晶化率及膜厚对薄膜硅负极循环性能的影响

论文摘要

采用微波等离子体增强化学气相沉积技术和磁控溅射技术制备不同晶化率和不同厚度的硅薄膜负极材料,并通过系列测试来研究晶化率和薄膜厚度对硅薄膜负极材料循环性能的影响。结果表明随着晶化率降低,硅薄膜循环稳定性得到提高,纯非晶硅薄膜具有更加优异的循环稳定性;较薄的硅薄膜在脱嵌锂过程中,循环应力较小,薄膜仅在应力作用下被分裂成几十微米大小的岛结构,薄膜与铜基体之间粘接性维持较好,保持有效的电接触。同时分离的岛结构也有利于循环过程中进一步释放硅负极的体积膨胀,使得整体结构保持完整和稳定,薄膜呈现出更加良好的循环性能。

论文目录

• 1 实验
•   1.1 样品制备
•   1.2 样品结构表征和电化学性能测试
• 2 结果与讨论
•   2.1 物相与结构表征
•   2.2 不同晶化率硅薄膜电化学特性与循环性能
•   2.3 不同厚度非晶硅薄膜电化学性能
• 3 总结

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 刘强,吴爱民,吕嘉欣,邓文昕,黄昊

关键词: 薄膜硅,负极材料,晶化率,薄膜厚度,循环性能

来源: 电源技术 2019年09期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备,电力工业

单位: 大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室

基金: 国家自然科学基金(No.51171033,No.21233010),中央高校基本科研业务费重点实验室专项经费(DUT17ZD101),常州工业支撑计划(CE20160022)

分类号: TM912;TB383.2

页码: 1412-1414+1457

总页数: 4

文件大小: 2520K

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