电容模型进行研究。在研究过程中发现,本文选用的Angelov模型在对非线性I-V特性研究中,虽然能够很好的描述器件的直流特性趋势,但并不能达到较高的精度。在对GaN HEMT器件的结构和工作原理进行详细的分析和探讨,并结合其他资料分析后,本文确定了影响非线性模型精确性的主要因素是器件的自热效应。在将影响GaN HEMT器件非线性模型精确性的因素归结为器件的自热效应后,本文尝试在Angelov非线性I-V模型的经验公式中,添加温度修正因子来改善由于器件自热效应所带来的影响。在非线性C-V模型的改进公式中,同样参考了器件自热效应的影响,在对非线性C-V模型的经验公式改进后,通过对比原始拟合效果图和改进后的拟合效果图,得出改进型非线性模型精度较高的结论,并由此最终实现了非线性C-V模型精确度的提高。最后,本文在对功率放大器的基本理论进行简单的介绍说明后,利用CREE公司的GaN基高电子迁移率晶体管CGH40010F设计制作,并调试了一款中心频率5.8GHz,单管输出功率达到5W,效率达到60%左右的功率放大器。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-05-01）
周怡,李勃,王峰,马润,李亚鹏[6]（2018）在《功率放大器的非线性预失真技术的研究》一文中研究指出功率放大器作为一种重要的电子元器件,具有放大信号的功能,但有源电子元器件的非线性失真特性会影响信息的正确接收,采用有记忆预失真间接学习模型解决功放存在的非线性问题。该模型中依据功放输出幅度最大化和归一化均方误差(NMSE)最小化原则建立了预失真模型,通过仿真计算,归一化均方误差可达到-44.5408,误差矢量幅度等于0.13%。研究结果表明有记忆预失真间接学习模型确认该模型可有效提升功率放大器的线性化程度。(本文来源于《宁夏电力》期刊2018年02期）
汪诤,潘丽华[7]（2018）在《基于运算放大器的非线性电阻设计》一文中研究指出应用模拟电路实现的分段线性函数相比较数值分析而言,在速度上和参数调整上具有非常大的优势,同时分段线性函数的设计为应用等效电路模型进行非线性动力学的分析提供了基础。在分析蔡氏电路非线性电阻的基础上,针对分段线性函数的特点,结合运算放大器的线性放大和饱和特性,通过相互线性迭加,设计了几种不同特性的分段线性函数。并在Multi Sim12.0仿真软件中进行了仿真,验证了设计的正确性。设计为非线性动力学的仿真提供了一种方法,降低了仿真实验的难度,提高了计算的速度和参数调整的实时性。(本文来源于《钦州学院学报》期刊2018年03期）
李欧鹏[8]（2017）在《太赫兹InP HBT非线性模型及单片放大器研究》一文中研究指出近年太赫兹波在高速通信、安检、医疗成像、射电天文、国防等方面取得长足进展,大大刺激了各类高性能太赫兹器件的需求。在各类太赫兹系统中,放大器的输出功率、噪声系数和线性度决定了系统的作用半径、灵敏度,抗干扰能力以及通信质量,是制约太赫兹技术应用和发展的关键器件。设计太赫兹频段固态放大器的基础在于:1)性能优异的器件;2)准确的太赫兹线性及非线性器件模型;3)适用于太赫兹的电路设计方法。磷化铟(InP)异质结晶体管(HBT)以其超高频、大功率、高线性度等特性优势,是最适合太赫兹单片应用的材料,已成为近年来国内外太赫兹固态器件和电路研究的热点。开展太赫兹InP HBT非线性模型及放大器设计研究对太赫兹系统的发展及应用有着非常重要的意义。在国家863计划支持下,本文依托国产In P HBT工艺线,针对上述要点,以太赫兹单片放大器为最终目标出发,系统地研究了太赫兹在片测试、太赫兹InP HBT非线性模型的建模技术及太赫兹单片(TMIC)设计技术。主要研究内容包括:(1)太赫兹去嵌方法及在片校准研究。针对太赫兹测试中如何准确获得待测件(DUT)本征参数的问题,研究了片外校准+去嵌与在片校准两种测试模式。首先对比研究了LRRM校准和SOLT校准在太赫兹的表现,选定了精度高、可靠性高的LRRM作为片外校准方法。分析了低频常用的Open-Short去嵌法失效的机理,提出一种Open pad-Open-Through去嵌方法,实现了太赫兹频段测试结构寄生参数的移除。研究了片上薄膜微带线的性质,提取出了苯环丁烷(BCB)介质介电常数的频变模型,准确的制作出特定特性阻抗及相移的传输线,实现了太赫兹频段的TRL片上校准。最后测试了InP晶元上的HBT,MIM电容等有源无源结构,对比了Open-Short,Open pad-Open-Through和TRL叁种方法的测试效果,验证了TRL和Open pad-Open-Through方法的有效性,为后续建模工作打下基础。(2)片上电容的太赫兹模型研究。针对电容Line-Capacitor-Line(LCL)模型传统提参方法必须在微带线环境中才有效的局限,提出一种通用的模型参数提取方法。该方法基于测试数据,通过对模型Z矩阵和Y矩阵的推导得出模型参数的解析解,不受电容传输线形式及结构限制,具有高度的普适性。提取参数在0-66GHz频段内不需要任何微调即可达到S参数幅度最大误差7%,相位最大误差7°以内的拟合精度。随后根据LCL模型提出一种在不影响容值大小情况下提升电容自谐振频率的方法,并进行了验证。然后将模型应用扩展到了太赫兹频段,研究了LCL模型在太赫兹频段的有效性,以此为根据研究了MIM电容在太赫兹频段的频率响应规律,为太赫兹单片电路设计提供了高精度的无源模型库和完善了设计方法。(3)InP HBT太赫兹模型研究。针对In P HBT的B-C结的异质结势垒结构带来的色散效应,提出了一个射频电流模型,在Agilent HBT模型基础上,增加了色散支路,改善了直流跨导与射频跨导的模拟精确性。然后根据本文所使用HBT物理结构,重新规划了Agilent HBT模型的寄生参数分布,将寄生电感拆分为电极寄生与通孔寄生,电感考虑了平行电极之间的磁耦合和金属寄生电阻的趋肤效应。以此拓扑为基础提出一种系统的寄生参数EM提取方法,一步一步剥离提取了寄生参数。最终模型在0.2~325GHz全频带多偏置点上与测试数据达到了良好的拟合结果。(4)太赫兹放大器研制。针对140 GHz,220 GHz等大气窗口频段开展放大器设计研究。结合之前建立的HBT非线性模型和电容LCL模型,提出了一套适用于太赫兹频段的原理图设计方法,避免了太赫兹频段原理图设计盲目优化的问题。基于这种方法,首先设计了一款超宽带中功率放大器,测试结果显示芯片3 dB带宽为49.1 to 146.4 GHz,覆盖了E波段,W波段和F波段。平均小信号增益11.2dB,140 GHz上饱和输出功率13.7 dBm。随后设计了220 GHz放大器,采用双共轭匹配法挖掘晶体管最大增益,级联六级晶体管在220 GHz上得到了13 dB的小信号增益。放大器在片测试输出功率为2.82 dBm。最后研究了倒置微带线结构的放大器,研制了一款八级倒置微带放大器,在140~190 GHz上有超过15 d B的平坦增益,其输出功率在220 GHz为-2.688 dBm。叁款放大器成功实现了可实用化的太赫兹固态电路。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-03-22）
黄振鹏,罗志年[9]（2017）在《无线通信射频功率放大器非线性失真优化设计》一文中研究指出针对无线通信系统中射频功率放大器的非线性失真问题进行研究,设计数字预失真结构补偿功放的非线性特性。然而,OFDM信号的高峰均比使功放工作在饱和区,产生严重的非线性饱和失真,并且产生这种饱和失真的非线性很难通过数字预失真得到补偿,因此提出了联合峰均比抑制的数字预失真新结构。峰均比抑制采用选择映射法和压扩变换相结合的融合算法,最大限度降低功放输入信号的峰均比,避免功放工作在饱和区,提高功放效率。为了优化联合结构的收敛速度提出自适应LS-LMS算法,并应用到基于记忆多项式模型的数字预失真间接学习结构中。仿真结果表明,联合峰均比抑制的自适应数字预失真性能优于单独的自适应数字预失真,能够有效地消除高峰均比信号通过功放饱和区产生的非线性失真。(本文来源于《计算机仿真》期刊2017年03期）
邓海林,张德伟,周东方,杜健[10]（2016）在《微波功率放大器非线性特性分析》一文中研究指出为判断微波功率放大器非线性失真的主要影响因素,首先,在传统幂级数模型的基础上对功率放大器的非线性幅度失真和相位失真进行拟合,基于包络分析法给出了功率放大器非线性失真与幅度和相位失真间的解析关系;其次,对幅度失真和相位失真引起的非线性失真进行了分析,给出了两者之间的等效失真关系式,据此可对任意给定的功率放大器进行分析,以确定非线性失真的主要影响因素,并用于指导模拟预失真线性化器的设计与调试;最后,通过对一Ka频段行波管放大器的非线性测试及模拟预失真线性化,验证了所提出的功率放大器非线性分析的正确性及幅相等效失真关系式的有效性。(本文来源于《电讯技术》期刊2016年12期）
非线性放大器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提供一种可实现氮化镓(GaN)功率放大器功率增益非线性预失真校正电路,克服了现有的氮化镓功率放大器的功率增益非线性或线性输出功率低的问题,使其在功率增益特性方面与砷化镓(GaAS)功放性能相似。该预失真电路具有性能优越、通用性强和灵活性好等特点。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
非线性放大器论文参考文献
[1].左哲清,程相,郑悫,陈祖希,王书铭.偏导射流液压放大器流量增益非线性研究[J].液压与气动.2019
[2].周二风.氮化镓功率放大器功率增益非线性的预失真电路设计[J].中国新技术新产品.2019
[3].庞子鸿.无线通信射频功率放大器非线性失真优化设计[J].信息通信.2019
[4].郭瑾颐,徐润亲,范路遥,许昌兴,田金荣.非线性掺镱光纤放大器产生宽光谱机理[J].中国激光.2019
[5].张俊飞.GaNHEMT功率器件非线性建模研究及功率放大器设计[D].西安电子科技大学.2018
[6].周怡,李勃,王峰,马润,李亚鹏.功率放大器的非线性预失真技术的研究[J].宁夏电力.2018
[7].汪诤,潘丽华.基于运算放大器的非线性电阻设计[J].钦州学院学报.2018
[8].李欧鹏.太赫兹InPHBT非线性模型及单片放大器研究[D].电子科技大学.2017
[9].黄振鹏,罗志年.无线通信射频功率放大器非线性失真优化设计[J].计算机仿真.2017
[10].邓海林,张德伟,周东方,杜健.微波功率放大器非线性特性分析[J].电讯技术.2016